BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  24,055,761
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Hoá lý

Nguyễn Thị Kim Quyên, Phạm Nguyễn Hữu Hạnh, Vũ Thanh Trà(1)

Tính chất điện tử của hexagonal chromium nitride

The electronic structure of hexagonal chromium nitride

Khoa học (Đại học Cần Thơ)

2021

6

64-73

1859-2333

Cấu trúc vùng năng lượng, Cấu trúc vênh, Chromium Nitride, Phương pháp gần đúng liên kết mạnh

Band structure, buckled structure, Chromium Nitride, tight binding model

Trong nghiên cứu này, phương pháp gần đúng liên kết mạnh (TB) được sử dụng để xây dựng mô hình Hamiltonian tính toán đặc trưng điện tử của hexagonal chromium nitride (h-CrN) cho cấu trúc phẳng và nhấp nhô. Từ kết quả tính toán thu được, đồng thời so sánh với kết quả tính toán từ mô hình tương tự theo phương pháp ab initio trên các cấu trúc khác nhau, bộ tham số cấu trúc cho các tương tác lân cận bậc một của các nguyên tử cấu thành vật liệu được xác định. Ngoài ra, kết quả cũng chỉ ra rằng ở trạng thái phẳng và nhấp nhô, h-CrN thể hiện tính chất kim loại của vật liệu mỏng dạng tổ ong. Tuy nhiên, cấu trúc điện tử vật liệu ở trạng thái nhấp nhô có nhiều thay đổi hơn so với cấu trúc phẳng, dự đoán những thay đổi thú vị về tính chất điện của vật liệu dưới tác động của kích thích bên ngoài cũng như khả năng ứng dụng vào công nghệ spintronic trong tương lai.

In this study, the Hamiltonian model was built by using the tight binding (TB) calculation that computes the electronic properties of hexagonal chromium nitride (h-CrN) for planar and buckled structures. Based on the results obtained and by comparison with the other results from the similar model such as the ab initio method on different structures and identified the structural parameters for the nearest neighborhood interactions of the atoms. In addition, this paper also shows that the h-CrN exhibits metallicity of thin honeycomb materials in flat and buckled states. However, the electronic structure of the material in the buckled state has changed more pronounced than the one in planar structure, which predicts interesting variations of the electronic distributions and its properties under the influence of external stimuli as well as the applicability to future spintronic technology.

TTKHCNQG, CVv 403

Xem toàn văn
  • [1] Zheng, F., Zhang, C. (2012), The electronic and magnetic properties of functionalized silicene: a first-principles study,Nanoscale Research Letters, 7(1), Article 422, 1-5 http://doi.org/10.1186/1556-276X-7-422
  • [2] Zhang. J., Zhao, B., Xue, Y., Zhou T., & Yang, J. (2018), Coupling effect of topological states and Chern insulators in two-dimensional triangular lattices,Physical Review B, 97(12), Article 125403, 1-11. http://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.125430
  • [3] Takeda, K. & Shiraishi, K. (1994), Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite,Physical Review B, 50(20), 14916-14922. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.14916
  • [4] Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Zhang, Y., Dubonos, S. V., Grigorieva, I. V., & Firsov, A. A. (2004), Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films,Science, 306(5696), 666-669. http://doi.org/10.1126/science.1102896
  • [5] Novoselov, K. S., Fal′ko, V. I., Colombo, L., Gellert, P. R., Schwab, M. G., & Kim, K. (2012), A roadmap for graphene,Nature, 490(7419), 192- 200. http://doi.org/10.1038/nature11458
  • [6] Neto, A. H. C., Guinea, F., Peres, N. M. R., Novoselov, K. S., & Geim, A. K. (2009), The electronic properties of graphene,Reviews of Modern Physics, 81(1), 109-162. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.81.109
  • [7] Luo, W., Xu, K., & Xiang, H. (2017), Twodimensional hyperferroelectric metals: A different route to ferromagnetic-ferroelectric multiferroics,Physical Review B, 96(23), Article 235415, 1-7. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.235415
  • [8] Kuklin, A. V., Kuzubov, A. A., Kovaleva, E. A., Mikhaleva N. S., Tomilin F. N., Lee, H., & Avramov, P.V. (2016), Two-Dimensional Hexagonal CrN with Promising Magnetic and Optical Properties: A Theoretical Prediction,Nanoscale, 9(2), 621-630. https://doi.org/10.1039/C6NR07790K
  • [9] Konschuh, S., Gmitra, M., & Fabian, J. (2010), Tight-binding theory of the spin-orbit coupling in graphene,Physical Review B, 82(24), Article 245412, 1-11. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.245412
  • [10] Guzmán-Verri, G. G. & Voon, L. C. L. Y. (2007), Electronic structure of silicon-based nanostructures,Physical Review B, 76(7), Article 075131, 1-10. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.075131
  • [11] Ali, M., Pi, X., Liu, Y., & Yang, D. (2017), Electronic and magnetic properties of graphene, silicone and germanene with varying vacancy concentration,AIP Advances, 7(4), Article 045308, 1-11. http://doi.org/10.1063/1.4980836