Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  23,502,607
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Vật lý nguyên tử, vật lý phân tử và vật lý hóa học

Nguyễn Quang Học(1), Nguyễn Đức Hiền, Nguyễn Ngọc Lê, Vũ Thùy Linh, Phạm Huyền Trang, Lê Hồng Việt

Nghiên cứu sự khuếch tán của nguyên tử xen kẽ trong hợp kim xen kẽ ausi với cấu trúc lập phương tâm diện

Study on the diffusion of interstitial atom in interstitial alloy AuSi with FCC structure

Khoa học (Đại học Sư phạm Hà Nội)

2021

1

30-41

2354-1075

Bài báo rút ra biểu thức giải tích của hệ số khuếch tán của nguyên từ xen kẽ phụ thuộc vào độ biến dạng và áp suất đối với hợp kim xen kẽ AB với cấu trúc lập phương tâm diện (LPTD) bằng phương pháp thống kê mômen trên cơ sở kết quả nghiên cứu trước đây đối với kim loại và chất bán dẫn. Kết quả lí thuyết được áp dụng cho hợp kim AuSi. Các kết quả tính số của chúng tôi nghiệm đúng định luật Arrhenius

The paper derives analytic expressions of the diffusion coefficient depending on strain and pressure for the interstitial alloy AB with FCC structure by the statistical moment method based on previous studies for metals and semiconductors. Theoretical results are applied to alloy AuSi. Our numerical results satisfy the Arrhenius law

TTKHCNQG, CVv 157

  • [1] R. J. Good and C. J. Hope, 1970. (), The Journal of Chemical Physics,,Vol. 53, No. 2, pp. 540-543.
  • [2] M. N. Magomedov, (2006), The calculation of the parameters of the Mie-Lennard-Jones potential,,High Temperature, Vol. 44, No. 4, pp. 513-529.
  • [3] M. N. Magomedov, (1987), On calculating the Debye temperature and the Gruneisen parameter,,Zhurnal Fizicheskoi Khimii, Vol. 61, No. 4, pp.1003-1009 (in Russian).
  • [4] R. N. Jeffery and D. Lazarus, (1970), Calculating activation volumes and activation energies f-rom diffusion measurements.,Journal of Applied. Physics, Vol. 41, pp. 3186-3187.
  • [5] N. T. Hoa, N. Q. Hoc, G. Coman, T. D. Cuong and L. H. Viet, (2019), Thermodynamic property of FCC interstitial alloy with defects.,Proc.of the 8th International Conference on Material Science and Engineering (UGALMAT 2018), 11 – 13 October, 2018, “Dunarea de Jos” University of Galati, Romania, IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Vol.485, article ID 012018.
  • [6] J. Johansson and S. Toxvaerd, (2004), Ad atom diffusion on strained (111) surfaces: A molecular dynamics study.,Physical Review B, Vol. 69, No. 23, p. 233401.
  • [7] V. V. Hung, D. D. Thanh and N. T. Hoa, (2007), Effect of Stress on Defect Diffusion in Metals.,HNUE Journal of Science No. 1, pp. 13-18.
  • [8] M. J. Aziz, (1998), Pressure and stress effects on diffusion in Si.,Defect and diffusion Forum, Vol. 153-155, pp. 1-10.
  • [9] N.Q.Hoc, P.T.T.Loan, N.T.Viet and N.N.Le, (2020), The diffusion in FCC binary interstitial alloy.,HNUE Journal of Science, Natural Sciences, Vol. 65, Issue 10, pp. 18-23.
  • [10] N.Q.Học, N.Đ.Hiền và N.H.Nhung, (2020), Nghiên cứu lí thuyết khuếch tán của hợp kim thay thế AB xen kẽ nguyên tử C với cấu trúc LPTK.,HNUE Journal of Science, Natural Sciences, Vol. 65, Issue 3, pp. 31-38.
  • [11] N.Q.Học, Đ.Q.Vinh, L.H.Việt và N.V.Phương, (2016), Nghiên cứu lí thuyết khuếch tán của hợp kim xen kẽ AB với cấu trúc lập phương tâm khối.,Journal of Science of HNUE, Natural Sciens, Vol. 61, Issue 4, pp. 3-9.
  • [12] N.Q.Hoc, B.D.Tinh, D.Q.Vinh and L.H.Viet, (2016), Diffusion of interstitial atoms in interstitial alloys FeSi and FeH with BCC structure under pressure.,The Metropolitan University’s Journal of Science, Natural Science and Technology, No. 8, pp. 48-56.
  • [13] V. V. Hung, H. V. Tich and K. Masuda-Jindo, (2000), Study of self-diffusion in metals by statistical moment method: Anharmonic effects.,Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 69, No. 8. pp. 2691-2699.
  • [14] S.A. Rice, (1958), Dynamical theory of diffusion in crystals.,Physical Review, Vol. 112, pp. 804-811.
  • [15] O.P. Manley and S.A. Rice, (1960), Dynamical theory of diffusion in crystals.,Physical Review, Vol. 117, No. 3, p. 632.
  • [16] J. H. Cleveland, (1951), Atom movements,,Ed. Hollonom
  • [17] A. Yu. Kuznetsov, J.Cardenas, D.C.Schmidt, B.G.Svenson, J. L. Hansen and A. N. Larsen, (1999), Sb-enhanced diffusion in strained Si1-xGex: Dependence on biaxial compression.,Physical Review B, Vol. 59, No.11, pp. 7274-7277.
  • [18] V.Cherepanov V. and B. Voigtlander, (2004), Influence of material, surface reconstruction and strain on diffusion at the Ge (111) surface.,Physical Review B, Vol.69, p. 1253311-1253318.
  • [19] M.J. Aziz, (1997), Thermodynamics of diffusion under pressure and stress: Relation to point defect mechanisms.,Applied Physics Letters, Vol. 70, No. 21, pp. 2810-2812.