BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  26,766,592
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Các vật liệu nano (sản xuất và các tính chất)

Trần Hữu Toàn, Nguyễn Tiến Đại(1), Vũ Thị Bích, Nguyễn Tiến Thành, Dư Đình Viên, Vũ Thi Bích(2)

Tính chất quang điện hóa của MoS2 lắng đọng trên thanh nano đồng ôxít

Photoelectrochemical characteristics of hybrid structure between MoS2 film and copper oxide nanorod

Khoa học và Công nghệ (Đại học Công nghiệp Hà Nội)

2021

6

129-134

1859-3585

Tính chất, Quang điện hóa, MoS2 lắng đọng, Thanh nano đồng ôxít

CuO nanorods, MoS2 , hybrid structure, MOCVD, photoelectrochemical

Trình bày đặc trưng quang điện hóa của màng mỏng MoS2 lắng đọng trên thanh nano đồng ôxít (CuO/MoS2) được tổng hợp bằng phương pháp biến tính nhiệt và lắng đọng hơi hóa học cơ kim. Cấu trúc thanh nano CuO/MoS2 này thể hiện sự tăng cường quá trình phân tách và truyền nhanh các hạt tải quang dưới điều kiện kích thích ánh sáng trong các tế bào quang điện hóa dựa vào thế hiệu nội tại hình thành giữa hai lớp tiếp giáp MoS2 và CuO. Linh kiện quang điện hóa được chế tạo từ cấu trúc thanh nano MoS2/CuO cung cấp mật độ dòng quang 8,7mA/cm2 và hiệu suất chuyển đổi quang học 0,70% ở điện thế -1,0V (giá trị này cao hơn so với tế bào quang điện hóa được chế tạo khi chỉ sử dụng thanh CuO (6,12mA/cm2 ,  = 0,42%). Dựa trên kết quả nghiên cứu này, chúng tôi hướng tới phát triển loại tế bàoquang điện tử bằng sự kết hợp giữa màng mỏng MoS2 và các vật liệu bán dẫn ô xít kim loại nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi quang học.

This paper reports on the synthesis of copper oxides (CuO) nanorods on indium tin oxide coated by thin film (2D) MoS2 viathe annealing and metal– organic chemical vapour deposition (MOCVD) methods. The 2D-MoS2/CuO photocathode shows the photocurrent density of 8.7mA.cm2 ( = 0.70%) at 1.0V, which is higher than the pristine CuO photocathode (6.12mA.cm2 ,  = 0.42%). The high PCD for CuO/MoS2 is attributed to high stability andmore active sites of 2D-MoS2, lowering the electrochemical proton reduction overpotential, as well as the built-in potential of Cu2O/CuO rod and CuO/MoS2 heterojunction. From this result, we suggest the fabrication of the hybridstructures (MoS2 and photocatalytic materials) for enhancing efficient photoelectrochemical device.

TTKHCNQG, CVt 70

Xem toàn văn