Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  29,841,656
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

61.31

Kỹ thuật hóa học

Lưu Tuấn Tài, Lê Xuân Quế, Hoàng Tú, Nguyễn Thị Nụ, Phí Quyết Tiến(1)

Chất thêm Si và phương pháp ORD với tính chất của vật liệu điện cực âm La(Ni-M)5 trong pin nạp Ni-MH

Tuyển tập công trình khoa học: Báo cáo khoa học tại hội nghị khoa học phân tích hoá, lý và sinh học Việt Nam lần thứ nhất

2000

429-433

Hai phương pháp chuẩn bị vật liệu La(Ni-M)5 được sử dụng: arc-melting và ORD (oxide reduction diffusion). Phương pháp ORD tạo mẫu một pha với chất thêm là Cu, nhưng với Si mẫu tạo được có chất lượng kém hơn. Các mẫu chuẩn bị bằng ORD đều cho quá thế phóng và nạp cao hơn với độ ổn định kém, dẫn đến hiệu suất chu kỳ phóng nạp thấp. Si có thể thay thế một phần Co trong điện cực âm La(Ni-M)5

TTTTKHCNQG, Vt 1258/2000