Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.27220

GS. TS Đỗ Văn Nam

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Phenikaa

Lĩnh vực nghiên cứu:

  • Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
  • Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia
[1]

Tính toán vận chuyển điện lượng tử trong vật liệu và linh kiện nano: Cơ sở của gói mô phỏng OPEDEVS

PGS. TS. Đỗ Văn Nam
Nhà xuất bản Giáo Dục Việt Nam - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[2]

Effects of divcancies on the electronic properties of zigzag-edge buckling silicence nanoribbons

Van-Chinh Ngo, Thi-Kim-Quyen Nguyen, Nguyen-Huu-Hanh Pham, Tu-Huynh Pham, Thi-Kim-Loan Phan, Van-Nam Do, Thanh-Tra Vu
Physica B: Condensed Matter 670, 415390 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[3]

Optical activity and transport in twisted bilayer graphene: Spatial dispersion effects

S. Ta Ho, V. Nam Do
Physical Review B 107, 195141 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[4]

Theory for constructing effective electronic models of bilayer graphene systems

H. Minh Lam, V. Nam Do
Journal of Applied Physics 133, 075102 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[5]

Proof for the electronic band crossing in sliding bilayer graphene

V. Nam Do
Physical Review B 104, 205121 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[6]

Optical Hall response of bilayer graphene: Manifestation of chiral hybridized states in broken mirror symmetry lattices

V. Nam Do, H. Anh Le, V. Duy Nguyen, D. Bercioux
Physical Review Research 2, 043281 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[7]

Time-evolution patterns of electrons in twisted bilayer graphene

V. Nam Do, H. Anh Le, D. Bercioux
Physical Review B 99, 165127 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[8]

Electronic properties of slid bilayer graphene: effective models in low energy range

Sy-Ta Ho, Hoang Anh Le, Van Duy Nguyen and Van-Nam Do
Eur. Phys. J. B 93, 190 (2020) - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[9]

Real-space approach for the electronic calculation of twisted bilayer graphene using the orthogonal polynomial technique

H. A. Le, V. T. Nguyen, V. D. Nguyen, V. Nam Do and S. T. Ho
Communications in Physics 29, 455 (2019) - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[10]

Theoretical Considerations on the Optimal Performance of Sub-100 Nanometer Top-Gated Graphene Field-Effect Transistors

V. Nam Do, H. Anh Le and V. Thieu Vu
Journal of Electronic Materials, 48, 1669 (2019) - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[11]

Electronic structure and optical properties of twisted bilayer graphene calculated via time evolution of states in real space

H. Anh Le and V. Nam Do
Physical Review B 97, 125136 (2018) - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[12]

Real-space and plane-wave hybrid method for electronic structure calculations for two-dimensional materials

V. Nam Do, H. Anh Le, V. Thieu Vu
Physical Review B - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:
[13]

Effects of carbon on optical properties of ZnO powder

Nguyen Tu, K.T.Khoi, D.Q.Trung, N.T. Tuan, V. Nam Do, P.T. Huy
Journal of luminescence, 174, 6 (2016) - Năm xuất bản: 2016; ISSN/ISBN:
[14]

Inequivalent effect of Dirac valleys on low-energy plasmons in heavily doped graphene

S. Ta Ho, H. Anh Le, T. Le and V. Nam Do
Physica Status Solidi B 253, 1186 (2016), DOI: 10.1002/pssb.201552791 - Năm xuất bản: 2016; ISSN/ISBN:
[15]

Optical properties of graphene superlattices

H. Anh Le, S. Ta Ho, D. Chien Nguyen, and V. Nam Do
Journal of Physics: condensed matters, 26, 405304 (2014) - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[16]

Anomalous confined electron states in graphene superlattices

H. Anh Le, D. Chien Nguyen, and V. Nam Do
Applied Physics Letters 105, 013512 (2014); doi: 10.1063/1.4889911 - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[17]

On the non-linear effects in graphene devices

Viet Hung Nguyen, Alfonso Alarcon, Salim Berrada, Van-Nam Do, Jerome Saint-Martin, Damien Querlioz, Arnaud Bournel and Philippe Dollfus
Journal of Physics D: Applied Physics, 47, 094007 (2014) - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[18]

Non-equilibrium Green function method: theory and application in simulation of nanometer electronic devices

V. Nam Do
Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol., to be published (2014) - Năm xuất bản: ; ISSN/ISBN:
[19]

Effects of temperature, doping and anisotropy of energy surfaces on behaviors of plasmons in graphene

S. Ta Ho, H. Anh Le, T. Le, D. Chien Nguyen, V. Nam Do
Physica E, 58, 101 (2014) - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[20]

Graphene and its one-dimensional patterns: from basic properties towards applications

Van Nam Do and Thanh Huy Pham
Adv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 1 (2010) 033001 - Năm xuất bản: ; ISSN/ISBN:
[21]

Transport characteristics of graphene-metal interfaces

V. Nam Do and L. Hoang Anh
Applied Physics Letters 101, 161605 (2012) - Năm xuất bản: 2012; ISSN/ISBN:
[22]

Modeling of metal-graphene coupling and its influence on transport properties in graphene at the charge neutrality point

V. Nam Do and P. Dollfus
Journal of Physics: Condensed Matter 22, 425301 (2010) - Năm xuất bản: 2010; ISSN/ISBN:
[23]

One-dimensional protuberant optically active ZnO structure fabricated by oxidizing ZnS nanowires

V. Nam Do, N. T. Tuan, D. Q. Trung, N. D. T. Kien, and N. D. Chien, P. T. Huy
Materials Letters 64, 1650 (2010) - Năm xuất bản: 2010; ISSN/ISBN:
[24]

Negative differential resistance in zigzag-edge graphene nanoribbons junctions

V. Nam Do and P. Dollfus
Journal of Applied Physics, 107, 063705 (2010) - Năm xuất bản: 2010; ISSN/ISBN:
[25]

Spin-dependent transport in armchair graphene nanoribbons structures with edge roughness effects

V. Hung Nguyen, V. Nam Do, A. Bournel, V. Lien Nguyen and P. Dollfus
Journal of Physics: Conference Series, 193, 012100 (2009) - Năm xuất bản: 2009; ISSN/ISBN:
[26]

Controllable spin-dependent transport in armchair graphene nanoribbons structures

V. Hung Nguyen, V. Nam Do, A. Bournel, V. Lien Nguyen and P. Dollfus
Journal of Applied Physics, 106, 053710 (2009) - Năm xuất bản: 2009; ISSN/ISBN:
[27]

Effects of charged impurities and lattice defects on transport properties of nanoscale graphene structures

V. Nam Do and P. Dollfus
Journal of Applied Physics 106, 023719 (2009) - Năm xuất bản: 2009; ISSN/ISBN:
[28]

Electronic transport and spin-polarization effects of relativistic-like particles in mesoscopic graphene structures

V. Nam Do, V. Hung Nguyen, V. Lien Nguyen, A. Bournel and P. Dollfus
Journal of applied physics 104, 063708, 2008 - Năm xuất bản: 2008; ISSN/ISBN:
[29]

Comment on “Negative differential conductance of electrons in graphene barrier” [Appl. Phys. Lett. 90, 143111 (2007)]

V. Nam Do
Applied physics letters 92, 216101, 2008 - Năm xuất bản: 2008; ISSN/ISBN:
[30]

Scattering approach to current and noise in interacting mesoscopic systems

V. Nam Do, V. Lien Nguyen and P. Dollfus
Physical Review B 76, 125309, 2007 - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[31]

Wigner ensemble Monte-Carlo simulation of nano-MOSFETs in degenerate conditions

D. Querlioz, J. Saint-Martin, V.-N. Do A. Bournel, P. Dollfus
Phys. Stat. Sol (C) 5, 150 (2008) - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[32]

Phonon-induced shot noise enhancement in double barrier resonant tunneling diodes

V. Nam Do and P. Dollfus
AIP conference proceedings 922, 325, 2007 - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[33]

Phonon-induced shot noise in double barrier resonant tunneling structures

V. Nam Do, V. Lien Nguyen and P. Dollfus
Applied physics letters 91, 022104, 2007 - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[34]

Oscillation of gate leakage current in Double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

V. Nam Do and P. Dollfus
Journal of applied physics 101, 073709, 2007 - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[35]

Shot noise in resonant tunneling structures using non-equilibrium Green’s function calculation

V. Nam Do and P. Dollfus
Journal of computational electronics 6, 125 (2007) - Năm xuất bản: 2007; ISSN/ISBN:
[36]

Fully quantum self-consistent study of ultimate DG-MOSFET’s including realistic scattering using a Wigner MC approach

Damien Querlioz, V. Nam Do, J. Saint-Martin, A. Bournel and P. Dollfus
IEDM Technical Digest 1, 941, 2006 - Năm xuất bản: 2006; ISSN/ISBN:
[37]

An improved Wigner Monte-Carlo technique for the self-consistent simulation of RTDs

Damien Querlioz, V. Nam Do, J. Saint-Martin, A. Bournel and P. Dollfus
Journal of computational Electronics 5, 443, 2006 - Năm xuất bản: 2006; ISSN/ISBN:
[38]

A study of quantum transport in end-of-roadmap DG-MOSFETs using a fully self-consistent Wigner Monte Carlo approach

Damien Querlioz, V. Nam Do, J. Saint-Martin, A. Bournel and P. Dollfus
IEEE Transactions on Nanotechnology 5, 737, 2006 - Năm xuất bản: 2006; ISSN/ISBN:
[39]

Transport and noise in resonant tunneling diode using self-consistent Green’s function calculation

V. Nam Do, V. Lien Nguyen and P. Dollfus
Journal of applied physics 100, 093705, 2006 - Năm xuất bản: 2006; ISSN/ISBN:
[1]

Nghiên cứu hệ tạp lượng tử theo các khía cạnh: đa kênh dẫn đa tạp và tiến triển theo thời gian

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ Phát triển khoa học và công nghệ Quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/08/2018 - 01/07/2020; vai trò: Thành viên
[2]

Nghiên cứu tính chất điện tử, truyền dẫn và quang học của graphene trong một số cấu trúc dị thể van der Waals sử dụng cách tiếp cận tính toán bán thực nghiệm

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 4/2017 - 4/2021; vai trò: Chủ nhiệm
[3]

Xây dựng và phát triển chương trình mã nguồn mở OPEDEVS (Opto-Electronic-Devices) cho phép mô phỏng hoạt động và nghiên cứu các tính chất vật lý lượng tử của các cấu trúc linh kiện và vật liệu quang/điện tử tiên tiến có kích thước nano-mét.

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ giáo dục và đào tạo
Thời gian thực hiện: 1/2012 - 6/2014; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[4]

Nghiên cứu chế tạo vật liệu porous carbon và ứng dụng chế tạo màng chắn sóng điện từ

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ giáo dục và đào tạo
Thời gian thực hiện: 1/2009 - 12/2010; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[5]

Nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết về vật liệu và linh kiện điện tử/quang tử dựa trên các màng bán dẫn ZnO pha tạp các-bon và các màng tinh thể các-bon đơn lớp thuần túy (graphene)

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 12/2009 - 12/2012; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[6]

Mô phỏng các cấu trúc vật liệu và linh kiện kích thước nanomet trên nền tảng graphene sử dụng các cách tiếp cận đa kích thước

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Cơ quan quốc gia phụ trách nghiên cứu khoa học (ANR), CH Pháp
Thời gian thực hiện: 12/2009 - 12/2011; vai trò: Thành viên nghiên cứu; Đại diện đối tác phía Việt Nam
[7]

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí:
Thời gian thực hiện: - ; vai trò:
[8]

Nghiên cứu tính chất điện tử, truyền dẫn và quang học của graphene trong một số cấu trúc dị thể van der Waals sử dụng cách tiếp cận tính toán bán thực nghiệm

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 4/2017 - 4/2021; vai trò: Chủ nhiệm
[9]

Mô phỏng các cấu trúc vật liệu và linh kiện kích thước nanomet trên nền tảng graphene sử dụng các cách tiếp cận đa kích thước

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Cơ quan quốc gia phụ trách nghiên cứu khoa học (ANR), CH Pháp
Thời gian thực hiện: 12/2009 - 12/2011; vai trò: Thành viên nghiên cứu; Đại diện đối tác phía Việt Nam
[10]

Nghiên cứu chế tạo vật liệu porous carbon và ứng dụng chế tạo màng chắn sóng điện từ

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ giáo dục và đào tạo
Thời gian thực hiện: 1/2009 - 12/2010; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[11]

Nghiên cứu thực nghiệm và lý thuyết về vật liệu và linh kiện điện tử/quang tử dựa trên các màng bán dẫn ZnO pha tạp các-bon và các màng tinh thể các-bon đơn lớp thuần túy (graphene)

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 12/2009 - 12/2012; vai trò: Chủ nhiệm đề tài
[12]

Xây dựng và phát triển chương trình mã nguồn mở OPEDEVS (Opto-Electronic-Devices) cho phép mô phỏng hoạt động và nghiên cứu các tính chất vật lý lượng tử của các cấu trúc linh kiện và vật liệu quang/điện tử tiên tiến có kích thước nano-mét.

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ giáo dục và đào tạo
Thời gian thực hiện: 1/2012 - 6/2014; vai trò: Chủ nhiệm đề tài