Các nhiệm vụ khác
- Hoàn thiện quy trình kỹ thuật nuôi dưỡng để phát triển chăn nuôi gà Sasso
- Nghiên cứu hiện tượng mực nước biển dâng dị thường không phải do bão xảy ra tại cac vùng cửa sông ven biển Việt Nam
- Nghiên cứu cơ sở khoa học xác định mức độ ô nhiễm môi trường của các nguồn phóng xạ tự nhiên để xây dựng quy trình công nghệ đánh giá chi tiết các vùng ô nhiễm phóng xạ tự nhiên - Quy trình công nghệ đánh giá chi tiết các vùng ô nhiễm phóng xạ tự nhiên
- Nghiên cứu điều chế axit ferulic từ sản phẩm dầu kiềm thải của nhà máy trích ly cám gạo ở Cần Thơ bằng phương pháp thủy phân kết hợp sóng siêu âm nhằm phục vụ cho lĩnh vực y dược
- Nghiên cứu các chỉ tiêu kỹ thuật của nền san hô và tương tác giữa kết cấu công trình và nền san hô
- Hoàn thiện công nghệ và thiết bị sản xuất phân bón lá dạng hữu cơ Pomior và ứng dụng nhằm nâng cao năng xuất chất lượng một số cây trồng - Báo cáo chuyên đề
- Các vật liệu tương tự graphene và các cấu trúc ghép giữa chúng
- nghiên cứu xây dựng chính sách phát triển công nghiệp vật liệu đến năm 2030 tầm nhìn đến năm 2045
- Bệnh quan liêu trong công tác cán bộ trong điều kiện Đảng Cộng sản Việt Nam cầm quyền - Thực trạng và giải pháp để đề phòng và khắc phục
- Tổ chức các ngày hội khởi nghiệp đổi mới sáng tạo quốc gia năm 2017
liên kết website
Lượt truy cập
- Kết quả thực hiện nhiệm vụ
2025-1828
Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
Tỉnh/ Thành phố
Đào Vĩnh Ái
TS. Nguyễn Thị Kiều Phương, TS. Diệp Đình Phong, ThS. Nguyễn Duy Khôi(1), ThS. Nguyễn Văn Toàn, ThS. Nguyễn Lê Vân Thanh(2), PGS.TS. Đinh Văn Phúc, ThS. Trần Bạch Như Ý, ThS. Trần Thị Khánh Chi, ThS. Dương Bích Ngọc, ThS. Trịnh Thanh Thủy, ThS. Hồ Văn Bình(3)
20313 - Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng
09/2022
12/2024
2024
TP Hồ Chí Minh
184 tr.
Nghiên cứu, chế tạo tế bào pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có màng dẫn lỗ trống mặt sau (rear emitter a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell) hiệu suất 19 % (Voc ~ 700 mV; Jsc ~ 38 mA/cm2; FF 70 %; Công suất đỉnh: 0.019 W). Việt Nam hóa công nghệ chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si. Nghiên cứu mô phỏng trong tối ưu hóa điều kiện chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có lớp dẫn lỗ trống mặt sau. Đồng thời nghiên cứu chế tạo và khảo sát lớp đệm silic vô định hình pha tạp hydro [a-Si:H(i)], chế tạo màng dẫn điện tử,màng dẫn điện trong suốt (TCO) và điện cực ngón tay bằng phương pháp in lụa.
Thành phố Hồ Chí Minh
TPHCM-2024-010
