Các nhiệm vụ khác
- Nghiên cứu đề xuất nâng cao chất lượng quản lý tổ chức khai thác sử dụng tài liệu lưu trữ điện tử tại phòng đọc trực tuyến của Bộ Thông tin và Truyền thông
- Nghiên cứu công nghệ tuyển quặng thiếc gốc núi Pháo- Phần hai: kết quả thí nghiệm bán công nghiệp tuyển quặng thiếc bán phong hóa
- Nghiên cứu tác động của yếu tố khí hậu tới các loại hình sử dụng đất nông nghiệp tại tỉnh Đắk Lắk
- Chiến lược và chính sách phát triển năng lượng nông thôn
- Hiện trạng địa giới hành chính nước ta Chuyên đề: Địa giới hành chính và tổ chức lãnh thổ
- Giải pháp nâng cao chất lượng hoạt động của đội ngũ cán bộ văn hóa cơ sở tại các tỉnh biên giới phía Bắc
- Giải pháp xây dựng mô hình can thiệp của Đoàn hỗ trợ cho trẻ em bị xâm hại
- Quản lý hoạt động giáo dục ngoài giờ lên lớp thông qua việc phát triển mô hình câu lạc bộ ở một số trường THPT tỉnh Cà Mau
- Một số đặc điểm sinh học và khả năng sản xuất của dê Bách thảo và dê lai Bách thảo nuôi bán chăn thả tại Thanh Hoá Ninh Bình
- Nghiên cứu thiết kế và chế tạo thử nghiệm các loại máy bón phân viên nén chậm tan
liên kết website
Lượt truy cập
- Kết quả thực hiện nhiệm vụ
2025-1828
Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
Tỉnh/ Thành phố
Đào Vĩnh Ái
TS. Nguyễn Thị Kiều Phương, TS. Diệp Đình Phong, ThS. Nguyễn Duy Khôi(1), ThS. Nguyễn Văn Toàn, ThS. Nguyễn Lê Vân Thanh(2), PGS.TS. Đinh Văn Phúc, ThS. Trần Bạch Như Ý, ThS. Trần Thị Khánh Chi, ThS. Dương Bích Ngọc, ThS. Trịnh Thanh Thủy, ThS. Hồ Văn Bình(3)
Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng
09/2022
12/2024
2024
TP Hồ Chí Minh
184 tr.
Nghiên cứu, chế tạo tế bào pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có màng dẫn lỗ trống mặt sau (rear emitter a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell) hiệu suất 19 % (Voc ~ 700 mV; Jsc ~ 38 mA/cm2; FF 70 %; Công suất đỉnh: 0.019 W). Việt Nam hóa công nghệ chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si. Nghiên cứu mô phỏng trong tối ưu hóa điều kiện chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có lớp dẫn lỗ trống mặt sau. Đồng thời nghiên cứu chế tạo và khảo sát lớp đệm silic vô định hình pha tạp hydro [a-Si:H(i)], chế tạo màng dẫn điện tử,màng dẫn điện trong suốt (TCO) và điện cực ngón tay bằng phương pháp in lụa.
Thành phố Hồ Chí Minh
TPHCM-2024-010
