HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
Các nhiệm vụ khác
- Nghiên cứu xây dựng qui trình tổng thể giải pháp đảm bảo an toàn an ninh thông tin ứng dụng cho hội nghị truyền hình (video-conferencing) - Nghiên cứu khảo sát tình hình triển khai dịch vụ hội nghị truyền hình trên thế giới và ở Việt Nam - Xây dựng quy
- Nghiên cứu xu hướng biến động nồng độ Ôzôn trong không khí tại một số khu vực của Việt Nam và đề xuất phương án lồng ghép vào mạng lưới quan trắc môi trường quốc gia
- Xây dựng mô hình trình diễn giống lúa chất lượng cao T10 theo VietGAP tại huyện Bình Giang tỉnh Hải Dương
- Mở rộng mô hình trồng khảo nghiệm giống nho Cự Phong và Tảo Hồng Trung Quốc tại Lạng Sơn
- Nghiên cứu quy trình chế tạo chế phẩm sinh học từ chủng Chaetomium globosum để phòng trừ bệnh chết nhanh cây hồ tiêu
- Một số điểm mới về lý luận và một số vấn đề đặt ra trong văn kiện đại hội đại biểu toàn quốc lần thứ XII của Đảng
- Nghiên cứu công nghệ chiết tách một số chế phẩm thiên nhiên có giá trị kinh tế cao bằng CO2 lỏng ở trạng thái siêu tới hạn
- Phần: Tổng quan về cấp phối đá dăm (tài liệu tham khảo)
- Biên niên sự kiện lịch sử Mặt trận dân tộc Thống nhất Việt Nam (dự thảo) Tập 1 (1930-1954)
- Nghiên cứu một số giải pháp phát triển giáo dục mầm non ở vùng khó khăn
liên kết website
Lượt truy cập
Lượt truy cập :
26,775,640
- Kết quả thực hiện nhiệm vụ
2025-1828
Nghiên cứu chế tạo pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si
Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.Hồ Chí Minh
UBND TP. Hồ Chí Minh
Tỉnh/ Thành phố
Đào Vĩnh Ái
TS. Nguyễn Thị Kiều Phương, TS. Diệp Đình Phong, ThS. Nguyễn Duy Khôi(1), ThS. Nguyễn Văn Toàn, ThS. Nguyễn Lê Vân Thanh(2), PGS.TS. Đinh Văn Phúc, ThS. Trần Bạch Như Ý, ThS. Trần Thị Khánh Chi, ThS. Dương Bích Ngọc, ThS. Trịnh Thanh Thủy, ThS. Hồ Văn Bình(3)
Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng
09/2022
12/2024
2024
TP Hồ Chí Minh
184 tr.
Nghiên cứu, chế tạo tế bào pin năng lượng mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có màng dẫn lỗ trống mặt sau (rear emitter a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell) hiệu suất 19 % (Voc ~ 700 mV; Jsc ~ 38 mA/cm2; FF 70 %; Công suất đỉnh: 0.019 W). Việt Nam hóa công nghệ chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si. Nghiên cứu mô phỏng trong tối ưu hóa điều kiện chế tạo pin mặt trời dị thể a-Si:H/c-Si có lớp dẫn lỗ trống mặt sau. Đồng thời nghiên cứu chế tạo và khảo sát lớp đệm silic vô định hình pha tạp hydro [a-Si:H(i)], chế tạo màng dẫn điện tử,màng dẫn điện trong suốt (TCO) và điện cực ngón tay bằng phương pháp in lụa.
Thành phố Hồ Chí Minh
TPHCM-2024-010
In ấn
Gửi Email
Facebook
Twitter
Google+