HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO
Các nhiệm vụ khác
- Lập sơ đồ phát triển và phân bố lâm nghiệp công nghiệp rừng giai đoạn 1986-2000
- ứng dụng tiến bộ khoa học công nghệ phát triển chăn nuôi gia cầm bền vững tại huyện Kim Bôi tỉnh Hòa Bình
- Phân lập xác định cấu trúc và thử hoạt tính gây độc tế bào ung thư của các hợp chất tự nhiên từ cây Ngâu Biên Hòa (Aglaia hoaensis) và Nhãn mọi (Walsura cochinchinensis)
- Nghiên cứu hiệu quả kinh tế của việc triển khai áp dụng các kỹ thuật tiến bộ và các biện pháp kinh tế-xã hội nhằm phát triển sản xuất cây lương thực và cây thực phẩm ở nước ta
- Quản lý mức vốn khả dụng của các công ty chứng khoán hoạt động tại Việt Nam
- Phát triển khoa học và công nghệ tỉnh Hậu Giang đến năm 2020 tầm nhìn đến năm 2030
- Nghiên cứu mối quan hệ giữa nhà nước thị trường và xã hội trong quản lý phát triển xã hội ở Việt Nam
- Nghiên cứu đề xuất giải pháp sử dụng biện pháp phòng vệ thương mại để bảo vệ ngành sợi trong quá trình hội nhập quốc tế
- Nghiên cứu đề xuất giải pháp nâng cao hiệu quả hoạt động giám sát của Hội đồng nhân dân cấp xã tại tỉnh Hải Dương
- Nghiên cứu Thử nghiệm các giải pháp kỹ thuật chăn nuôi đà điểu trên địa bàn tỉnh Vĩnh Phúc
liên kết website
Lượt truy cập
Lượt truy cập :
30,253,407
- Kết quả thực hiện nhiệm vụ
2025-1828
Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
Tỉnh/ Thành phố
Đào Vĩnh Ái
TS. Nguyễn Thị Kiều Phương, TS. Diệp Đình Phong, ThS. Nguyễn Duy Khôi(1), ThS. Nguyễn Văn Toàn, ThS. Nguyễn Lê Vân Thanh(2), PGS.TS. Đinh Văn Phúc, ThS. Trần Bạch Như Ý, ThS. Trần Thị Khánh Chi, ThS. Dương Bích Ngọc, ThS. Trịnh Thanh Thủy, ThS. Hồ Văn Bình(3)
Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng
09/2022
12/2024
2024
TP Hồ Chí Minh
184 tr.
Nghiên cứu, chế tạo tế bào pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có màng dẫn lỗ trống mặt sau (rear emitter a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell) hiệu suất 19 % (Voc ~ 700 mV; Jsc ~ 38 mA/cm2; FF 70 %; Công suất đỉnh: 0.019 W). Việt Nam hóa công nghệ chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si. Nghiên cứu mô phỏng trong tối ưu hóa điều kiện chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có lớp dẫn lỗ trống mặt sau. Đồng thời nghiên cứu chế tạo và khảo sát lớp đệm silic vô định hình pha tạp hydro [a-Si:H(i)], chế tạo màng dẫn điện tử,màng dẫn điện trong suốt (TCO) và điện cực ngón tay bằng phương pháp in lụa.
Thành phố Hồ Chí Minh
TPHCM-2024-010
In ấn
Gửi Email
Facebook
Twitter
Google+