Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN

Quantum beat of excitons in spherical semiconductor quantum dots

A study on quantum beats of excitons in GaAs/AlGaAs circular cylindrical quantum wires

Three-level optical Stark effect of excitons in GaAs cylindrical quantum wires

On the optical Stark effect of excitons in InGaAs prolate ellipsoidal quantum dots

Quantum beat of excitons in the prolate ellipsoidal quantum dots

A theoretical study of interband absorption spectra of spherical sector quantum dots under the effect of a powerful resonant laser

Temperature and size effects on the oscillatory frequency of electron velocity in p-i-n GaAs semiconductor

Effects of electric field and device size on the electron velocity in p-i-n GaAs semiconductor

Mô phỏng Monte Carlo các lớp bán dẫn InAs loại p và loại n

Mô phỏng Monte Carlo ba chiều bức xạ Terahertz phát ra từ bề mặt bán dẫn InAs

Tìm nghiệm của phương trình Poisson ba chiều bằng phương pháp CGS

Tìm nghiệm của phương trình Poission ba chiều bằng hai phương pháp TFQMR và GMRES(m)

Thuật toán BiCGSTAB(3) tiền điều kiện để tìm nghiệm của phương trình poisson ba chiều

states of donor impurities in InAs/GaAs quantum dots, Journal of Science and Education 36, pp. 40-47, 2015.

Interband optical transition in InAs/GaAs quantum dots, Journal of Science and Education 36, pp. 32-39, 2015.

The absorption spectra of the electron - hole pair in InAs/AlAs quantum dots, Journal of Science 110 (Hue University), (2015), pp. 229-235.

Several efficient algorithms for finding the solution of the three-dimensional Poisson’s equation on personal computers, Journal of Science (Hue University) 107, (2015), pp. 61-70.

One-sample based single-valued estimation of the interface profile from intersubband integrated absorption intensity data, Journal of the Physical Society of Japan 85, 074603-1 - 074603-4, 2016, ISSN: 0031-9015 (SCI, 2014/2015 IF=1.585, Q2)

A theoretical study of the optical Stark effect in InGaAs/InAlAs quantum dots, Semiconductor Science and Technology 32, 025014-1 - 025014-8, 2017, ISSN: 0953-2048 (SCI, 2015 IF = 2.098, Q2)

A study of the coupling between LO phonons and plasmons in InP p-i-n diodes, Superlattices and Microstructures 103, 213-220, 2017, ISSN: 0749-6036 (SCI, 2015 IF = 2.117, Q2)

Electron distribution in polar heterojunctions within the realistic model, Physica B 479, 62 - 66, 2015, ISSN: 0921-4526 (SCI, 2014 IF = 1.319, Q2)

Key scattering mechanisms limiting the lateral transport in a modulation-doped polar heterojunction, Journal of Applied Physics 119, 214304-1 - 214304-6, 2016, ISSN: 0021-8979 (SCI, 2015 IF=2.183, Q1)

The preconditional BiCGSTAB(3) algorithm for the solution of the three-dimensional Poisson's equation, Journal of Science and Education 26, 25-32, 2013, ISSN: 1859-1612

Monte Carlo simulation of p-type and n-type InAs wafers, Journal of Science and Education 25, 5 - 11, 2013, ISSN: 1859-1612

Single-valued estimation of the interface profile from intersubband absorption linewidth data, Applied Physics Letters 100, 11, 113103-1 - 113103-3, 2012, ISSN: 0003-6951, E-ISSN: 1077-3118 (SCI, 2010 IF = 3.820)

Effect of LO Phonon - Plasmon Coupling on the Transient Self-consistent Field in GaAs p-i-n Diodes, Journal of the Physical Society of Japan 82, 10, 104701-1 - 104701-4, 2013, ISSN: 0031-9015 (SCI, 2011 IF=2.364)

Electron Distribution in AlGaN/GaN Modulation-Doped Heterostructures, Communications in Physics 22, 327 - 336, 2012, ISSN: 0868-3166

Individual Deduction of two roughness Parameters for Quantum wells from Intersubband Absorption peak data, Proceedings of the 36th Vietnam National Conference on Theoretical Physics, Qui Nhon City, August 1-4, 2011, pp. 206-211.

Three-dimensional simulation of nano semiconductor devices using GPBICG algorithm for the solution of the Poisson's equation, Journal of Science 65, 215-223, 2011, ISSN: 1859-1388

3D simulation of semiconductor devices using preconditioned BICGSTAB algorithm with Jacobi preconditioner for the solution of Poisson’s equation, Journal of Science and Education 16, 34-41, 2010, ISSN: 1859-1612

3D Monte Carlo simulation of GaAs p-i-n diodes taking into account the near Coulomb interaction between electrons and holes, Journal of Science and Education 12, 21-28, 2009, ISSN: 1859-1612

Monte Carlo Simulation of THz Radiation from GaAs p-i-n Diodes under High Electric Fields Using an Extended Valley Model, Communications in Physics 18, 95-101, 2008, ISSN: 0868-3166

Monte Carlo analysis of THz radiation by coherent LO phonon oscillations in some GaAs devices under high electric fields, Communications in Physics, Supplement, 23-28, 2006, ISSN: 0868-3166

Numerical Simulation of THz Radiation by Coherent LO Phonons in GaAs p–i–n Diodes under High Electric Fields, Journal of the Physical Society of Japan 73, 3177-3181, 2004, ISSN: 0031-9015 (SCI, 2004 IF = 2.6)

Calculation of THz Radiation due to Coherent Polar-Phonon Oscillations in p-i-n Diode Structure at High Electric Field, Semiconductor Science and Technology 19, S304-S307, 2004, ISSN: 0953-2048 (SCI, 2004 IF = 2.5)

Động lực học của hạt tải và một số dao động và bức xạ trong một số cấu trúc nano bán dẫn

Các tương tác quang kết cặp trong một số cấu trúc bán dẫn thấp chiều

Động lực học của hạt tải và một số dao động và bức xạ trong một số cấu trúc nano bán dẫn (MS: 103.01-2014.46)

Nghiên cứu một số tính chất của các dị cấu trúc bán dẫn (MS: DHH2013-03-37)

Hiện tượng vận chuyển và hấp thụ quang trong các cấu trúc nano bán dẫn - giếng lượng tử dựa trên các vật liệu phân cực (MS: 103.02-2012.04)

Nghiên cứu cấu trúc và tính chất điện tử của các hệ bán dẫn thấp chiều (MS: 103.02.109.09)

Các cơ chế tán xạ cho hệ hạt tải 2 chiều trong các cấu trúc dị chất dựa trên ZnO và nitride nhóm III (MS: 103.02.107.09)

Nghiên cứu các tính chất của các linh kiện bán dẫn có kích thước na-nô bằng các phương pháp mô phỏng (MS: B2010-DHH03-58)

Các cơ chế tán xạ cho hệ hạt tải 2 chiều trong các cấu trúc dị chất dựa trên ZnO và nitride nhóm III (MS: 103.02.107.09)

Nghiên cứu các tính chất của các linh kiện bán dẫn có kích thước na-nô bằng các phương pháp mô phỏng (MS: B2010-DHH03-58)

Nghiên cứu cấu trúc và tính chất điện tử của các hệ bán dẫn thấp chiều (MS: 103.02.109.09)

Hiện tượng vận chuyển và hấp thụ quang trong các cấu trúc nano bán dẫn - giếng lượng tử dựa trên các vật liệu phân cực (MS: 103.02-2012.04)

Nghiên cứu một số tính chất của các dị cấu trúc bán dẫn (MS: DHH2013-03-37)

Động lực học của hạt tải và một số dao động và bức xạ trong một số cấu trúc nano bán dẫn (MS: 103.01-2014.46)