Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.1307926

TS Andrey Kartamyshev

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Văn Lang

Lĩnh vực nghiên cứu:

Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia

[1]	Janus piezoelectric ZrSiZ3H (Z= N, P, As) semiconductors with Raman response and high carrier mobility by a first-principles investigation Vu, T. V, Hiep, N. T., Phuc, H. V, Hoi, B. D., Linh, T. P. T., Kartamyshev, A. I., & Hieu, N. N. Surfaces and Interfaces / 52, September 2024, 104975 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[2]	A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ 3 H (Z = N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility Vu, T. V., Vi, V. T. T., Hiep, N. T., Hoang, K. V., Kartamyshev, A. I., Phuc, H. V., & Hieu, N. N. RSC Advances / 14. 30, 21982–21990 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[3]	First-principles insights on electronic and transport properties of novel ternary AlMX3 and quaternary Janus Al2M2X3Y3( M = Ge, Sn; X/Y= S, Se, Te) monolayers Vu, T. V, Kartamyshev, A. I., Nguyen, M. D., Pham, K. D., Trinh, T. T., Nhuan, N. P., & Hien, N. D. Materials Science in Semiconductor Processing / 181, October 2024, 108590 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[4]	Janus TiSiZ3H (Z = N, P, As) monolayers with large out-of-plane piezoelectricity and high electron mobility: first-principles study Vu, T. V, My Bui, K., Hoang, K. V, Kartamyshev, A. I., Ho, T. H., Lavrentyev, A. A., Anh, N. P. Q., Phuc, H. V, & Hieu, N. N. Journal of Physics D: Applied Physics / 57, 345304 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[5]	The N-body interatomic potential for carbon : Influence of the precision of three-body interactions ’ contribution on the accuracy of molecular dynamics simulations Kartamyshev, A. I., Lipnitskii, A. G., Chepelev, I. G., Vyazmin, A. V, & Poletaev, D. O. Computational Materials Science / 242, June 2024, 113100 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[6]	Induced out-of-plane piezoelectricity and giant Rashba spin splitting in Janus WSi Z 3H ( Z = N, P, As) monolayers toward next-generation electronic devices T. V Vu, B.D. Hoi, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Journal of Applied Physics / 135, 074301 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[7]	N-body potential for simulation of α and β phases of zirconium A.V. Vyazmin, A.G. Lipnitskii, A.I. Kartamyshev, V.N. Maksimenko, D.O. Poletaev Computational Materials Science / 235,15 February 2024, 112806 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[8]	Molecular dynamics simulation of diffusion along general high-angle grain boundaries in copper and vanadium A. V Vyazmin, A.G. Lipnitskii, V.N. Maksimenko, D.O. Poletaev, A.I. Kartamyshev Letters on Materials / 13, 450-455 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[9]	Weak segregation and accelerated diffusion of Li at twin boundaries in Cu from DFT: Implications for current collectors in Li-ion batteries A.I. Kartamyshev, D.O. Poletaev, A.O. Boev, D.A. Aksyonov Computational Materials Science / 230, 25 October 2023, 112517 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[10]	N-body potential for simulating lattice defects and diffusion in copper A.I. Kartamyshev, A.G. Lipnitskii, V.N. Maksimenko, A.V. Vyazmin, I.V. Nelasov, D.O. Poletaev Computational Materials Science / 228, 112284 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[11]	Predicted novel Janus γ-Ge 2 XY ( X/Y= S, Se, Te) monolayers with Mexican-hat dispersions and high carrier mobilities T. V Vu, H. V Phuc, L.C. Nhan, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Journal of Physics D: Applied Physics / 56, 135302 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[12]	Enhanced out-of-plane piezoelectricity and carrier mobility in Janus γ - Sn2XY ( X / Y = S, Se, Te) monolayers: A first-principles prediction T. V. Vu, H. V. Phuc, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Applied Physics Letters / 122, 061601 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[13]	Rashba-type spin splitting and transport properties of novel Janus XWGeN2 (X = O, S, Se, Te) monolayers V. V. Tuan, H. Phuc, C. V. Nguyen, V. Vi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu Physical Chemistry Chemical Physics / 2, 16512–16521 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[14]	High-speed mass transfer in the W–Cu pseudo-alloy I.V. Nelasov, A.I. Kartamyshev, A.O. Boev, Y.R. Kolobov Solid State Communications / 347, 114708 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[15]	Structural, electronic, and transport properties of quintuple atomic Janus monolayers Ga2SX2 (X = O, S, Se, Te): First-principles predictions N.N. Hieu, H. V Phuc, A.I. Kartamyshev, T. V Vu Physical Review B / 105, 075402 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[16]	Structural, electronic, and transport properties of Janus GaInX 2 (X = S, Se, Te) monolayers: first-principles study T. V Vu, T.P.T. Linh, H. V Phuc, C.A. Duque, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Journal of Physics: Condensed Matter / 34, 045501 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[17]	The N-body interatomic potential for molecular dynamics simulations of diffusion in tungsten V.N. Maksimenko, A.G. Lipnitskii, A.I. Kartamyshev, D.O. Poletaev, Y.R. Kolobov Computational Materials Science / 202, 110962 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[18]	Mexican-hat dispersions and high carrier mobility of γ-SnX (X = O, S, Se, Te) single-layers: a first-principles investigation V. V. Tuan, A.A. Lavrentyev, O.Y. Khyzhun, N.T.T. Binh, N. V. Hieu, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Physical Chemistry Chemical Physics / 24, 29064–29073 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[19]	A theoretical study on elastic, electronic, transport, optical and thermoelectric properties of Janus SnSO monolayer T. V. Vu, H. V Phuc, C. V Nguyen, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Journal of Physics D: Applied Physics / 54, 475306 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[20]	Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X=S, Se, Te) monolayers T. V Vu, V.T.T. Vi, H. V Phuc, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu Physical Review B / 104, 115410 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[21]	Molecular dynamics simulation of the behavior of titanium under high-speed deformation I. V Nelasov, A.I. Kartamyshev, A.O. Boev, A.G. Lipnitskii, Y.R. Kolobov, T.K. Nguyen Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering / 29, 065007 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[22]	Outstanding elastic, electronic, transport and optical properties of a novel layered material C4F2 : first-principles study T. V. Vu, H. V. Phuc, S. Ahmad, V.Q. Nha, C. Van Lanh, D.P. Rai, A.I. Kartamyshev, K.D. Pham, L.C. Nhan, N.N. Hieu RSC Advances / 11, 23280–23287 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[23]	Prediction of the diffusion characteristics of the V-Cr system by molecular dynamics based on N-body interatomic potentials V.N. Maksimenko, A.G. Lipnitskii, V.N. Saveliev, I.V. Nelasov, A.I. Kartamyshev Computational Materials Science / 198, 110648 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[24]	Self-point defect trapping responsible for radiation swelling reduction in V–Ti alloys A.O. Boev, I.V. Nelasov, A.G. Lipnitskii, A.I. Kartamyshev, D.A. Aksyonov Solid State Communications / 329, 114252 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[25]	Angular dependent interatomic potential for Ti–V system for molecular dynamics simulations A.I. Kartamyshev, A.G. Lipnitskii, A.O. Boev, I. V Nelasov, V.N. Maksimenko, D.A. Aksyonov, T.K. Nguyen Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering / 28, 055010 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[26]	Structural, elastic, and electronic properties of chemically functionalized boron phosphide monolayer V Vu, A.I. Kartamyshev, N. V. Hieu, T.D.H. Dang, S.-N. Nguyen, N.A. Poklonski, C. V Nguyen, H. V Phuc, N.N. Hieu RSC Advances / 11, 8552–8558 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[27]	Influence of the Mo10Ni3C3B phase on the hardness and fracture toughness of Mo-Ni-C-B cermet: experimental and theoretical study A. Boev, D. Poletaev, A. Kartamyshev, M. Boeva, T. Vershinina Letters on Materials / 10, 387-391 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[28]	Molecular-dynamics simulation of the α-Ti plastic deformation under conditions of high-energy effects I. V. Nelasov, A.G. Lipnitskii, A.I. Kartamyshev, V.N. Maksimenko, Y.R. Kolobov AIP Conference Proceedings - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[29]	The interaction between light impurities and vacancies in titanium and aluminum metals: A DFT study Andrey I. Kartamyshev, Dat Duy Vo, Alexey G. Lipnitskii. St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. - Năm xuất bản: 2016; ISSN/ISBN:
[30]	Ab initio-based prediction and TEM study of silicide precipitation in titanium D.O. Poletaev, A.G. Lipnitskii, A.I. Kartamyshev, D.A. Aksyonov, E.S. Tkachev, S.S. Manokhin, M.B. Ivanov, Yu.R. Kolobov Computational Materials Science - Năm xuất bản: 2014; ISSN/ISBN:
[31]	The influence of lattice vibrations and electronic free energy on phase stability of titanium silicides and Si solubility in hcp titanium: A DFT study A.I. Kartamyshev, D.O. Poletaev, A.G. Lipnitskii Calphad - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[32]	Interaction of Ti and Cr atoms with point defects in bcc vanadium: A DFT study A.O. Boev, D.A. Aksyonov, A.I. Kartamyshev, V.N. Maksimenko, I.V. Nelasov, A.G. Lipnitskii Journal of Nuclear Materials - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:
[33]	Development of an interatomic potential for titanium with high predictive accuracy of thermal properties up to melting point A.I. Kartamyshev, A.G. Lipnitskii, V.N. Saveliev, V.N. Maksimenko, I.V. Nelasov, D.O. Poletaev Computational Materials Science - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:

[1]	Nghiên cứu thiết kế cấu trúc và khảo sát tính chất điện từ của một số vật liệu spintronic tiên tiến bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia Thời gian thực hiện: 01/04/2020 - 01/04/2022; vai trò: Thành viên