Một nghiên cứu có triển vọng về tác động của nạp bãy giao diện trên DMG-S-SOI MOSFET

Chỉ số đề mục

29.35

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật lý

Dạng tài liệu

Tác giả

, Vũ Ngọc Thắng⁽¹⁾

Nhan đề

Một nghiên cứu có triển vọng về tác động của nạp bãy giao diện trên DMG-S-SOI MOSFET

Nhan đề tiếng anh

The effect of interface trapped charges in DMG-S-SOI MOSFET: a perspective study

Nguồn trích

Nanoscience and Nanotechnology

Năm xuất bản

2014

Số

4

Trang

1-7

ISSN

2043-6262

Từ khóa

Nghiên cứu, Triển vọng, Tác động, Nạp bãy giao diện, DMG-S-SOI MOSFET

Từ khóa tiếng anh

Tóm tắt

Tóm tắt tiếng anh

In this paper, the existing two-dimensional (2D) threshold voltage model for a dual material gate fully depleted strained silicon on insulator (DMG-FD-S-SOI) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is modified by considering the interface trapped charge effects. The interface trapped charge is a common phenomenon, and this charge cannot be neglected in nanoscale devices. For finding out the surface potential, parabolic approximation has been utilized and the virtual cathode potential method is used to formulate the threshold voltage. The developed threshold voltage model incorporates both positive as well as negative interface charges. Finally, validity of the presented model is verified with 2D device simulator Sentaurus TM.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CLt 740

File toàn văn

Xem toàn văn