Sự kìm hãm các điện tử trong MeV Au2+ cấy Si: Nghiên cứu tán xạ Raman

Chỉ số đề mục

Lĩnh vực nghiên cứu

Dạng tài liệu

Tác giả

, Lê Thị Tuyết Châm⁽¹⁾

Nhan đề

Sự kìm hãm các điện tử trong MeV Au2+ cấy Si: Nghiên cứu tán xạ Raman

Nhan đề tiếng anh

Confinement in Me V Auz+ implanted Si: a Raman scattering study

Nguồn trích

Nanoscience and Nanotechnology

Năm xuất bản

2014

Số

1

Trang

1-5

ISSN

2043-6262

Từ khóa

Sự kìm hãm các điện tử, MeV Au2+, Cấy ion Si, Nghiên cứu, Tán xạ Raman

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

Structural modifications in silicon matrix due to heavy ion (Au2+) implantation are studied using mainly Raman spectroscopy and x-ray diffraction (XRD) method. Raman spectra show a red-shift in their peak position along with line-width broadening with respect to increase in implantation fluence. This is explained taking both phonon confinement and stress into account. Heavy ion implantation introduces tensile stress in the silicon matrix. The amount of stress produced as a function of fluence has been calculated. A proposed model explaining the Raman shift and peak broadening is discussed in detail. XRD results also go in-line with the above analysis.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CLt 740

File toàn văn

Xem toàn văn