BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  19,454,106
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Kỹ thuật điện và điện tử

Nguyễn Thị Hậu, Lê Tiến Hà(2), Đỗ Thị Hồng Hải(1)

Ảnh hưởng của độ linh động của điện tử lên trạng thái điện môi exciton trong các hợp chất đất hiếm chalcogenide

Influence of the electronic mobility on the excitonic insulator state in rare-earth chalcogenides

Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên

2021

16

149-156

1859-2171

Mô hình Falicov-Kimball mở rộng, Gần đúng Hartree-Fock, Điện môi exciton, Đất hiếm chalcogenide, Hàm cảm ứng exciton

The extended Falicov–Kimball model, Hartree-Fock approximation, Excitonic insulator, The rare-earth chalcogenide, Excitonic susceptibility

Ảnh hưởng của độ linh động điện tử lên trạng thái điện môi exciton trong các hợp chất đất hiếm chalcogenide được chúng tôi khảo sát thông qua mô hình Falicov–Kimball mở rộng. Bằng việc áp dụng gần đúng Hartree-Fock để tính toán giải tích, chúng tôi thu được hệ phương trình tự hợp xác định hàm cảm ứng exciton thông qua các tham số của mô hình. Từ các kết quả đó, chúng tôi đã thiết lập chương trình tính số để khảo sát sự phụ thuộc của hàm cảm ứng exciton tĩnh vào nhiệt độ và áp suất ngoài khi thay đổi tích phân nhảy nút tf của điện tử f. Các kết quả khẳng định vai trò của mức độ linh động của điện tử f trong việc hình thành trạng thái điện môi exciton trong các hợp chất đất hiếm chalcogenide ở nhiệt độ đủ thấp và áp suất ngoài đủ lớn.

The influence of the electronic mobility on the excitonic insulator state in the rare-earth chalcogenides was investigated through the extended Falicov–Kimball model. By applying the Hartree-Fock approximation, we have obtained a set of self-consistent equations determining expectation values and the excitonic susceptibility function in the model. We have considered the effect of the electronic mobility on the excitonic insulator state via analyzing the excitonic susceptibility function. The results confirm the role of the f-electron mobility in the formation of the excitonic insulator state in rare-earth chalcogenides at sufficiently low temperature when the external pressure is large enough.

TTKHCNQG, CTv 178

Xem toàn văn