Sự tăng trưởng ghép của các điểm lượng tử Ge1-xMnx ở nhiệt độ Curie cao trên Si(100) bằng tự ghép nối

Chỉ số đề mục

29.29

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật lý

Dạng tài liệu

Tác giả

, Trần Hoài Linh⁽¹⁾

Nhan đề

Sự tăng trưởng ghép của các điểm lượng tử Ge1-xMnx ở nhiệt độ Curie cao trên Si(100) bằng tự ghép nối

Nhan đề tiếng anh

Epitaxial growth of high Curie-temperature Ge1-xMnx quantum dots on Si(001) by self-assembly

Nguồn trích

Communications in Physics

Năm xuất bản

2014

Số

1

Trang

69-77

ISSN

0868-3166

Từ khóa

Sự tăng trưởng ghép, Các điểm lượng tử, Ge1-xMnx, Nhiệt độ Curie, Si(100), Sự tự ghép nối

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

The authors report on successful growth of epitaxial high Curie-temperature Ge1-xMnx quantum dots on Si (001) substrates using the self-assembled approach. By decreasing the growth temperature down to 400°C, the authors show that the Mn diffusion into the Si substrate can be neglected. No indication of secondary phases or clusters was observed. Ge1-xMnx quantum dots were found to be epitaxial and perfectly coherent to the Si substrate. the authors also evidence that the ferromagnetic ordering in Ge1-xMnx quantum dots persists up to a temperature higher 320 K. It is believed that single-crystalline quantum dots exhibiting a high Curie temperature are potential candidates for the realization of nanoscale spintronic devices.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CLv 2393

File toàn văn

Xem toàn văn