Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  19,042,274
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2015.49

2019-52-1260/KQNC

Nghiên cứu chế tạo vật liệu dẫn điện tử ETM và dẫn lỗ trống HTM mới giúp cải thiện hiệu năng và giá thành pin mặt trời Perovskite

Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST)

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

TS. Lưu Thị Nhạn, PGS.TS. Phan Huy Hoàng, ThS. Mẫn Hoài Nam, ThS. Lương Văn Đương, KS. Lê Quốc Tuấn

Điện hóa

01/05/2016

01/05/2019

2019

Hà Nội

44 tr.

Cải tiến cấu trúc pin mặt trời đã sử dụng vật liệu nano TiO2 cấu trúc cầu rỗng, giải pháp này nhằm tăng khả năng hấp thụ ánh sáng của lớp nhạy quang và nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin sử dụng các vật liệu nano mới. Nghiên cứu sử dụng vật liệu nano carbon, polyaniline, polypyrrole thay thế cho các vật liệu đắt tiền như spiro-ometad, Au nhằm giảm giá thành chế tạo pin mặt trời dang màng mỏng dựa trên vật liệu perovskite. Phương pháp chế tạo pin như gạt phủ, in phun, nhúng phủ ở nhiệt độ và áp suất phòng được nghiên cứu sử dụng thay thế cho các phương pháp đòi hỏi thiết bị đắt tiền và quy mô phòng thí nghiệm như quay phủ, bốc bay ở chân không cao…

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

16820