Ni tơ rát hóa nhiệt bậc nguyên tử của nhóm IV các chất bán dẫn tích hợp trên quy mô siêu lớn

Chỉ số đề mục

31.19

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá học

Dạng tài liệu

Tác giả

, Trần Thị Minh Hạnh⁽¹⁾

Nhan đề

Ni tơ rát hóa nhiệt bậc nguyên tử của nhóm IV các chất bán dẫn tích hợp trên quy mô siêu lớn

Nhan đề tiếng anh

Atomic-order thermal nitridation of group IV semiconductors for ultra-large-scale integration

Nguồn trích

Nanoscience and nanotechnology

Năm xuất bản

2015

Số

1

Trang

1-5

ISSN

2043-6262

Từ khóa

Ni tơ rát hóa nhiệt, Bậc nguyên tử, Nhóm IV, Các chất bán dẫn tích hợp, Quy mô siêu lớn

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

One of the main requirements for ultta-Iarge-scale integration (ULSI) is atomic-order control of process technology. the concept of atomically controlled processing for group IV semiconductors is based on atomic-order surface reaction control in Si-based CVD epitaxial growth. On the atomic-order surface nitridation of a few om-thick Ge/about 4 nm-thick Sio.5Geo.s/Si(100) by NH3, it is found that N atoms diffuse through nm-order thick Ge layer into Sio.sGeo.s/Si(100) substrate and form Si nitride, even at 500°C. By subsequent H2 heat treatment, although N atomic amount in Ge layer is reduced drastically, the reduction of the Si nitride is slight. It is suggested that N diffusion in Ge layer is suppressed by the formation of Si nitride and that Ge/atomic-order N layerISii_xGe)Si (100) heterostructure is formed. These results demonstrate the capability of CVD technology for atomically controlled nitridation of group IV semiconductors for ultta-large-scale integration.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CLt 740

File toàn văn

Xem toàn văn