BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  30,293,755
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

28

Các hệ thống và kỹ thuật truyền thông

Lê Thị Luận, Nguyễn Hữu Thọ, NGUYỄN HỮU THỌ(1)

Thiết kế mạch front-end trong máy thu từ 1.8 đến 4 ghz với băng thông băng gốc 250-mhz cho các ứng dụng di động tế bào thế hệ mới

A 1.8 to 4 ghz receiver front-end with 250 mhz baseband bandwidth for advanced cellular applications

Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Thái Nguyên

2022

7

3-10

1859-2171

Máy thu chuyển đổi trực tiếp, Băng thông băng gốc rộng, Ứng dụng di động tế bào, Khuếch đại tạp âm thấp dải rộng, Máy thu tuyến tính cao

Direct conversion receiver, Wide baseband bandwidth, Cellular application, Wide-band LNA, Highly linear receiver

Bài báo này trình bày về mạch cao tần không sử dụng cuộn cảm với băng thông băng gốc rộng trong máy thu băng rộng. Máy thu chuyển đổi trực tiếp dựa trên cấu trúc này thích hợp cho máy thu 5G hoặc các hệ thống không dây khác. Mạch cao tần trong máy thu băng rộng bao gồm mạch khuếch đại tạp âm thấp (LNA), mạch trộn tần thụ động và mạch khuếch đại biến đổi dòng-áp dải rộng (TIA). LNA sử dụng cấu trúc mạch khuếch đại nguồn chung tái sử dụng dòng kết hợp với mạch phản hồi tích cực dòng thấp để đạt được đồng thời cả tạp âm thấp và độ tuyến tính cao. Mạch TIA tự phân áp tái sử dụng dòng được đề xuất để đạt được băng thông rộng và độ tuyến tính cao. Mạch cao tần trong máy thu đề xuất được thiết kế trên công nghệ CMOS 28 nm. Mạch có băng thông RF là 2,2 GHz và băng thông băng gốc (BBBW) là 250 MHz. Hệ số tạp âm (NF) là 5,5 dB và độ lợi chuyển đổi điện áp lớn hơn 15,9 dB với khoảng thay đổi độ lợi nhỏ hơn 0,7 dB trong BBBW 250 MHz. Điểm chặn đầu vào bậc ba (IIP3) là 3 dBm tại tần số 2,3 GHz. Mạch tiêu thụ 75,2 mW với nguồn cung cấp 0,9 V và có diện tích chiếm là 0,053 mm2.

This paper presents a wide-band inductor-less receiver front-end with wide baseband bandwidth. A direct conversion receiver based on this structure is appropriate for a fifth-generation (5G) receiver or other wireless systems. The broadband receiver front-end includes a low- noise amplifier (LNA), a passive mixer, and a wide-band transimpedance amplifier (TIA). The LNA employs a complementary current-reuse common source amplifier combined with a low-current active feedback to achieve simultaneously low noise and high linearity. A current-reuse self-biasing TIA is proposed to obtain wide- band and quite-linear. The proposed receiver front-end is implemented in 28 nm CMOS process. It has a RF bandwidth of 2.2 GHz and a baseband bandwidth (BBBW) of 250 MHz. The noise figure (NF) is 5.5 dB and the conversion gain is larger than 15.9 dB with passband variations under 0.7 dB in BBBW of 250 MHz. The third-order input intercept point (IIP3) is 3 dBm at 2.3 GHz, whereas it consumes 75.2 mW at a 0.9-V supply and has an area of 0.053 mm2.

TTKHCNQG, CTv 178

Xem toàn văn