Một số kết quả nghiên cứu chế tạo cấu trúc pin mặt trời trên cơ sở chuyển tiếp dị chất GaAs-GaAlAs

Chỉ số đề mục

29.19.31

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật lý

Dạng tài liệu

Tác giả

Nguyễn Thanh Nghị, Nguyễn Thị Quý Hải, Nguyễn Xuân Nghiã, Đào Quý Khang, Dương Anh Tuấn, Đặng Quốc Dũng, Nguyễn Thị Kiều Anh⁽¹⁾

Nhan đề

Một số kết quả nghiên cứu chế tạo cấu trúc pin mặt trời trên cơ sở chuyển tiếp dị chất GaAs-GaAlAs

Nhan đề tiếng anh

Nguồn trích

TC Vật lý

Năm xuất bản

1990

Số

1

Trang

23-28

ISSN

0866-8604

Từ khóa

Pin mặt trời, Chất bán dẫn, Chuyển tiếp dị chất

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Chế tạo và nghiên cứu cấu trúc pin mặt trời loại chuyển tiếp dị chất GaAs-GaAlAs. Pin mặt trời được chế tạo có hệ số hữu ích 15-16. Đưa ra một số hướng nhằm làm tăng hệ số hữu ích của pin mặt trời loại GaAs-GaAlAs

Tóm tắt tiếng anh

Kí hiệu kho

TTTTKHCNQG

File toàn văn

Xem toàn văn