BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  23,916,279
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

BB

Nguyễn Thị Kim Chung, Lê Thị Tươi, Dương Thị Ánh Tuyết, Hoàng Sỹ Minh Tuấn, Huỳnh Anh Tuấn, Bùi Trung Hiếu, Ngô Hoàng Long, Đoàn Văn Thuần, Trần Quang Trung, Phạm Hoài Phương(1)

KHẢO SÁT TỈ LỆ ÔXY TÁC ĐỘNG ĐẾN SỰ CHUYỂN PHA CẤU TRÚC VÀ CÁC TÍNH CHẤTMÀNG LOẠI p-SnOX:Na ĐƯỢC CHẾ TẠO BỞI PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG MAGNETRON DC

Tạp chí Khoa học - Trường Đại học Sư phạm TP Hồ Chí Minh

2023

7

1131

Màng bán dẫn loại p-SnOx:Na được chế tạo bằng phương phún xạ phản ứng magnetron DC với bia hợp kim gồm thiếc và 3 at% natri với khí phản ứng ôxy. Tỉ lệ phần trăm khí riêng phần ôxy (O2) thay đổi từ 7%, 12 %, 20 % và 45% và nhiệt độ đế (Ts) không đổi (2000C) trong suốt quá trình phún xạ. Khi tỉ lệ ôxy thay đổi từ 7% đến 45% thì có sự chuyển pha cấu trúc màng SnOx:Na từ đa tinh thể SnO, đến vô định hình SnO, Sn3O4, SnO2 và đa tinh thể SnO2. Các đặc trưng của màng SnOx:Na được đánh giá thông qua phổ UV-Vis, giản đồ nhiễu xạ tia X (XRD), hiệu ứng Hall. Màng SnOx:Na loại p được ứng dụng vào chế tạo photodiode với cấu trúc n-i-p (FTO/n-nc-Si:H/a-Si:H/p-SnO/Cu), có tỉ số Ion/Ioff = 56.

Xem toàn văn