BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  22,666,853
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Vật lý nguyên tử, vật lý phân tử và vật lý hóa học

Nguyễn Thành Tiên(1), Lê Võ Phương Thuận, Đào Hoàng Chương, Võ Thị Ngọc Huyền

Tính chất điện tử của dãy nano penta-graphene biên răng cưa sai hỏng dạng khuyết

The electronic properties of defective sawtooth penta-graphene nanoribbons

Khoa học (Đại học Cần Thơ)

2021

5

70-77

1859-2333

Dãy nano penta-graphene, Nguyên lý ban đầu, Sai hỏng, Tính chất điện tử

Defect, Electronic properties, First principles, Pentagraphene nanoribbon

Trong bài viết này, tính chất điện tử của các dãy penta-graphene dạng răng cưa (SSPGNR) sai hỏng dạng khuyết (DSSPGNRs) được nghiên cứu bằng cách tính năng lượng liên kết, cấu trúc vùng điện tử và mật độ trạng thái bởi phương pháp nguyên lý ban đầu. Ba kiểu khuyết được khảo sát trong nghiên cứu này là khuyết đơn nguyên tử C1, C2 và khuyết đồng thời hai nguyên tử C2. Kết quả nghiên cứu cho thấy DSSPGNR có độ rộng vùng cấm giảm đáng kể so với mẫu không khuyết. Trong đó, DSSPGNRs khuyết đồng thời hai nguyên tử C2 có độ rộng vùng cấm giảm nhiều hơn so với DSSPGNRs khuyết đơn nguyên tử. Kết quả nghiên cứu này cung cấp thông tin quan trọng cho việc phát triển ứng dụng penta-graphene trong lĩnh vực vi điện tử.

In this paper, the electronic properties of defective Sawtooth PentaGraphene Nanoribbons (DSSPGNRs) were investigated by calculating the binding energy, band structure, and density of states from first principles method. The types of defects considered here are monovacancy at either 4-coordinated C1 site or 3-coordinated C2 site and 2C double vacancy. The results showed that DSSPGNR has a significantly reduced band gap compared to the original sample. In which, the band gap of double DSSPGNR is more reducer than the one of single DSSPGNR. These findings are expected to provide important guidelines for the practical applications of penta-graphene.

TTKHCNQG, CVv 403

Xem toàn văn
  • [1] Zhang, S., Zhou, J., Wang, Q., Chen, X., Kawazoe, Y., & Jena, P. (2015), Penta-graphene: A new carbon allotrope,Proceedings of the National Academy of Sciences, 112(8), 2372-2377
  • [2] Yu, Z. G., & Zhang, Y. W. (2015), A comparative density functional study on electrical properties of layered penta-graphene,Journal of Applied Physics, 118(16), 165706
  • [3] Wang, Z., Dong, F., Shen, B., Zhang, R. J., Zheng, Y. X., Chen, L. Y., & Su, W. S. (2016), Electronic and optical properties of novel carbon allotropes,Carbon, 101, 77-85
  • [4] Tien, N. T., Thao, P. T. B., Phuc, V. T., & Ahuja, R. (2019), Electronic and transport features of sawtooth penta-graphene nanoribbons via substitutional doping,Physica E: Lowdimensional Systems and Nanostructures, 114, 113572
  • [5] Perdew, J. P., Burke, K., & Ernzerhof, M. (1996), Generalized gradient approximation made simple,Physical review letters, 77(18), 3865
  • [6] Nguyễn Thành Tiên & Trần Yến Mi (2020), Nghiên cứu hiện tượng hấp phụ phân tử khí trên dãy nano Penta-graphene dạng răng cưa,Tạp chí khoa học Trường Đại học Cần Thơ, 56(2), 21-29
  • [7] Neto, A. C., Guinea, F., Peres, N. M., Novoselov, K. S., & Geim, A. K. (2009), The electronic properties of graphene,Reviews of modern physics, 81(1), 109
  • [8] Lima, K. A. L., Júnior, M. L. P., Monteiro, F. F., Roncaratti, L. F., & Júnior, L. A. R. (2021), O2 adsorption on defective Penta-Graphene lattices: A DFT study,Chemical Physics Letters, 763, 138229
  • [9] Kohn, W., & Sham, L. J. (1965), Self-consistent equations including exchange and correlation effects,Physical review, 140(4A), A1133
  • [10] Hirata, M., Gotou, T., Horiuchi, S., Fujiwara, M., & Ohba, M. (2004), Thin-film particles of graphite oxide 1: High-yield synthesis and flexibility of the particles,Carbon, 42(14), 2929-2937
  • [11] Han, T., Wang, X., Zhang, X., Scarpa, F., & Tang, C. (2021), Mechanics of penta-graphene with vacancy defects under large amplitude tensile and shear loading,Nanotechnology, 32(27), 275706
  • [12] Banhart, F., Kotakoski, J., & Krasheninnikov, A. V. (2011), Structural defects in graphene,ACS nano, 5(1), 26-41
  • [13] Bolotin, K. I., Sikes, K. J., Jiang, Z., Klima, M., Fudenberg, G., Hone, J., ... & Stormer, H. L. (2008), Ultrahigh electron mobility in suspended graphene,Solid state communications, 146(9- 10), 351-355
  • [14] Berger, C., Song, Z., Li, T., Li, X., Ogbazghi, A. Y., Feng, R., ... & De Heer, W. A. (2004), Ultrathin epitaxial graphite: 2D electron gas properties and a route toward graphene-based nanoelectronics,The Journal of Physical Chemistry B, 108(52), 19912-19916