BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  20,409,018
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Nguyễn Hồng Ngọc , Lê Nguyễn Bảo Thư , Phan Bách Thắng(1)

Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ lên tính chất nhiệt điện của màng mỏng ZnO pha tạp Ga

Effects of the thermal annealing on the thermoelectric properties of Ga-doped ZnO thin films

Tạp chí Phát triển Khoa học & Công nghệ: Chuyên san Khoa học Tự nhiên

2018

4

Màng ZnO pha tạp Ga (GZO) chế tạo bằng phương pháp phún xạ Dc magnetron, tiếp theo được ủ nhiệt trong không khí tại 400 và 500oC trong 5 giờ. Khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ ủ lên cấu trúc tinh thể và tính chất nhiệt điện của màng mỏng GZO cho thấy qúa trình ủ nhiệt đã có tác dụng tích cực lên tính chất nhiệt điện của màng (1) Hệ số công suất nhiệt điện tăng do độ dẫn điện tăng nhờ độ linh động tăng khi màng GZO được tái kết tinh ở nhiệt độ cao; (2) Hệ số chuyển đổi nhiệt điện ZT của màng được ủ ở 500oC tăng 1 bậc (ZT = 0,114) so với màng chưa ủ nhiệt (ZT = 0,012). Kết quả khảo sát phổ quang phát quang cho thấy sự cải thiện về tính chất nhiệt điện có liên quan đến sự hình thành các loại khuyết tật trong quá trình phún xạ cũng như quá trình ủ nhiệt, trong đó khuyết tật VO và Zni chiếm ưu thế.

We deposited successfully Ga-doped ZnO (GZO) thin films by using magnetron Dc-sputtering technique, followed by annealing. The effects of the thermal annealing on thermoelectric properties of GZO films were investigated. The obtained results showed that due to annealing, the thermoelectric properties of the GZO films were significantly enhanced (1) power factor increased with an increase of electron mobility due to high film crystallinity; (2) The figure of merit ZT values of the GZO film annealed at 500 oC (ZT = 0.114) was one order higher the asdeposited GZO film (ZT = 0.012). The room temperature photoluminescence (PL) spectra depicted various kinds of point defects which controlled thermoelectric properties and both oxygen vacancies VO and zinc interstitial Zni played an important role.

Xem toàn văn