Thời gian tán xạ và thời gian hồi phục trong giếng lượng tử GaAs

Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Chỉ số đề mục

47.09

Lĩnh vực nghiên cứu

Kỹ thuật điện và điện tử

Dạng tài liệu

Tác giả

Đỗ Mười, Trịnh Thị Trang Nhung⁽¹⁾

Nhan đề

Thời gian tán xạ và thời gian hồi phục trong giếng lượng tử GaAs

Nhan đề tiếng anh

Nguồn trích

Khoa học và Công nghệ (Đại học Phạm Văn Đồng)

Năm xuất bản

2014

Số

5

Trang

30-33

ISSN

0866-7659

Từ khóa

Hệ khí điện tử hai chiều, Thời gian tán xạ, Thời gian hồi phục, Giếng lượng tử GaAs

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, 0866-7659

File toàn văn

Xem toàn văn