Màng mỏng graphene: Sự hình thành trực tiếp từ vật liệu đế nền SiC thương mại

Chỉ số đề mục

81

Lĩnh vực nghiên cứu

Kỹ thuật vật liệu và luyện kim

Dạng tài liệu

Tác giả

Đặng Quốc Tuấn, Trương Hữu Lý, Nguyễn Thanh Phương, Trần Duy Hoài, Nguyễn Thị Hồng Thắm, Nguyễn Văn Dũng, Trần Thụy Tuyết Mai⁽¹⁾

Nhan đề

Màng mỏng graphene: Sự hình thành trực tiếp từ vật liệu đế nền SiC thương mại

Nhan đề tiếng anh

Epitaxial graphene grown on silicon carbide by using the sublimation process and investigation of gaseous No2 sensitivity

Nguồn trích

Tạp chí Công thương

Năm xuất bản

2022

Số

20

Trang

338-344

ISSN

0866-7756

Từ khóa

Màng mỏng, Graphene, SiC wafer, 4H-SiC, Graphen/4H-SiC

Từ khóa tiếng anh

Graphene, SiC wafer, 4H-SiC, Graphen/4H-SiC, Sublimation process

Tóm tắt

Vật liệu màng mỏng graphene trên đế nền SiC đã được chế tạo khi áp dụng phương pháp nhiệt thăng hoa trên nền vật liệu SiC thương mại. Phương pháp kính hiển vi điện tử quét SEM và phân tích thành phần nguyên tố trên bề mặt vật liệu bằng đầu dò EDX ghi nhận sự hiện diện đáng kể của vật liệu carbon khi sử dụng dòng điện cường độ 45 mA cho quá trình thăng hoa Si. Cụ thể, tỷ số mol n_C/n_Si là vào khoảng ~ 2.8 trên mẫu 145; giá trị này cao gấp 2.5 lần so với giá trị ~ 1.1 của tỷ số n_C/n_Si được ghi nhận đế nền SiC thương mại. Kết quả phân tích Raman trên mẫu 145 ghi nhận sự xuất hiện các dao động đặc trưng của G band và 2D band lần lượt tại 1583 và 2700 cm^-1 với tỷ số cường độ I_2D/I_G là ~ 0.72 phản ánh có khoảng 4 lớp màng mỏng graphene đã phát triển từ vật liệu thương mại SiC.

Tóm tắt tiếng anh

Few-layer graphene is grown on commercial SiC by using the sublimation process under the alternation of applied electric current. Scanning electron microscope (SEM) and surface element analysis from EDX detector present the major existence of carbon under applying 45 mA of electric current for the sublimation. The molar ratio of carbon and silicon elements (n_C/n_Si) for the synthesized-145 sample is about 2.8, 2.5 times higher than that of commercial SiC. Raman shift spectrum show that there are two typical bands at 1583 and 2700 cm1 assigned for the G mode and 2D mode vibrations, respectively. The achieved intensity ratio of 2D and G bands is - 0.72 revealing about 4 graphene layers developed from the commercial Sic.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CVv 146

File toàn văn

Xem toàn văn