Thay đổi hiệu suất của bộ cộng hưởng AIN/3C-SiC SAW bằng phương pháp ủ nhiệt muộn

Chỉ số đề mục

31.19

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá học

Dạng tài liệu

Tác giả

, Nguyễn Thị Hiển⁽¹⁾

Nhan đề

Thay đổi hiệu suất của bộ cộng hưởng AIN/3C-SiC SAW bằng phương pháp ủ nhiệt muộn

Nhan đề tiếng anh

Changing performance of the AIN/3C-SiC SAW resonator by post annealing

Nguồn trích

Khoa học và Công nghệ các trường đại học kỹ thuật

Năm xuất bản

2014

Số

99

Trang

64-69

ISSN

0868-3980

Từ khóa

Thay đổi hiệu suất, Bộ cộng hưởng, AIN/3C-SiC SAW, Phương pháp ủ nhiệt muộn

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

In this study, the effects of a long post-deposition thermal annealing on the surface acoustic wave (SAW) properties of polycrystalline (poly) aluminum-nitride (AIN) thin films grown on a 3C-SiC/SiO2lSi structure were investigated. For the thin film annealed at 600°C for 4 h, the degree of (0002) orientation of the thin film improved due to the decrease in the full width at half maximum of the (0002) AIN rocking curve (0.028°). This led to an improvement in the electromechanical coupling coefficient of the SAW structure (0.019 percent). The average crystallite size of the thin film, annealed at 1000°C for 1 h, was smaller than that of the as-deposited film, which led to a substantial improvement in the insertion loss of these SAW structures (8.79 dB). The residual stresses in the films were hardly affected by the thermal annealing processes.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CTv 140

File toàn văn

Xem toàn văn