Nghiên cứu lý thuyết hàm mật độ (DFT) đối với các đặc tính điện tử và cấu trúc của các lớp TiO2 khoáng chất anata pha N

Chỉ số đề mục

31.01

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá học

Dạng tài liệu

Tác giả

, Phạm Minh Tân⁽¹⁾

Nhan đề

Nghiên cứu lý thuyết hàm mật độ (DFT) đối với các đặc tính điện tử và cấu trúc của các lớp TiO2 khoáng chất anata pha N

Nhan đề tiếng anh

A DFT study on structural and electronic properties of N-doped anatase TiO2 layers

Nguồn trích

Tạp chí khoa học (Đại học Sư phạm Hà Nội)

Năm xuất bản

2014

Số

7

Trang

150-156

ISSN

0868-3179

Từ khóa

Nghiên cứu, Lý thuyết hàm mật độ (DFT), Đặc tính điện tử, Đặc tính cấu trúc, Các lớp TiO2, Khoáng chất anata, Pha N

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

In this research, the structural and electronic properties of N-doped anatase TiO2 layers were evaluated using the density functional theory (DFT). The results show that doping positions of N atoms cause different effects on the size and shape of unit cells of models. Calculated band structures of doped layers show the appearance of acceptor levels in the band-gaps and the decrease of band-gap values, corresponds to pure layer values. Density of states (DOS) and projected density of states (PDOS) of doped layers show that N 2p orbital play the key role in the appearance of acceptor levels in forbidden bands. Ti 3d and O 2p orbitals still play the most important roles in the DOS of N-doped TiO2 layers.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CVv 157

File toàn văn

Xem toàn văn