Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Chỉ số đề mục

Lĩnh vực nghiên cứu

2 - Khoa học kỹ thuật và công nghệ

Dạng tài liệu

BB

Tác giả

Nguyễn Văn Sỹ⁽¹⁾

Nhan đề

Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Nhan đề tiếng anh

Development of a scintillation probe using a CsI(Tl) crystal coupled to a silicon photomultiplier array (SiPM)

Nguồn trích

Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam - A

Năm xuất bản

2023

Số

4A

Trang

40

ISSN

Từ khóa

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng.

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

File toàn văn

Xem toàn văn