BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  24,693,401
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Hoá lý

Dương Đình Phước, Đinh Như Thảo(1)

Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN

Tạp chí khoa học - Trường Đại học Huế

2021

1A

13-21

1859-1388

Mode kết cặp, Phonon quang dọc, Plasmon, Lớp bán dẫn, InGaN

Khảo sát sự tồn tại của các mode kết cặp phonon quang dọc (LO phonon)-plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN bằng lý thuyết hàm điện môi. Chúng tôi sử dụng một sóng hồng ngoại phân cực p chiếu xiên lên các lớp màng mỏng bán dẫn, từ đó chúng tôi quan sát thấy sự xuất hiện của bốn cực tiểu phân biệt trong phổ truyền qua của vật liệu. Hai cực tiểu đầu tiên tương ứng với các mode phonon quang ngang của hai bán dẫn thành phần InN và GaN, trong khi hai cực tiểu còn lại là các mode kết cặp LO phonon-plasmon. Bên cạnh đó, chúng tôi đã lần đầu tiên đưa ra được một phương trình dùng để tính số tần số của các mode kết cặp này. Ngoài ra, chúng tôi cũng khảo sát chi tiết ảnh hưởng của mật độ electron lên các mode kết cặp LO phonon-plasmon.

TTKHCNQG, CVv 469

Xem toàn văn
  • [1] Karch K, Wagner JM, Bechstedt F (1998), Ab initio study of structural, dielectric, and dynamical properties of GaN,Physical Review B
  • [2] Davydov VY, Emtsev VV, Goncharuk IN, Smirnov AN, Petrikov VD, Mamutin VV, et al. (1999), Experimental and theoretical studies of phonons in hexagonal InN,Applied Physics Letters
  • [3] Giehler M, JaHne E (1976), Effect of Damping on the Plasmon-Phonon Coupling in CdS and GaP,Phys. Shysica status solidi (b)
  • [4] Baek SH, Lee HJ, Lee SN (2019), High-performance fat-type InGaN based light-emitting diodes with local breakdown conductive channel,Scientific Reports
  • [5] Zhang ZH, Tan ST, Kyaw Z, Ji Y, Liu W, Ju Z, Hasanov N, Sun XW, Demir HV. (2013), InGaN/GaN lightemitting diode with a polarization tunnel junction.,Applied Physics Letters
  • [6] Kucukgok B, Wu X, Wang X, Liu Z, Ferguson IT, Lu N (2016), The structural properties of InGaN alloys and the interdependence on the thermoelectric behavior.,AIP Advances
  • [7] Koch H, Bertram F, Pietzonka I, Ahl JP, Strassburg M, August O, et al. (2014), InGaN: Direct correlation of nanoscopic morphology features with optical and structural properties.,Applied Physics Letters
  • [8] Thao DN (2017), A study of the coupling between LO phonons and plasmons in InP p-i-n diodes.,Superlattices and Microstructures
  • [9] Thao DN, The NP (2013), Effect of Longitudinal Optical Phonon-Plasmon Coupling on the Transient SelfConsistent Field in GaAs p-i-n Diodes.,Journal of the Physical Society of Japan
  • [10] Sciacca MD, Mayur AJ, Oh E, Ramdas AK, Rodriguez S, Furdyna JK, et al. (1995), Infrared observation of transverse and longitudinal polar optical modes of semiconductor films: Normal and oblique incidence.,Physical Review B.
  • [11] Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M (2011), Terahertz spectroscopy of dynamics of coupling between the coherent longitudinal optical phonon and plasmon in the surge current of instantaneously photogenerated carriers flowing through the i-GaAs layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure,Journal of Applied Physics
  • [12] Takeuchi H, Nishimura T, Nakayama M (2020), Terahertz electromagnetic waves radiated from coherent longitudinal optical (LO) phonons and LO-phonon plasmon coupled modes in (001)-, (110)-, and (111)- oriented semi-insulating GaAs single crystals,Semiconductor Science and Technology
  • [13] Ibáñez J, Tarhan E, Ramdas AK, Hernández S, Cuscó R, Artús L, et al. (2004), Direct observation of LO phononplasmon coupled modes in the infrared transmission spectra of n-GaAs and n-InxGa1-xAs epilayers,Physical Review B
  • [14] Hasan M, Arezoomandan S, Condori H, Rodriguez BS (2016), Graphene terahertz devices for communications applications,Nano Communication Networks
  • [15] Reichel KS, Smith NL, Joshipura ID, Ma J, Shrestha R, Mendis R, et al. (2018), Electrically reconfigurable terahertz signal processing devices using liquid metal components,Nature Communications.
  • [16] Cuscó R, Amador ND, Hung PY, Loh WY, Droopad R, Artús L (2015), Raman scattering study of LO phononplasmon coupled modes in p-type InGaAs,Journal of Alloys and Compounds