BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  19,454,106
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Vật liệu điện tử

Trần Phương Nam, Lê Tiến Hà(1), Nguyễn Duy Cường, Dương Thanh Tùng

Chế tạo linh kiện nhạy quang vùng bước sóng uv bằng phương pháp dung dịch dựa trên tiếp xúc dị thể p-n từ các vật liệu TiO2, NiO và các-bon

Fabrication of uv photodetector based on p-n hecterojunction using tio2, nio and carbon materials

Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên

2021

11

307-316

1859-2171

Quay phủ dung dịch, NiO bán dẫn loại p, TiO2 bán dẫn loại n, Chuyển tiếp dị thể, Linh kiện nhạy quang (UV) tự cấp nguồn

All-solution process, NiO p-type semiconductor, TiO2 n-type semiconductor, Heterojunction, Self-powered photodetector

Trong nghiên cứu này, linh kiện nhạy quang vùng bước sóng UV nhờ vào hiệu ứng quang dẫn của một số chất bán dẫn vùng cấm rộng như titan đioxit (TiO2), niken oxit (NiO) được chế tạo bằng phương pháp quay phủ dung dịch. Từ đó, linh kiện được hoàn thành có cấu trúc từ dưới lên trên lần lượt là FTO/TiO2/NiO/Cac-bon. Nguồn sáng Led có bước sóng 365 nm đã được sử dụng trong phép đo độ nhạy và đặc tính Vôn-Ampe (I-V) của linh kiện. Các kết quả đo của linh kiện hoàn chỉnh như: độ nhạy (Responsivity) đạt đến R=17,5 (tại 0V) và R=250 (tại 0,5V); chỉ số phát hiện (Detectivity) cũng rất cao với D=1013 Jones; thời gian đáp ứng τr=0,35 s và thời gian suy giảm τf=0,3 s; điện áp hở mạch Voc=0,45 V. Khả năng hoạt động thực tế của linh kiện được kiểm chứng bằng cách mắc nối tiếp với một mô-tơ (1 V và 30 mA). Tất cả các kết quả đã thu được cho thấy linh kiện mà nhóm chế tạo có độ nhạy cao có khả năng hoạt động tự cấp nguồn và quan trọng nhất là có tính ứng dụng cao trong nhiều lĩnh vực đời sống.

In this study, UV detector device based on the photoconductive effect of some wide bandgap semiconductors such as titanium dioxide (TiO2), nickel oxide (NiO) are fabricated by all solution process. The final device has a bottom-up structure of FTO/TiO2/NiO/Carbon, respectively. The 365 nm LED light source has been irradiated for the sensitivity and the Volt-Ampere (I-V) characteristic of the device. The measurement parameter such as: Responsivity (R) = 17.5 (at 0V) and R=250 (at 0.5V); The detection index is also very high with D = 1013 Jones; response time τr = 0.35 s and decay time τf=0.3 s; open circuit voltage Voc = 0.45 V. Actual performance of the device is verified by connecting a motor in series (1 V and 30 mA). All the obtained results show that the highly sensitive components produced by the team are capable of self-powered operation and most importantly, have high applicability in many areas of life.

TTKHCNQG, CTv 178

Xem toàn văn