Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu.

Chỉ số đề mục

Lĩnh vực nghiên cứu

Dạng tài liệu

Tác giả

PV, Nguyễn Trương Thanh Hiếu⁽¹⁾

Nhan đề

Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu.

Nhan đề tiếng anh

Nguồn trích

Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Năm xuất bản

2020

Số

5A

Trang

ISSN

Từ khóa

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

TS Nguyễn Trương Thanh Hiếu (Trường Đại học Tôn Đức Thắng) đã được trao Giải thưởng trẻ Giải thưởng Tạ Quang Bửu năm 2020 với công trình“Low-energy electron inelastic mean free path in materials” (Quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp trong vật liệu), đăng trên Tạp chí Applied Physics Letters (Vol 108, p.172901, 2016). Công trình này đã đề xuất một phương pháp tổng quát để xác định quãng đường tự do trung bình của điện tử năng lượng thấp, có thể áp dụng cho nhiều loại vật liệu khác nhau, từ vật liệu khối có cấu trúc chu kỳ cho đến vật liệu vô định hình, và cả vật liệu hai chiều đang rất được quan tâm hiện nay.

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

File toàn văn

Xem toàn văn