Tổng hợp dây nano ga2o3/gaas (100) bằng phương pháp hơi lỏng rắn sử dụng xúc tác hạt nano Ag

Chỉ số đề mục

Lĩnh vực nghiên cứu

Khoa học kỹ thuật và công nghệ

Dạng tài liệu

BB

Tác giả

Nguyễn Văn Mạnh, Trần Hữu Toàn, Đào Văn Phong, Nguyễn Đức Ba, Vũ Thị Bích, Nguyễn Tiến Đại, Vũ Thi Bích⁽¹⁾

Nhan đề

Tổng hợp dây nano ga2o3/gaas (100) bằng phương pháp hơi lỏng rắn sử dụng xúc tác hạt nano Ag

Nhan đề tiếng anh

Vapor-liquid-solid method for synthesizing ga2o3 on gaas (100) substrate using ag nanoparticles catalyst

Nguồn trích

Tạp chí Khoa học & Công nghệ - Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội

Năm xuất bản

2024

Số

03

Trang

13-18

ISSN

1859-3585x

Từ khóa

Dây nano ga2o3/gaas, Phương pháp, Hơi lỏng rắn, Sử dụng xúc tác, Hạt nano Ag

Từ khóa tiếng anh

Ga2O3 nanowires, GaAs (100), Ag nanoparticles, vapor-liquid solid method.

Tóm tắt

Dây nano Ga2O3 trên đế GaAs (100) đã được nghiên cứu chế tạo thành công bằng phương pháp hơi lỏng rắn (VLS) sử dụng xúc tác hạt nano Ag qua hai quá trình gia nhiệt (T1, T2). Bằng phương pháp đồng kết tủa trong dung dịch HF/AgNO3, hạt nano Ag có đường kính 30 - 70nm được lắng đọng lên đế GaAs (100). Với sự có mặt của hạt nano Ag, dây nano Ga2O3 được hình thành trên đế GaAs (100) trong dải nhiệt độ từ 750 - 820oC tại chân không 10–3Torr, gần nhiệt độ cùng tinh eutectic (Te.) của hợp chất Ag-GaAs. Đường kính của dây nano nhận được thay đổi trong khoảng từ 35nm đến 45nm và độ dài từ vài chục nm đến vài trăm m phụ thuộc vào đường kính hạt Ag và thời gian tổng hợp tại nhiệt độ T2. Kết quả khảo sát hình thái học, cấu trúc, thành phần và phổ tán xạ Raman cho thấy dây nano Ga2O3/GaAs (100) thu được có chất lượng tốt. Từ các kết quả nhận được, hướng sử dụng xúc tác Ag mới trong chế tạo dây nano bằng phương pháp VLS ứng dụng trong các linh kiện nano hiệu năng cao được đề xuất.

Tóm tắt tiếng anh

Ga2O3/GaAs (100) nanowires were synthesized by the vapor-liquid-solid (VLS) method, using Ag nanoparticles as a catalyst with two annealing processes of T1 and T2. The Ag nanoparticles were deposited on GaAs (100) with a diameter ranging f-rom 30 -70nm, using precursors of AgNO3 and HF solution by employing the co-precipitation approach. As working pressure of 10–3Torr and at the T2 f-rom 750 - 820oC, Ga2O3nanowires were grown with a 35 - 45nm of diameter and lengths ranging f-rom several tens of nm to a few hundred µm, which strongly depends on the pre-Ag nanoparticles and growth time. The results showed the excellent nanowire quality of as-synthesized morphology, structure, and element c-haracterizations. Beyond this finding, we suggest an Ag nanoparticle catalyst to grow semiconductor nanowires for nanodevices.

Kí hiệu kho

TTKHCNQG, CVt 70

File toàn văn

Xem toàn văn