Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.1492112

TS Nguyễn Thị Hân

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Hưng Yên

Lĩnh vực nghiên cứu:

Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia

[1]	STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF 2D Ge/ GaTe HETEROSTRUCTURE: DFT INVESTIGATIONS Nguyen Thi Han, Dam Nhan Ba, Hoang Van Han HỘI THẢO KHOA HỌC QUỐC GIA KHOA HỌC TỰ NHIÊN VÀ ỨNG DỤNG TRONG THỜI ĐẠI SỐ (Lần thứ 2), NHÀ XUẤT BẢN KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT, 301-307 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[2]	Correlation between Orbital Hybridizations, Phonon Spectra, and Thermal Properties of Graphene, Germanene, and Plumbene Dien, V. K., Thi Han, N., Bang-Li, W., Lin, K. I., & Lin, M. F physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 17(5), 2200469. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[3]	Electronic and optical properties of CH3NH3SnI3 and CH(NH2)2SnI3 perovskite solar Cell Han, N. T., Dien, V. K., & Lin, M. F physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 17(7), 2300020. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[4]	Tuning of the Electronic and Optical Properties of Monolayer GaSe Via Strain Dien, V. K., Han, N. T., Bang‐Li, W., Lin, K. I., & Lin, M. F Advanced Theory and Simulations, 6(7), 2200950. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[5]	Theoretical investigations of the electronic and optical properties of a GaGeTe monolayer Han, N. T., Dien, V. K., Chang, T. R., & Lin, M. F RSC advances, 13(28), 19464-19476 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[6]	Optical excitations of graphene-like materials: group III-nitrides Han, N. T., Dien, V. K., Chang, T. R., & Lin, M. F Nanoscale Adv., 2023,5, 5077-50 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[7]	Strain-controlled electronic transport and exciton radiative lifetime in monolayer germanium sulfide Khuong Dien, V., Thi Bich Thao, P., Thi Han, N., Duy Khanh, N., Phuong Thuan, L. V., Lin, M. F., & Thanh Tien, N Physical Review B, 108(20), 205406. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[8]	Direct correlation between electronic and optical properties of the XC monolayers (X= Si, Ge, and Sn) from first-principles calculations Han, N. T., Le Manh, T., & Dien, V. K Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 159, 115925. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[9]	First-principles calculations into electronic, and excitonic effects of CH3NH3PbX3 (X = Br, I) perovskite solar cells Han, N. T., Le Manh, T., & Dien, V. K Physica B: Condensed Matter, 682, 415915 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[10]	Symmetry-driven valleytronics in the single-layer tin chalcogenides SnS and SnSe Thanh Tien, N., Thi Bich Thao, P., Thi Han, N., & Khuong Dien, V Physical Review B, 109(15), 155416. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[11]	Electronic, magnetic, and optical properties of Np and Pu decorated armchair graphene nanoribbons: a DFT study Han, N. T., Vo, K. D., Le Manh, T., Le, O. K., & Van, D. T Nanoscale Advances, 6(15), 3878-3886. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[12]	Structural, electronic, and phonon properties of Gallium Sulfide (GaS) Han, N. T., Thuy, N. T., & Ba, D. N Solid State Communications, 2024, 394: 115683. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[13]	Pnictogen Atom Substitution to Modify the Electronic and Magnetic Properties of SiS2 SiS2 Monolayer: A DFT Study Nguyen Thi Han, J. Guerrero-Sanchez, D. M. Hoat Advanced Theory and Simulations, 8(2), 2400900. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[14]	Electronic and magnetic properties of HfO2 monolayer engineered by doping with transition metals and nonmetal atoms towards spintronic applications Han, N. T., Guerrero-Sanchez, J., & Hoat, D. M. Nanoscale Advances, 7(1), 320-328. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[15]	Band structure and magnetism engineering of InSe monolayers through doping with IVA- and VA-group atoms: role of impurities Han, N. T., Guerrero-Sanchez, J., & Hoat, D. M. Nanoscale Adv., 2025,7, 1443-1451 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[16]	Computational investigations of the electronic, magnetic, and optical properties of the Cu-/Fe-transition metals adsorbed on Ge monolayer Han, N. T., Le, O. K., Ba, D. N., Hue, D. T., Anh, D. P., & Dien, V. K. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 172, 116258. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[17]	Band structure and magnetism engineering of InSe monolayers through doping with IVA- and VA-group atoms: role of impurities Han, N. T., Guerrero-Sanchez, J., & Hoat, D. M. Nanoscale Adv., 2025,7, 1443-1451 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN: 2516-0230
[18]	Computational investigations of the electronic, magnetic, and optical properties of the Cu-/Fe-transition metals adsorbed on Ge monolayer Han, N. T., Le, O. K., Ba, D. N., Hue, D. T., Anh, D. P., & Dien, V. K. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 172, 116258. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN: 1386-9477
[19]	Correlation between Orbital Hybridizations, Phonon Spectra, and Thermal Properties of Graphene, Germanene, and Plumbene Dien, V. K., Thi Han, N., Bang-Li, W., Lin, K. I., & Lin, M. F physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 17(5), 2200469. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1862-6270
[20]	Direct correlation between electronic and optical properties of the XC monolayers (X= Si, Ge, and Sn) f-rom first-principles calculations Han, N. T., Le Manh, T., & Dien, V. K Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 159, 115925. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN: 1386-9477
[21]	Electronic and magnetic properties of HfO2 monolayer engineered by doping with transition metals and nonmetal atoms towards spintronic applications Han, N. T., Guerrero-Sanchez, J., & Hoat, D. M. Nanoscale Advances, 7(1), 320-328. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN: 2516-0230
[22]	Electronic and optical properties of CH3NH3SnI3 and CH(NH2)2SnI3 perovskite solar Cell Han, N. T., Dien, V. K., & Lin, M. F physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 17(7), 2300020. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1862-6270
[23]	Electronic, magnetic, and optical properties of Np and Pu decorated armchair graphene nanoribbons: a DFT study Han, N. T., Vo, K. D., Le Manh, T., Le, O. K., & Van, D. T Nanoscale Advances, 6(15), 3878-3886. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN: 2516-0230
[24]	First-principles calculations into electronic, and excitonic effects of CH3NH3PbX3 (X = Br, I) perovskite solar cells Han, N. T., Le Manh, T., & Dien, V. K Physica B: Condensed Matter, 682, 415915 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN: 0921-4526
[25]	Optical excitations of graphene-like materials: group III-nitrides Han, N. T., Dien, V. K., Chang, T. R., & Lin, M. F Nanoscale Adv., 2023,5, 5077-50 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2516-0230
[26]	Pnictogen Atom Substitution to Modify the Electronic and Magnetic Properties of SiS2 SiS2 Monolayer: A DFT Study Nguyen Thi Han, J. Guerrero-Sanchez, D. M. Hoat Advanced Theory and Simulations, 8(2), 2400900. - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN: 2513-0390
[27]	Strain-controlled electronic transport and exciton radiative lifetime in monolayer germanium sulfide Khuong Dien, V., Thi Bich Thao, P., Thi Han, N., Duy Khanh, N., Phuong Thuan, L. V., Lin, M. F., & Thanh Tien, N Physical Review B, 108(20), 205406. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2469-9969
[28]	STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF 2D Ge/ GaTe HETEROSTRUCTURE: DFT INVESTIGATIONS Nguyen Thi Han, Dam Nhan Ba, Hoang Van Han HỘI THẢO KHOA HỌC QUỐC GIA KHOA HỌC TỰ NHIÊN VÀ ỨNG DỤNG TRONG THỜI ĐẠI SỐ (Lần thứ 2), NHÀ XUẤT BẢN KHOA HỌC VÀ KỸ THUẬT, 301-307 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN: 978-604-67-3330-0
[29]	Structural, electronic, and phonon properties of Gallium Sulfide (GaS) Han, N. T., Thuy, N. T., & Ba, D. N Solid State Communications, 2024, 394: 115683. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN: 0038-1098
[30]	Symmetry-driven valleytronics in the single-layer tin chalcogenides SnS and SnSe Thanh Tien, N., Thi Bich Thao, P., Thi Han, N., & Khuong Dien, V Physical Review B, 109(15), 155416. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN: 2469-9969
[31]	Theoretical investigations of the electronic and optical properties of a GaGeTe monolayer Han, N. T., Dien, V. K., Chang, T. R., & Lin, M. F RSC advances, 13(28), 19464-19476 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2046-2069
[32]	Tuning of the Electronic and Optical Properties of Monolayer GaSe Via Strain Dien, V. K., Han, N. T., Bang‐Li, W., Lin, K. I., & Lin, M. F Advanced Theory and Simulations, 6(7), 2200950. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2513-0390

[1]	Nghiên cứu tính chất điện tử, từ tính và quang học của kim loại chuyển tiếp hấp phụ vào Ge đơn lớp dựa trên mô phỏng tính toán hàm mật độ Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Đại học Sư Phạm kỹ thuật Hưng Yên Thời gian thực hiện: 01/2025 - 12/2026; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[2]	Nghiên cứu tính chất điện tử, từ tính và quang học của kim loại chuyển tiếp hấp phụ vào Ge đơn lớp dựa trên mô phỏng tính toán hàm mật độ Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Đại học Sư Phạm kỹ thuật Hưng Yên Thời gian thực hiện: 01/2025 - 12/2026; vai trò: Chủ nhiệm đề tài