Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Chỉ số đề mục

55

Lĩnh vực nghiên cứu

Chế tạo máy nói chung

Dạng tài liệu

Tác giả

Nguyễn Văn Sỹ⁽¹⁾

Nhan đề

Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)

Nhan đề tiếng anh

Nguồn trích

Khoa học & công nghệ Việt Nam

Năm xuất bản

2023

Số

04A

Trang

40-41

ISSN

1859-4794

Từ khóa

Đầu đo nhấp nháy, Tinh thể CsI(Tl), Mảng nhân quang silicon, Ghép nối

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Thông qua việc thực hiện đề tài nghiên cứu cấp bộ, các nhà khoa học thuộc Trung tâm Chiếu xạ Hà Nội đã thiết kế, chế tạo thành công đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM), góp phần phát triển các thiết bị ghi đo hạt nhân gọn, nhẹ và tiết kiệm năng lượng.

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CVv 8

File toàn văn

Xem toàn văn