BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  24,433,224
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

2018-53-138

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Đại học Quốc gia Hà Nội

Bộ

TS. Nguyễn Trần Thuật(1)

PGS.TS. Nguyễn Hoàng Hải, TS. Hoàng Chí Hiếu(2), ThS. Nguyễn Minh Hiếu

Kỹ thuật điện và điện tử

04/2014

04/2016

2016

Hà Nội

29 + Phụ lục

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng trong suốt dẫn điện pha tạp n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Nghiên cứu quy trình phún xạ tối ưu chế tạo màng ZnO:A1 từ bia AZO; Ủ nhiệt và đánh giá đặc trưng dẫn điện và truyền sáng và các thông số quang học cùa màng ZnO:Al. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ: Dùng phương pháp đồng phún xạ trên hai bia Cu2O và Fe2O3; Ủ nhiệt các mẫu để tạo màng delafossite CuFeO2; Đánh giá cấu trúc tinh thể, tính truyền sáng và tính dẫn điện của màng delafossite thu được. Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời mặt tiếp giáp dị thể giữa vật liệu dẫn loại phún xạ delafossite CuFe02và vật liệu dẫn điện trong suốt loại n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Áp dụng quy trình chế tạo màng mỏng tối ưu để chế tạo các màng đa lớp CuFeO2/ZnO:Al trên đế kính cùng với chế tạo điện cực tạo thành pin; Đánh giá đặc tính dẫn điện, bề dầy và các hằng số quang học của pin mặt trời mối nối dị thể dựa trên màng delafossite CuFe02 thu được.

Pin năng lượng mặt trời, Phương pháp phún xạ, Chế tạo, Ứng dụng, Màng delafossite CuFeO2

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

14668