Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.039898

TS Nguyễn Duy Khanh

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường đại học Thủ Dầu Một

Lĩnh vực nghiên cứu: Vật lý nguyên tử, vật lý phân tử và vật lý hóa học,

  • Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
  • Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia
[1]

Antiferromagnetic ordering in the TM-adsorbed AlN monolayer (TM=V and Cr)

Duy Khanh Nguyen, Tuan V. Vu, and D. M. Hoat
RSC Advances, 12, 16677-16683 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2046-2069
[2]

Chemical functionalization of low buckled SiGe monolayer: Effects on the electronic and magnetic properties

Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, J.F. Rivas-Silva, Tuan V. Vu, Gregorio H. Cocoletzi, and D.M. Hoat
Materials Science in Semiconductor Processing, 150, 106949 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 1369-8001
[3]

Computational study of hyperfine interaction for Zn substitute Ga in β-Ga2O3

Quoc Duy Ho, Duy Khanh Nguyen, Huynh Anh Huy
Computational Condensed Matter, 32, e00727 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2352-2143
[4]

Concentration-diversified magnetic and electronic properties of halogen-adsorbed silicene

Duy Khanh Nguyen, Ngoc Thanh Thuy Tran, Yu-Huang Chiu, and Ming-Fa Lin
Scientific Reports, 9, - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 13746
[5]

Diverse Electronic and Magnetic Properties of Fluorine-Doped Graphene Nanoribbons

Duy Khanh Nguyen
APS March Meeting, New Orleans, Louisiana, USA - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN: https://www.aps.org/meetings/baps/march17.cfm
[6]

Diverse electronic, optical, and thermoelectric properties of β-antimonene under external strain

Duy Khanh Nguyen
International Conference on Optics in Materials, Energy, and Technologies, 2023 (ICOMET-2023), NCKU, Taiwan - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: https://icomet2023.wixsite.com/icomet-2023
[7]

Diverse properties of carbon-substituted silicenes

Hai Duong Pham, Shih-Yang Lin, Godfrey Gumbs, Duy Khanh Nguyen, and Ming-Fa Lin
Frontiers in Physics, 8, 561350 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2296-424X
[8]

Diverse structural and electronic properties of pentagonal SiC2 nanoribbons: A first-principles study

Tran Yen Mi, Duy Khanh Nguyen, Rajeev Ahuja, and Nguyen Thanh Tien
Materials Today Communications, 26, 102047 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 2352-4928
[9]

Electronic and magnetic properties of the WSO Janus monolayer engineered by intrinsic defects

Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, Tuan V. Vu, R. Ponce-Pérez, D.M. Hoat
Surfaces and Interfaces, 32, 102114 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2468-0230
[10]

Electronic, magnetic and optical properties of CaO induced by oxygen incorporation effects: A first-principles study

Duy Khanh Nguyen, Vo Van On, D.M. Hoat, J.F. Rivas-Silva, Gregorio H. Cocoletzi
Physics Letter A, 397, 127241 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0375-9601
[11]

Engineering the electronic and magnetic properties of nitrogene monolayer and bilayer by doping: A first-principles study

D.M.Hoat, Duy Khanh Nguyen, J.Guerrero-Sanchez, R.Ponce-Pérez, Vo Van On, J.F.Rivas Silva, and Gregorio H. Cocoletzi
Applied Surface Science, 566, 150711 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0169-4332
[12]

Essential physical properties of silicene-related nanoribbons: A high-performance DFT study

Duy Khanh Nguyen
The 20th Workshop on First-Principles Computational Materials Physics, National Sun Yat-Sen Univerisity, Taiwan - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: https://phys.ncts.ntu.edu.tw/en/act/actnews/
[13]

Essential properties of fluorinated graphene and graphene nanoribbons

Duy Khanh Nguyen, Ngoc Thanh Thuy Tran, Thanh Tien Nguyen, Yu-Huang Chiu, and Ming-Fa Lin
Jenny Stanford Publishing - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: ISBN 9780429201509
[14]

Essential properties of silicene-based layered materials

Shih-Yang Lin, Hsin-Yi Liu, Duy Khanh Nguyen, Ngoc Thanh Thuy Tran, Hai Duong Pham, Shen-Lin Chang, Chiun-Yan Lin and Ming-Fa Lin
IOP Publishing - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: ISBN 9780750332996
[15]

Essential properties of silicene-based systems

Duy Khanh Nguyen
International Virtual Courses on Basic and Applied Nanotechnology from Computational to Experiment Method - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: https://nrcn.itb.ac.id/2020/10/24/
[16]

Exploration of new direct gap semiconductor Na2X (X = S and Se) monolayers

Phuong Thuy Bui, Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, and D.M. Hoat
Applied Surface Science, 606, 154809 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 0169-4332
[17]

Exploring a silicene monolayer as a promissing sensor platform to detect and capture NO and CO gas

Duy Khanh Nguyen, Duc-Quang Hoang, and D. M. Hoat
RSC Advances, 12, 9828-9835 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2046-2069
[18]

Exploring the electronic band gap of Janus MoSeO and WSeO monolayers and their heterostructures

Vo Van On, Duy Khanh Nguyen, J.Guerrero-Sanchez, and D.M.Hoat
New Journal of Chemistry, 45, 20776-20786 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 2787-2796
[19]

Exploring the sensing ability of B- and Si-doped WS2 monolayer toward CO and NO gas

Duy Khanh Nguyen, Duc-Quang Hoang, D. M. Hoat
International Journal of Quantum Chemistry, 122, e26916 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 0020-7608
[20]

Feature-rich electronic properties of carbon-doped silicene nanoribbons: A first-principles investigations

Duy Khanh Nguyen
46th Vietnam Conference on Theoretical Physics, Ha Noi, Vietnam - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: https://iop.vast.vn/vctp/46/
[21]

Feature-rich quasiparticle properties of halogen-adsorbed silicene nanoribbons

Duy Khanh Nguyen, Vo Duy Dat, Vo Van On, and Ming-Fa Lin
CRC Press (Taylor and Francis Group) - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: ISBN 9781032323053
[22]

First-principles prediction of 1H-Na2Se monolayer: Effects of external strain and point defects associated with constituent atoms

Tuan V Vu, Duy Khanh Nguyen, J Guerrero-Sanchez, and D M Hoat
Physica Scripta, 98, 025805 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1402-4896
[23]

First-principles studies of electronic properties in lithium metasilicate (Li2SiO3)

Nguyen Thi Han, Vo Khuong Dien, Ngoc Thanh Thuy Tran, Duy Khanh Nguyen, Wu-Pei Su, and Ming-Fa Lin
RSC Advances, 10, 24721-24729 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2046-2069
[24]

Fluorination-enriched electronic and magnetic properties in graphene nanoribbons

Duy Khanh Nguyen, Yu-Tsung Lin, Shih-Yang Lin, Yu-Huang Chiu, Ngoc Thanh Thuy Tran, and Ming Fa-Lin
Physical Chemistry Chemical Physics, 19, 20667-20676 - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN: 1463-9076
[25]

Fundamental properties of metal-adsorbed silicene: a DFT study

Ngoc Thanh Thuy Tran, Godfrey Gumbs, Duy Khanh Nguyen, and Ming-Fa Lin
ACS Omega, 5, 13760–13769 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2470-1343
[26]

Fundamental properties of transition-metals-adsorbed graphene

Ngoc Thanh Thuy Tran, Duy Khanh Nguyen, Shih-Yang Lin, Godfrey Gumbs, and Ming-Fa Lin
ChemPhysChem, 20, 2473-2481 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 1439-4235
[27]

Halogenation effects on electronic properties of graphene nanoribbons

Duy Khanh Nguyen
PSROC Annual Meeting, Tamkang University, Taipei, Taiwan - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN: https://psroc2017.conf.tw/
[28]

HfXO (X = S and Se) Janus monolayers as promising two dimensional platforms for optoelectronic and spintronic applications

Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, and Do Minh Hoat
Journal of Materials Research, 38, 2600–2612 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2044-5326
[29]

In silico study of emergent monolayer materials

Duy Khanh Nguyen
The 12th Asia computational materials design workshop 2022 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: https://hpclab.tdmu.ed.vn/Home2022/
[30]

Insights into structural, electronic, and transport properties of pentagonal PdSe2 nanotubes using first-principles calculations

Nguyen Thanh Tien, Pham Thi Bich Thao, Nguyen Hai Dang, Nguyen Duy Khanh, and Vo Khuong Dien
Nanomaterials, 13, 1728 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1687-4129
[31]

Introducing new direct gap semiconductor 1H-Na2S monolayer with feature-rich electronic and magnetic properties

Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, and D. M. Hoat
Physical Chemistry Chemical Physics, 24, 27505-27514 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 1463-9076
[32]

Modifying electronic and magnetic properties of the β-antimonene monolayer by doping with III-, IV-, and V-group atoms

Duy Khanh Nguyen, J. Guerrero-Sanchez, Tuan V. Vu, R. Ponce-Pérez, D.M. Hoat
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 32, 102114 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 1386-9477
[33]

Novel electronic and magnetic features in XC (X = Si and Ge) monolayers induced by doping with group-VA atoms

Chu Viet Ha, Duy Khanh Nguyen, Dang Tuan Anh, J.Guerrero-Sanchez, and D.M.Hoat
New Journal of Chemistry, 47, 2787-2796 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1144-0546
[34]

Opening the germanene monolayer band gap using halogen atoms: An efficient approach studied by first-principles calculations

D.M.Hoat, Duy Khanh Nguyen, R.Ponce-Pérez, J.Guerrero-Sanchez, Vo Van On, J.F.Rivas-Silva, Gregorio H. Cocoletzi
Applied Surface Science, 551, 149318 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0169-4332
[35]

Rich essential properties of Si-doped graphene

Duy Khanh Nguyen, Ngoc Thanh Thuy Tran, Yu-Huang Chiu, Godfrey Gumbs, and Ming-Fa Lin
Scientific Reports, 10, 12051 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2045-2322
[36]

Searching for d0 spintronic materials: bismuthene monolayer doped with IVA-group atoms

Duy Khanh Nguyen, To Vinh Bao, Nguyen Anh Kha, R. Ponce-Perez, J. GuerreroSanchez, and D. M. Hoat
RSC Advances, 13, 5885 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2046-2069
[37]

Structural, magneto-electronic, and electric transport properties of pentagonal PdSe2 nanoribbons: A first principles study

Nguyen Thanh Tien, Pham Bich Thao, and Nguyen Duy Khanh
Surface Science, 728, 122206 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 0039-6028
[38]

Theoretical prediction of the PtOX (X = S and Se) monolayers as promising optoelectronic and thermoelectric 2D materials

Duy Khanh Nguyen, D.M. Hoat, Asadollah Bafekry, Vo Van On, J.F. Rivas-Silva, M. Naseri, Gregorio H. Cocoletzi
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 1386-9477
[39]

Tuning MoSO monolayer properties for optoelectronic and spintronic applications: effect of external strain, vacancies and doping

Duy Khanh Nguyen, J.Guerrero-Sanchez, Vo Van On, J.F.Rivas Silva, R.Ponce-Pérez, Gregorio H. Cocoletzi, and D.M.Hoat
RSC Advances, 11, 35614-35623 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 2046-2069
[1]

Nghiên cứu các đặc tính vật lý quan trọng của hệ thấp chiều tạo bởi vật liệu graphene và vật liệu tựa graphene bằng phương pháp nguyên lý ban đầu

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Qũy phát triển khoa học & công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/12/2017 - 01/11/2019; vai trò: Thành viên thực hiện chính
[2]

Nghiên cứu các tính chất điện tử và từ tính của vật liệu Nano Ribbon Germanene khi hấp thụ nguyên tử Flo và của loại vật liệu 2 lớp Janus mới dạng MXY

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí:
Thời gian thực hiện: 01/06/2021 - 01/09/2022; vai trò: Thành viên thực hiện chính
[3]

Nghiên cứu các tính chất vật lý thiết yếu của một số vật liệu hai chiều bằng phương pháp chức hóa về mặt và biến dạng ngoài

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Thủ Dầu Một
Thời gian thực hiện: 01/04/2021 - 01/06/2022; vai trò: Chủ nhiệm nhiệm vụ
[4]

Điều khiển các tính chất điện tử và từ tính của vật liệu silicene nanoribbons bằng phương pháp thay thế nguyên tử

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí:
Thời gian thực hiện: 01/06/2021 - 01/06/2022; vai trò: Thành viên thực hiện chính
[5]

Nghiên cứu tính chất điện tử và vận chuyển điện tử của các vật liệu cấu trúc nano ngũ giác

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Qũy phát triển khoa học & công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/10/2020 - 01/09/2023; vai trò: Thành viên thực hiện chính
[6]

Các tính chất vật lý thiết yếu của các vật liệu xếp lớp dựa trên silicene

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Quốc lập Thành Công
Thời gian thực hiện: 08/2019 - 07/2020; vai trò: Thành viên nghiên cứu chủ chốt
[7]

Nghiên cứu các tính chất điện tử và từ tính thiết yếu của một số vật liệu đơn lớp 2D pha tạp các nguyên tố phi kim cho các ứng dụng điện tử spin

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Thủ Dầu Một
Thời gian thực hiện: 4/2022 - 4/2023; vai trò: Chủ nhiệm đề tài