Các nhiệm vụ khác
- Hệ sinh thái khởi nghiệp ở Nhật Bản và Hàn Quốc: Bài học kinh nghiệm cho Việt Nam
- Lịch sử nhà tù Bà Rá và đấu tranh chống chế độ lao tù (1940-1945)
- Xây dựng mô hình trồng lan vũ nữ tại huyện Di Linh, tỉnh Lâm Đồng
- Nghiên cứu thực nghiệm chủ động tạo giống bần chua phcuj vụ trồng rừng có hiệu quả
- Vai trò Công đoàn trong việc chăm lo đời sống văn hóa tinh thần của nữ công nhân trong các khu công nghiệp trên địa bàn tỉnh Bình Dương
- Xây dựng quy trình bảo quản tươi dược liệu dạng củ (Sâm Ngọc Linh) trên địa bàn tỉnh Kon Tum
- Thiết kế ứng dụng hệ kết cấu lan can cầu liên kết chìm áp dụng cho các tuyến đường cao tốc ở Việt Nam
- Đánh giá thực trạng và đề xuất giải pháp bảo tồn quần thể Lim xanh tại Di tích lịch sử văn hóa cấp quốc gia Đền Và Thị xã Sơn Tây Thành phố Hà Nội
- Thực trạng và các yếu tố liên quan đến tuân thủ điều trị ARV của bệnh nhân nhiễm HIV/AIDS tại 10 phòng khám ngoại trú tỉnh Điện Biên năm 2017 và hiệu quả một số giải pháp can thiệp
- Thực trạng và giải pháp nâng cao hiệu quả thu hút đầu tư nước ngoài trên địa bàn tỉnh Vĩnh Phúc
liên kết website
Lượt truy cập
- Kết quả thực hiện nhiệm vụ
2025-1828
Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
Tỉnh/ Thành phố
Đào Vĩnh Ái
TS. Nguyễn Thị Kiều Phương, TS. Diệp Đình Phong, ThS. Nguyễn Duy Khôi(1), ThS. Nguyễn Văn Toàn, ThS. Nguyễn Lê Vân Thanh(2), PGS.TS. Đinh Văn Phúc, ThS. Trần Bạch Như Ý, ThS. Trần Thị Khánh Chi, ThS. Dương Bích Ngọc, ThS. Trịnh Thanh Thủy, ThS. Hồ Văn Bình(3)
Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng
09/2022
12/2024
2024
TP Hồ Chí Minh
184 tr.
Nghiên cứu, chế tạo tế bào pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có màng dẫn lỗ trống mặt sau (rear emitter a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell) hiệu suất 19 % (Voc ~ 700 mV; Jsc ~ 38 mA/cm2; FF 70 %; Công suất đỉnh: 0.019 W). Việt Nam hóa công nghệ chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si. Nghiên cứu mô phỏng trong tối ưu hóa điều kiện chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có lớp dẫn lỗ trống mặt sau. Đồng thời nghiên cứu chế tạo và khảo sát lớp đệm silic vô định hình pha tạp hydro [a-Si:H(i)], chế tạo màng dẫn điện tử,màng dẫn điện trong suốt (TCO) và điện cực ngón tay bằng phương pháp in lụa.
Thành phố Hồ Chí Minh
TPHCM-2024-010
