BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN QUỐC GIA VỀ KHOA HỌC, CÔNG NGHỆ VÀ ĐỔI MỚI SÁNG TẠO

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  30,019,602
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

53

Gốm

BB

Trần Ngọc(1), Phan Văn Độc

Ảnh hưởng của thành phần chất nền, nồng độ tạp và công nghệ chế tạo lên tính chất nhiệt phát quang của liều kế thủy tinh Li2B4O7:Tm

Effect of host composition, impurity concentration, and manufacturing technology on thermoluminescent properties of Li2B4O7:Tm glass dosimeter

Khoa học và công nghệ - Trường Đại Duy Tân

2024

01

36-42

1859-4905

Liều kế, An toàn bức xạ, Nhiệt phát quang, Bẫy điện tử, Bẫy lỗ trống

Dosimeters, Radiation safety, Thermoluminescence, Electron trap, Hole trap

Thủy tinh Li2B4O7 pha tạp thulium (Tm) được chế tạo thành công bằng phương pháp nung nóng chảy trong môi trường khử sử dụng than graphit. Thành phần chất nền, nồng độ tạp Tm tối ưu cho hiệu ứng nhiệt phát quang (NPQ) của vật liệu xác định được là 30Li2O+69,5H3BO3+0,5Tm2O3. Các thông số tối ưu trong công nghệ chế tạo thủy tinh đã được xác định: nhiệt độ nung ở 1020oC, tốc độ tăng nhiệt từ nhiệt độ phòng (RT) là 2oC.s-1, thời gian nung 1,5 giờ và tốc độ làm lạnh mẫu về nhiệt độ RT là 5oC.s-1. Nguồn gốc của các trạng thái bẫy (bẫy điện tử và bẫy lỗ trống), vai trò của các ion tạp Tm trong quá trình NPQ đã được thảo luận. Các kết quả thực nghiệm được tổng hợp và phân tích, thảo luận theo các yêu cầu về tiêu chuẩn của liều kế dùng trong an toàn bức xạ.

The Li2B4O7 glass doped with thulium (Tm) was successfully manufactured by heating in a reducing environment using graphite coal. The optimal host composition and impurity concentration Tm for the thermoluminescence effect of the material were determined to be 30Li2O+69,5H3BO3+0,5Tm2O3. The optimal parameters in glass manufacturing technology have been determined: calcination temperature at 1020oC, heat rise rate from room temperature (RT) is 2oC.s-1, calcination time 1,5 hours and speed the sample cooling temperature to RT temperature is 5oC.s-1. The origin of the trap states (electron trap and hole trap) and the role of Tm impurity ions in the thermoluminescence process were discussed. The experimental results are synthesized, analyzed, and discussed according to the standard requirements of dosimeters used in radiation safety.

TTKHCNQG, CVv 416

Xem toàn văn