Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.38254

TS Trần Thiên Đức

Cơ quan/đơn vị công tác: Viện Vật lý Kỹ thuật - Trường Đại học Bách khoa Hà Nội

Lĩnh vực nghiên cứu:

Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia

[1]	Khảo sát hàm lượng kim loại nặng trong bụi không khí tại một số điểm công nghiệp và nút giao thông ở các tỉnh phía Bắc bằng quan trắc từ học Đào Thị Thủy Nguyệt; Nguyễn Phúc Dương; Thân Đức Hiền; Trần Thiên Đức; Lương Ngọc Anh Tạp chí Khoa học và Công nghệ (các Trường Đại học Kỹ thuật) - Năm xuất bản: 2012; ISSN/ISBN: 0868-3980
[2]	Deep level study of Mg-doped GaN using deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy Tran Thien Duc, Galia Pozina, Amano Hiroshi, Bo Monemar, Erik Janzén, Carl Hemmingsson Physical Review B - Năm xuất bản: 2016; ISSN/ISBN:
[3]	Deep levels in as-grown and electron-irradiated n-type GaN studied by deep level transient spectroscopy and minority carrier transient spectroscopy Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Olof Kordina, Erik Janzén, Takeshi Ohshima, Carl Hemmingsson Journal of Applied Physics - Năm xuất bản: 2016; ISSN/ISBN:
[4]	Electronic properties of defects in high-fluence electron-irradiated bulk GaN Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Erik Janzén, Takeshi Ohshima, Carl Hemmingsson Physica Status Solidi (B) - Năm xuất bản: 2015; ISSN/ISBN:
[5]	Radiation-induced defects in GaN bulk by halide vapor phase epitaxy Tran Thien Duc, Galia Pozina, Nguyen Tien Son, Erik Janzén, Takeshi Ohshima, Carl Hemmingsson Applied Physics Letter - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[6]	Investigation of deep levels in bulk GaN material grown by halide vapor phase epitaxy Tran Thien Duc, Galia Pozina, Erik Janzén, Carl Hemmingsson Journal of Applied Physics - Năm xuất bản: 2013; ISSN/ISBN:

[1]	Nghiên cứu chế tạo, tính chất và ứng dụng trong nông nghiệp của bột huỳnh quang phát xạ đỏ và đỏ xa trên nền vật liệu BAM đồng pha tạp Mn4+, Mg2+ và CAO pha tạp Mn4+ Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ Khoa học và Công nghệ Thời gian thực hiện: 2018-12-01 - 2022-12-01; vai trò: Chủ nhiệm nhiệm vụ
[2]	Phát triển quy trình công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao ứng dụng cho các thiết bị điện tử công suất và tần số cao (HEMT) Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Bộ Khoa học và Công nghệ Thời gian thực hiện: 01/09/2016 - 01/09/2018; vai trò: Thành viên