Tăng khả năng phát hiện loạn sản vỏ não khu trú kín đáo với protocol MRI HARNESS trên MRI 3 Tesla: Ca lâm sàng

Chỉ số đề mục

76

Lĩnh vực nghiên cứu

Thần kinh học lâm sàng

Dạng tài liệu

Tác giả

Huỳnh Thị Như Ý, Huỳnh Đăng Lộc, Đoàn Văn Anh Vũ, Trương Minh Thương⁽¹⁾, Hoàng Tiến Trọng Nghĩa⁽²⁾

Nhan đề

Tăng khả năng phát hiện loạn sản vỏ não khu trú kín đáo với protocol MRI HARNESS trên MRI 3 Tesla: Ca lâm sàng

Nhan đề tiếng anh

Nguồn trích

Thần kinh học

Năm xuất bản

2023

Số

37

Trang

20-24

ISSN

2354-0931

Từ khóa

Loạn sản vỏ não khu trú, Dị tật phát triển vỏ não

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Bất thường phát triển vỏ não là loại mô bệnh học thường gặp thứ ba, được tìm thấy ở 19,8% mẫu mô được lấy từ phẫu thuật động kinh. Trong số đó, loạn sản vỏ não khu trú (FCD) là dị tật phát triển vỏ não phổ biến nhất, chiếm 70,6% trường hợp. Theo hệ thống phân loại của Liên đoàn chống động kinh quốc tế (LĐCĐKQT), FCD được chia thành ba týp từ I đến III. Một bản cập nhật của phân loại FCD được để xuất với việc bổ sung các dị tật nhẹ về phát triển vỏ não (mMCDs), tăng sản thần kinh đệm ít nhánh (MOGHE) và “không có FCD xác định trên mô bệnh học” là các phân loại mới 2. Động kinh gây ra bởi FCD thường dẫn đến kháng thuốc và phẫu thuật có thể đạt kết quả tốt. Tuy nhiên, những bất thường trên MRI thường khó phát hiện và không thay đổi trong thời gian dài nên dễ bị bỏ sót. MRI với các chuỗi xung chuyên biệt và công cụ xử lý hình ảnh có thể giúp phát hiện tổn thương FCD tốt hơn. Trong báo cáo này, chúng tôi trình bày một trường hợp lâm sàng động kinh có tổn thương loạn sản vỏ não khu trú được phát hiện bằng protocol HARNESS trên máy MRI 3 Tesla (3T).

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CVv 425

File toàn văn

Xem toàn văn