Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  19,696,042
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Vật lý nguyên tử, vật lý phân tử và vật lý hóa học

Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm(1)

Giản đồ pha trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng khi dải tạp được lấp đầy do mất trật tự chéo

Magnetic phase diagram in filled impurity band diluted magnetic semiconductor due to diagonal disorder

Tạp chí khoa học và công nghệ - Trường Đại Duy Tân

2021

49

40-46

Sự cạnh tranh các trạng thái trật tự từ do ảnh hưởng của mất trật tự trong hệ bán dẫn từ pha loãng với dải tạp lấp đầy được khảo sát. Với gần đúng trường trung bình động, hàm Green của hạt tải trong mô hình mạng Kondo khi có mất trật tự chéo được xác định. Hàm cảm ứng spin tĩnh tiếp tục được khảo sát cho phép ta nghiên cứu bức tranh thăng giáng từ trong hệ. Tính chất của hàm cảm ứng cho ta được giản đồ pha mô tả các trạng thái trật tự từ khi nhiệt độ thấp. Giản đồ pha cho ta thấy, khi dải tạp lấp đầy hoàn toàn, hệ có thể tồn tại ở trạng thái sắt từ hoặc phản sắt từ tùy vào mức độ mất trật tự trong hệ. Bản chất cạnh tranh của các trạng thái trật tự từ do ảnh hưởng của thế mất trật tự vì vậy được thảo luận một cách chi tiết.

The competition of the magnetic stabilities under the influence of a disorder in a diluted magnetic semiconductor is addressed. In the framework of the dynamical mean field theory, the Green function of carriers described in the Kondo lattice model with the diagonal disorder is established. The static spin susceptibility function in the paramagnetic state is then examined and the low temperature magnetic diagram in the system is discussed. The phase diagrams show us that either ferromagnetic or antiferromagnetic stability might appear if an impurity band is completely filled, that depends on the disorder effect in the system. The nature of the magnetic competition in the influence of the disorder then is discussed in detail.

TTKHCNQG, CVv 416