Lắng đọng hóa học trong bình nông của các lớp đệm ZnS cho các thiết bị pin mặt trời trong môi trường ôn hòa

Chỉ số đề mục

31.19

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá học

Dạng tài liệu

Tác giả

, Phạm Đình Tùng⁽¹⁾

Nhan đề

Lắng đọng hóa học trong bình nông của các lớp đệm ZnS cho các thiết bị pin mặt trời trong môi trường ôn hòa

Nhan đề tiếng anh

Shallow chemical bath deposition of ZnS buffer layer for environmentally benign solar cell devices

Nguồn trích

Nanoscience and Nanotechnology

Năm xuất bản

2014

Số

2

Trang

1-5

ISSN

2043-6262

Từ khóa

Lắng đọng hóa học, Bình lắng đọng nông, Lớp đệm ZnS, Thiết bị pin mặt trời, Môi trường ôn hòa

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

Zinc sulfide (ZnS) thin film was grown by a shallow chemical bath deposition (SCBD) technique. In this technique a highly conducting hot plate was used to heat the substrate, while higher thermal gradient was achieved by a shallow bath of the ZnS solution. Consequently, homogeneous nucleation is reduced and quality of ZnS thin films can be improved by shaking. The main advantage of this technique over a traditional one is that the use of solution can be reduced greatly, which is crucial for cost reduction in practice. The effects of shaking on growth kinetics and film properties were investigated by characterizing the as-grown ZnS thin films by x-ray diffraction, transmittance and scanning electron microscopy (SEM).

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CLt 740

File toàn văn

Xem toàn văn