BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  23,876,803
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Kỹ thuật điện và điện tử

Trương Ngọc Sơn(1)

Giảm ảnh hưởng của điện trở dây trong mảng vi điện trở nhớ sử dụng mạch khuếch đại vi sai

Reducng the effect of wire resistance in memristor crossbar array using differential amplifier circuits

Tạp chí Khoa học và Công n ghệ (Đại học Đà Nẵng)

2020

5.1

33-37

1859-1531

Vi điện trở nhớ, Điện trở dây, Mạng nơ-ron nhân tạo, Nhận dạng giọng nói

Memristor, Wire resistance, Artificial neural network, Speech recognition

Trong bài viết này, tác giả phân tích ảnh hưởng của điện trở dây đến điện áp ngõ ra của mảng của mảng vi điện trở nhớ, từ đó áp dụng mạch khuếch đại vi sai để triệt tiêu điện áp biến thiên do điện trở dây gây ra. Từ kết quả phân tích và mô phỏng cho thấy, điện áp biến thiên tỷ lệ thuận với chiều dài dây kim loại, đồng thời 2 cột kế nhau có điện áp biến thiên gần bằng nhau. Từ đó, có thể áp dụng một mạch khuếch đại vi sai tại ngõ ra của 2 cột liên tiếp để loại bỏ điện áp biến thiên do rơi áp trên điện trở dây. Sử dụng mạch khuếch đại vi sai giúp cho ngõ ra loại bỏ được điện áp biến thiên, duy trì được tỷ lệ nhận dạng ở mức 97%. Trong khi đó, tỷ lệ nhận dạng của mạch giảm xuống còn 76% trong trường hợp không sử dụng mạch khuếch đại vi sai. Sử dụng mạch khuếch đại vi sai có khả năng làm giảm đáng kể ảnh hưởng của điện trở dây trong mảng vi điện trở nhớ.

Memristor crossbar array is promising for realizing artificial neural networks. Wire resistance in crossbar array is one of the factors that degrade the performance of memristor crossbar circuit. In this article, we analyze the effect of wire resistance on the output voltage of crossbar array and add the differential amplifier circuits to the crossbar array to mitigate the voltage variation caused by wire resistance. In memristor crossbar array, the voltage variation caused by wire resistance is proportional to the length of metal line. In addition, two adjacent columns have the same voltage variation. Under these observations, a differential amplifier circuit is used to compensate the voltage variation of two adjacent columns. When wire resistance is 2.5Ω, the recognition rate is as low as 76%. However, if the differential amplifier circuits are added to the crossbar circuits, the recognition of the crossbar circuit is as high as 97%. Adding the differential amplifier circuit to memristor crossbar circuit can mitigate the impact of wire resistance in memristor crossbar circuit significantly

TTKHCNQG, CVv 465

Xem toàn văn