Cấu trúc và đặc tính quang điện tử của màng mỏng indium sulfide được điều chế bằng phương pháp nhiệt phân phun siêu âm (USP)

Chỉ số đề mục

31.19

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá học

Dạng tài liệu

Tác giả

Nhan đề

Cấu trúc và đặc tính quang điện tử của màng mỏng indium sulfide được điều chế bằng phương pháp nhiệt phân phun siêu âm (USP)

Nhan đề tiếng anh

Structure and optoelectronical properties of indium sulfide thin films prepared by ultrasonic spray pyrolysis (USP)

Nguồn trích

Khoa học và Công nghệ các trường đại học kỹ thuật

Năm xuất bản

2014

Số

99

Trang

51-53

ISSN

0868-3980

Từ khóa

Cấu trúc, Đặc tính quang điện tử, Màng mỏng indium sulfide, Điều chế, Phương pháp nhiệt phân phun siêu âm (USP)

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

Indium (III) chloride and thiourea were used as the precursor solution to prepare indium sulfide (In2S3) thin films using Ultrasonic spray pyrolysis technique. The deposition temperature (Ts) was set within the range of 320°C to 440°C. The effect of post-thermal on the structure and optical properties of thin films at difference Tp was studied. These thin films were characterized using several techniques, where the X-ray diffraction was used to investigate the crystal structure. The EDS studies point out that the deposited thin films are stoichiometric of In2S3 at TSub=380°C. The UV-VIS spectrophotometer was ,used to study optical properties. The optical results show that the maximum transmittance of thin films is about 80 percent at Tsub = 440°C and the band gap ranges from 2.35 to 2.56 eV within the setting range of Tsub. Hence, these thin films can be used to produce the buffer layer for thin films solar cells or photo voltaic heterojunction devices.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CTv 140

File toàn văn

Xem toàn văn