Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.42145

Hoàng Đức Quang

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh

Lĩnh vực nghiên cứu:

  • Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
  • Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia
[1]

SnSb monolayer: A promising 2D candidate for high sensitivity NO gas sensing

Tuan V. Vu, Thi H. Ho, Duc-Quang Hoang, Hoang Van Chi, Khang D. Pham
Mater. Sci. Semicond. Process. 190 (2025) 109318 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[2]

Charge transition levels and stability of Ni- and Ir-doped β-Ga2O3: a comprehensive hybrid functional study

Quoc Duy Ho, K. Dien Vo, Nguyen Thanh Tien, Huynh Anh Huy, Duc-Quang Hoang and Duy Khanh Nguyen
RSC Adv. 15 (2025) 5889 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[3]

Magnetic domain walls moving in curved permalloy nanowires under continuous and pulsed fields

D. Q. Hoang, X. H. Cao, H. T. Nguyen, V. A. Dao
Commun. Phys. 31 (2021) 289 DOI: 10.15625/0868-3166/15768 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[4]

Moving magnetic bits in curved nanowires with Lorentz electron microscope

Duc-Quang Hoang, Xuan-Huu Cao, Vinh-Ai Dao
https://icisequynhon.com/conferences/2024/vwm2024/index.html - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[5]

Exploring electron magnetic resonance shape spectra of defected 4H/6H-SiC semiconductor materials

Duc-Quang Hoang, Xuan-Huu Cao, Vinh-Ai Dao
https://functionalmaterials.org/afm2024/ - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[6]

Ageing Ni(OH)2 on 3C-SiC photoanodes to achieve a high photovoltage of 1.1 V and outstanding stability for solar water splitting in strongly alkaline solution

Y. Qu, V. Jokubavicius, D. Q. Hoang, X. Liu, M. Fahlman, I. G. Ivanov, R. Yakimova, J.-W. Sun
ACS Appl. Mater. Interfaces 16 (2024) 50926 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[7]

Evolution of photoluminescence and optically detected magnetic resonance spectra of divacancy defects in 4H-SiC from cryogenic to room temperatures

Danial Shafizadeh, Duc Quang Hoang, Igor A. Abrikosov, Nguyen T. Son and Ivan G. Ivanov
The 2024 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2024), USA, Sept. 29 - Oct. 04, 2024. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[8]

Identification of negatively charged tungsten in 4H-SiC

N. T. Son, O. Bulancea-Lindvall, D. Shafizadeh, W. Stenlund, D. Q. Hoang, V. Ivády, I. A. Abrikosov, and I. G. Ivanov
Defects in solids for quantum technologies (DSQT2024), Hungary, Jun. 10 - 14, 2024. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[9]

A highly sensitivity and reusability of the Fe-doped SnSe monolayers adsorbed SO2 gas molecules: a promising absorbent for gas-sensing devices

D.-Q. Hoang, T. V. Vu, D. K. Pham
International Symposium on Information Technology Convergence (ISITC-2023), South Korea: Jan. 17 - 18, 2023. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[10]

On the origin of epitaxial rhombohedral-B4C growth by CVD on 4H-SiC

S. Sharma, L. Souqui, J. Palisaitis, I. G. Ivanov, D. Q. Hoang, P. O. Å. Persson, H. Högberg, H. Pedersen,
Dalton Trans. 53 (2024) 10730 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[11]

Creation of Transverse Domain Walls in Permalloy Nanowires using Lorentz Transmission Electron Microscopy: Progress, Opportunities, and Challenges

D. Q. Hoang, Q. T. Nguyen and X. H. Cao
J. Korean Phys. Soc. 83 (2023) 1-24 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[12]

Growth mechanisms of hBN crystalline nanostructures with rf sputtering deposition: challenges, opportunities, and future perspectives

D. Q. Hoang, N. H. Vu, Q. T. Nguyen, T. D. Hoang, X. H. Cao and D. K. Pham
Phys. Scr. 98 (2023) 042001R - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[13]

Fe-doped SnSe monolayer: A promising 2D material for reusable SO2 gas sensor with high sensitivity

K. D. Pham, X. H. Cao, T. D. Hoang, T. Q. Nguyen, D. Q. Hoang
J. Alloys. Compd. 940 (2023) 168919 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[14]

Growing hexagonal boron nitride films on various substrate materials using RF sputtering

Duc-Quang Hoang, Khang Dinh Pham, Do-Minh Hoat and Vinh-Ai Dao
The 8th International Conference on Microelectronics and Plasma Technology & The 9th International Symposium on Functional Materials – The 8th ICMAP & The 8th ISFM, Korea, January 17-21, 2021 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[15]

Đo đạc và ứng dụng trong khoa học – kỹ thuật FIB-SEM và TEM

Hoàng Đức Quang
Lớp học Vật lý Kỹ thuật và Ứng dụng (SAEP-2021), Hà Nội, 12-13/11/2021 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[16]

Hexagonal boron nitride nanowalls grown on Si, CVD diamond and Au/Cr bilayer substrates

Duc-Quang Hoang, Ngoc-Hai Vu, Xuan-Huu Cao, Thanh-Dung Hoang, Minh-Hoat Do, Dinh-Khang Pham
The 7th International Conference on Applied and Engineering Physics (CAEP-7), Hanoi, November 14-17, 2021 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[17]

Growing hexagonal boron nitride nanowalls on Si(100), diamond and Au/Cr substrates with RF sputtering

Duc-Quang Hoang, Ngoc-Hai Vu, Thanh-Dung Hoang, Dinh Khang Pham
Vietnam-Taiwan Joint Symposium Applied Science and Emergent Two-Dimensional Materials (ASEM2022) - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[18]

Tuning the electronic and optical properties of the GeS monolayer with biaxial strain

Duc-Quang Hoang, Thanh-Dung Hoang and Khang D. Pham
International Workshop 2022 Layered III-VI-related Semiconductors: Modeling, Experiment Synthesis, and Applications (IWLS-2022), Jun. 30 - Jul. 1, 2022. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[19]

Exploration of new equiatomic quaternary Heusler compounds for spintronic applications

Hoang Duc Quang, J. Guerrero‐Sanchez, R. Ponce‐Pérez, J. F. Rivas‐Silva, Gregorio H Cocoletzi, D. M. Hoat
The 47th Vietnam Conference on Theoretical Physics (VCTP-47), Tuy Hoa, August 1-4, 2022 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[20]

Tính chất bề mặt của vật liệu BN sáu cạnh bốc bay trên đế Si(100), kim cương và tổ hợp kim loại chuyển tiếp Au/Cr

Hoàng Thanh Dung, Vũ Ngọc Hải, Cao Xuân Hữu, Đỗ Minh Hoạt, Phạm Đình Khang, Hoàng Đức Quang
Tuyển tập báo cáo Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu Toàn quốc lần thứ 12 (2022) - Kỷ yếu hội nghị SPMS2021 - Trường Đại học Cần Thơ. NXB BKHN (13-15/08/2022) - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[21]

Exploring the sensing ability of B- and Si dope dWS2 monolayer toward CO and NO gas

D. K. Nguyen, D. Q. Hoang and D. M. Hoat
Int. J. Quantum. Chem. 123 (2022) e26916 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[22]

Exploring a silicene monolayer as a promising sensor platform to detect and capture NO and CO gas

D. K. Nguyen, D. Q. Hoang and D. M. Hoat
RSC Adv. 12 (2022) 9828 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[23]

Effects of electric field and biaxial strain on the (NO2, NO, O2, and SO2) gas adsorption properties of Sc2CO2 monolayer

K. D. Pham, P. C. Dinh, D. V. Diep, T. V. Vu, H. L. Luong, D. Q. Hoang, O. Y. Khyzhun, H. V. Ngoc
Superlattice Microsst. 161 (2022) 107135 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[24]

Developing feature-rich electronic and magnetic properties in the β-As monolayer for spintronic and optoelectronic applications by C and Si doping: A first-principles study

D. M. Hoat, D. K. Nguyen, A. Bafekry, V. V. On, B. U. Haq, D. Q. Hoang, G. H. Cocoletzi, J. F. Rivas-Silva
Surf. Interfaces 27 (2021) 101534 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[25]

Effects of the Gas Molecules (H2, CO, NO) and Transition Metal Atoms (Cr, Au) Adsorbed on Hexagonal Boron Nitride Layers

D. Q. Hoang, D. K. Pham, T. V. Vu, T. D. Hoang, D. M. Hoat, V. A. Dao
J. Phys. Soc. Jpn. 90 (2021) 114601 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[26]

First principles analysis of the half metallic ferromagnetism, elastic and thermodynamic properties of equiatomic quaternary Heusler compound CoCrRhSi

D. M. Hoat, D. Q. Hoang, N. T. T. Binh, M. Naseri, J. F. Rivas-Silva, A. I. Kartamyshev, G. H. Cocoletzi
Mater. Chem. Phys. 257 (2021) 123695 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[27]

New equiatomic quaternary Heusler compounds without transition metals KCaBX (X = S and Se): Robust half-metallicity and optical properties

D. M. Hoat, D. Q. Hoang, M. Naseri, R. Ponce-Pérez, N. T. T. Binh, J. F. Rivas-Silva, G. H. Cocoletzi
J. Mol. Graph. Model. 100 (2020) 107642 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[28]

Computational prediction of the spin-polarized semiconductor equiatomic quaternary Heusler compound MnVZrP as a spin-filter

D. M. Hoat, D. Q. Hoang, M. Naseri, J. F. Rivas-Silva, A. I. Kartamyshev, G. H. Cocoletzi
RSC Adv. 10 (2020) 25609 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[29]

Negative imaginary component of AC magnetic susceptibility, metastable states, and magnetic relaxation in La0.6Sr0.35MnTi0.05O3

A. N. Ulyanov, D. Q. Hoang, N. N. Kuznetsova, S. C. Yu
Funct. Mater. Lett. 13 (2020) 2050023 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[30]

The characteristics of defective ZrS2 monolayers adsorbed various gases on S vacancies: A first-principles study

H. T. T. Nguyen, D. Q. Hoang, T. P. Dao, C. V. Nguyen, H. V. Phuc, N. N. Hieu, D. M. Hoat, H. L. Luong, H. D. Tong, K. D. Pham, T. V. Vu
Superlattice Microsst. 140 (2020) 106454 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[1]

Dịch chuyển của vách domain từ trong các bẫy hợp kim Ni80Fe20 có cấu trúc nano

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/09/2019 - 01/09/2021; vai trò: Chủ nhiệm nhiệm vụ
[2]

Nghiên cứu chất bán dẫn có vùng cấm rộng cho thế hệ thiết bị lượng tử tiếp theo

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Linköping - Thụy Điển
Thời gian thực hiện: 14/10/2022 - 30/10/2024; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu
[3]

Nghiên cứu một số vật liệu sắt từ cho các ứng dụng điện tử

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Qũy Phát triển khoa học & Công nghệ Quốc gia
Thời gian thực hiện: 31/03/2020 - 31/03/2022; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu
[4]

Dịch chuyển của vách domain từ trong các bẫy hợp kim Ni80Fe20 có cấu trúc nano

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Qũy Phát triển khoa học & Công nghệ Quốc gia
Thời gian thực hiện: 05/09/2019 - 05/09/2021; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[5]

Ứng dụng cấu trúc nano 2D của vật liệu boron nitride lục giác để làm sạch nước

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Đề tài nghiên cứu đặc biệt của BOF-Bỉ
Thời gian thực hiện: 01/01/2019 - 31/03/2019; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu
[6]

Nghiên cứu chất bán dẫn có vùng cấm rộng cho thế hệ thiết bị lượng tử tiếp theo

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Linköping - Thụy Điển
Thời gian thực hiện: 14/10/2022 - 30/10/2024; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu
[7]

Nghiên cứu một số vật liệu sắt từ cho các ứng dụng điện tử

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Qũy Phát triển khoa học & Công nghệ Quốc gia
Thời gian thực hiện: 31/03/2020 - 31/03/2022; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu
[8]

Ứng dụng cấu trúc nano 2D của vật liệu boron nitride lục giác để làm sạch nước

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Đề tài nghiên cứu đặc biệt của BOF-Bỉ
Thời gian thực hiện: 01/01/2019 - 31/03/2019; vai trò: Thành viên nhóm nghiên cứu