BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  33,231,624
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

20313 - Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng

Đào Anh Tuấn, Phan Thị Kiều Loan(2), Nguyên Hữu Kế, Lê Vũ Tuấn Hùng(1)

Ảnh hưởng của thời gian selen hóa lên tính chất quang, điện và cấu trúc tinh thể của màng mỏng CZTSSe

Phát triển Khoa học và Công nghệ: Khoa học Tự nhiên (ĐHQG TP. Hồ Chí Minh)

2021

1

1015-1023

2588-106X

Cấu trúc tinh thể, Selen hóa, Kesterite CZTSSe, Phổ UV-Vis

Trong công trình này, chúng tôi trình bày quy trình chế tạo lớp hấp thụ quang CZTSSe có cấu trúc tinh thể cao. Trước tiên CZTS được chế tạo bằng phương pháp quay phủ sau đó màng được chuyển đổi thành CZTSSe thông qua quá trình selen hóa bằng hộp than chì và lò nung ống. Bằng cách giữ cho nhiệt độ ủ không đổi và thay đổi thời gian ủ, các đặc tính cấu trúc, quang học, điện và thành phần của màng mỏng CZTSSe được khảo sát. Nhiễu xạ tia X và quang phổ Raman cho thấy những màng mỏng này thể hiện độ kết tinh cao và định hướng ưu tiên mạnh mẽ theo hướng (112), xác nhận sự hiện diện của pha Kesterite CZT Se. Độ rộng vùng cấm quang của màng mỏng CZTSSe, thay đổi từ 1,19 eV đến 1,62 eV, tùy thuộc vào thời gian selen hóa. Ở thời điểm ủ nhiệt 540oC với thời gian ủ nhiệt 60 phút, màng CZTSSe loại p có năng lượng vùng cấm quang là 1,19 eV, nồng độ lỗ trống và điện trở suất lần lượt là, 2,68 x 1019cm-3 và 0,86 (Ω.cm) phù hợp cho ứng dụng quang điện.

TTKHCNQG, CTv 149

Xem toàn văn