BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  33,175,636
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

20703 - Kỹ thuật năng lượng và nhiên liệu không phải dầu khí

Trần Hữu Toàn, Nguyễn Tiến Đại, Vũ Thị Kim Liên, Trương Thị Hiên, Vũ Thi Bích(1), Nguyễn Mạnh Hùng

Đặc trưng quang điện tử của pin mặt trời trên cơ sở màng mỏng Ag/SnS chế tạo bằng phương pháp phún xạ sóng vô tuyến tần số cao

Tạp chí khoa học - Trường Đại học Huế

2021

1C

63-73

2588-1191

Pin năng lượng mặt trời, Phún xạ sóng vô tuyến tần số cao, Quang điện tử, Màng mỏng Ag/SnS

Nghiên cứu đặc trưng về pin năng lượng mặt trời chế tạo với màng mỏng SnS/Ag/SnS được tổng hợp bằng phương pháp phún xạ sóng vô tuyến tần số cao. Cấu trúc này có khả năng tăng cường hiệu suất chuyển đổi quang và độ ổn định cao của pin năng lượng mặt trời nhờ khả năng truyền hạt tải tốt dựa vào sự đồng nhất và liên tục của màng Ag/SnS, giảm dòng điện thất thoát và điện trở tiếp xúc nhỏ dựa vào tiếp xúc ohmic tốt giữa điện cực và lớp TiO2. Linh kiện chế tạo dựa trên cấu trúc SnS/Ag/SnS cung cấp hiệu suất chuyển đổi quang học () là 4,83% (mật mật độ dòng quang điện ngắn mạch (JSC) 15,1 mA/cm2, hiệu điện thế hở mạch (VOC) 0,5 V) tại nhiệt độ phòng. Từ kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng đến khả năng kết hợp giữa một số kim loại quý với vật liệu SnS nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang điện và độ ổn định của pin năng lượng mặt trời SnS.

TTKHCNQG, CVv 469

Xem toàn văn