Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  22,604,614
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

29

Vật lý nguyên tử, vật lý phân tử và vật lý hóa học

Hà Thanh Tùng, Huỳnh Vĩnh Phúc(1), Lê Thị Ngọc Tú

Ảnh hưởng của phương pháp chế tạo lên hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử

Influence of preparation methods on the performance efficiency of quantum dot sensitized solar cell

Khoa học (Đại học Đồng Tháp)

2022

2

39-44

0866-7675

Trong nghiên cứu này, chúng tôi chế tạo màng a nốt quang TiO2/CdS/CdSe:Mn2+ với CdSe:Mn2+ được chế tạo theo hai phương pháp lắng đọng hóa học và phản ứng hấp thụ các ion nhằm cải thiện hiệu suất của pin mặt trời chấm lượng tử. Kết quả thu được màng TiO2 có cấu trúc Anatase, CdS và CdSe pha tạp Mn đều có cấu trúc lập phương. Dạng hình học của màng cũng được ghi lại bằng kính hiển vi điện tử quét độ phân giải cao, hạt có dạng hình cầu. Kết quả hiệu suất thu được từ đường cong mật độ dòng và thế đối với TiO2/CdS/CdSe:Mn2+-CBD là 4,9% cao hơn so với 3,77% của TiO2/CdS/CdSe:Mn2+-SILAR. Hơn nữa, tính chất quang học, đường cong mật độ dòng và thế, điện trở động học của các pin mặt trời cũng được xác định chi tiết nhằm giải thích kết quả trên.    

 

In this study, we have prepared TiO2/CdS/CdSe:Mn2+ with CdSe:Mn2+ photoanode using chemical bath deposition and successive ionic layer adsorption and reaction methods to improve the performance efficiency of quantum dot sensitized solar cell. As a result, TiO2 thin film has an Anatase structure, both CdS and CdSe doped Mn have the zinc blende. The morphologies of photoanode, as a sphere, were recorded by scanning electron microscopy. The current density - Voltaic curves show that the performance efficiency for TiO2/CdS/CdSe:Mn2+- chemical bath deposition is 4.9%, which is higher than that of TiO2/CdS/CdSe:Mn2+- successive ionic layer adsorption and reaction (3.77%). Moreover, optical properties, current density - Voltaic curves, dynamic resistances Rct1 and Rct2 were determined and explained details.    

 

TTKHCNQG, CVv 392