BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO

Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  35,008,465
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

102.01-2018.310

2022-66-1320/NS-KQNC

Bộ nhớ từ trở tích hợp sử dụng hiệu ứng truyền tải spin: Một công nghệ mới triển vọng để xây dựng hệ thống tính toán hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng

Học viện Kỹ thuật Quân sự

Bộ Quốc phòng

Quỹ Phát triển khoa học và công nghệ Quốc gia

Quốc gia

TS. Trịnh Quang Kiên

PGS. TS. Hoàng Văn Phúc, TS. Lương Duy Mạnh(2), TS. Vũ Hoàng Gia(6), TS. Đào Đình Hà(5), ThS.Dương Quang Mạnh(4), ThS. Trần Văn Toàn

20313 - Kỹ thuật cơ khí và chế tạo thiết bị năng lượng

01/07/2019

01/06/2022

2022

Hà Nội

95 tr. + phụ lục

Mở rộng chức năng của STT-MRAM bằng cách thay đổi ngoại vi bộ nhớ để có thể hỗ trợ các phép toán logic/số học trong khi vẫn giữ  nguyên cấu trúc mảng bộ nhớ và ô nhớ. Cụ thể, những sửa đổi này phải chịu cho phí tối thiểu cho năng lượng và độ trễ tối thiểu và đáp ứng yêu cầu mạnh mẽ. Thực hiện và đánh giá tác động của kiến trúc LiM với việc sử dụng STT-MRAM. Đề xuất đề cập đến các vấn đề chính trong kỹ thuật mạch để tăng cường độ tin cậy của STT-MRAM với hỗ trợ các phép toán logic/số học trong bộ nhớ và việc thực hiện và đánh giá khái niệm LiM ở mức hệ thống.

Bộ nhớ, Truyền tải spin, Tiết kiệm năng lượng, Hiệu suất, Tích hợp, Hiệu ứng, Công nghệ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

21550