BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  25,646,182
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.99-2016.32

2019-52-1233/KQNC

Nghiên cứu ảnh hưởng của cấu trúc chất điện li đến đặc trưng của pin mặt trời cấu trúc Schottky đảo: FTO/chất điện li/chấm lượng tử PbS/Au-Ag

Trường Đại học Sư phạm Hà Nội 2

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

TS. Mai Xuân Dũng(1)

PGS.TS. Dương Ngọc Huyền, PGS.TS. Lê Đình Trọng, ThS. Hoàng Quang Bắc, TS. Nguyễn Trọng Tùng, ThS. Nguyễn Xuân Bách, ThS. Mai Văn Tuấn

Kỹ thuật năng lượng và nhiên liệu không phải dầu khí

01/04/2017

01/10/2019

2019

Vĩnh Phúc

29 tr. + phụ lục

Tổng hợp chấm lượng tử PbS có kích thước hạt đồng đều, tương đối bền với môi trường điều kiện phòng. Biến tính bề mặt FTO (flourine-doped tin oxide) với một số chất điện li hữu cơ có mạch cacbon liên hợp như Poly[(9,9-bis(3’-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7- fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)] (PFN: cas# 673474-74-3), bán oxit hay ZnO nhiệt độ thấp. Nghiên cứu hình thái cấu trúc của lớp điện li bằng trên đế FTO bằng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM), đo công thoát của đế FTO trước và sau khi phủ chất điện li bằng phương pháp Kelvin Probe. Chế tạo các pin mặt trời cấu trúc Schottky đảo: FTO/chất điện li/lớp PbS loại p/Au-Ag với các chất điện li khác nhau. Chế tạo các pin mặt trời sử dụng lớp ZnO nhiệt độ thấp FTO/Low-T ZnO/lớp PbS loại p/MoOx/Au-Ag. Đặc trưng cấu trúc, đường đặc trưng volt-ampere và hiệu suất quang điện tử ngoại EQE (external quantum efficiency) của pin. Xây dựng mối quan hệ giữa cấu trúc lớp điện li trên bề mặt FTO đến đặc trưng của pin thu được. Xác định được chất điện li tối ưu cho pin Schottky đảo.

Nghiên cứu, Cấu trúc, Chất điện li, Pin mặt trời, Schottky đảo, FTO, Chấm lượng tử, PbS/Au-Ag

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

16793