Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.1489269

TS Vũ Văn Tuấn

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Tôn Đức Thắng

Lĩnh vực nghiên cứu:

  • Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
  • Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia
[1]

Raman response, piezoelectricity, and transport properties of the two-dimensional Janus HfSi X 3 H (X= N/P/As) semiconductors: A first-principles study,

Tuan V. Vu, N.T. Hiep, H.V. Phuc, B.D. Hoi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Physical Review B, 110 (2024) 235403 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[2]

Tunable Raman activity and enhanced piezoelectricity of AlGeZ2 (Z= N, P, and As) monolayers: A first-principles calculation,

Tuan V. Vu, V.T. Vi, H.V. Phuc, N.P. Anh, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Ceramics International, 51 (2025) 19562-19567 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[3]

Two-dimensional piezoelectric AlSiX2 (X= N, P, As) semiconductors with Raman activity, favorable band-gap, and high carrier mobility based on first-principles calculations

Tuan V. Vu, N.N. Hieu, N.T. Hiep, T.T. Trinh, A. Kartamyshev, H.V. Phuc
Physical Chemistry Chemical Physics, 27 (2025) 5131-5140 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[4]

Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X= N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices,

Tuan V. Vu, N.T. Hiep, V.T. Vi, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 58 (2025) 105309 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[5]

Tailoring breakdown strength and energy-storage performance of silicon-integrated lead-free epitaxial BZT thin films through multi-element B-site substitutions

M. Nguyen, D. Vo, T.uan V. Vu, Thi H. Ho, H. Tong
Journal of Alloys and Compounds, 1010 (2025) 177433 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[6]

A promising 2D candidate for high sensitivity NO2 gas sensing

Tuan V. Vu, Thi H. Ho, D.-Q. Hoang, H. Van Chi, K.D. Pham
Materials Science in Semiconductor Processing, 190 (2025) 109318 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[7]

Regulating the Electronic and Magnetic Properties of a SnSSe Janus Monolayer toward Optoelectronic and Spintronic Applications

Tuan V. Vu, Viet Ha Chu, Jonathan Guerrero-Sanchez, D.M. Hoat
ACS Applied Electronic Materials, 6, 3647–3656 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[8]

A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ3H (Z= N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility

Tuan V. Vu, V.T. Vi, N.T. Hiep, K.V. Hoang, A. Kartamyshev, H.V. Phuc, N.N. Hieu
RSC Advances, 14, 21982-21990 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[9]

Large piezoelectric responses and ultra-high carrier mobility in Janus HfGeZ 3 H (Z= N, P, As) monolayers: a first-principles study

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, L.T. Phuong, V.T. Vi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Nanoscale Advances, 6, 4128-4136 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[10]

First-principles insights on electronic and transport properties of novel ternary AlMX3 and quaternary Janus Al2M2X3Y3 (M= Ge, Sn; X/Y= S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, A. Kartamyshev, M.D. Nguyen, K.D. Pham, T.T. Trinh, N.P. Nhuan, N.D. Hien
Materials Science in Semiconductor Processing, 181, 108590. - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[11]

Induced out-of-plane piezoelectricity and giant Rashba spin splitting in Janus WSiZ3H (Z= N, P, As) monolayers toward next-generation electronic devices

Tuan V. Vu, B.D. Hoi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Applied Physics, 135, 074301 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[12]

2D Ge2Se2P4 Monolayer: A Versatile Photocatalyst for Sustainable Water Splitting

Tuan V. Vu, N.N. Hieu, D.D. Vo, A. Kartamyshev, H.D. Tong, T.T. Trinh, V. Khuong Dien, Z. Haman, P. Dey, N. Khossossi
The Journal of Physical Chemistry C, 128, 4245-4257 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[13]

Janus piezoelectric ZrSiZ3H (Z= N, P, As) semiconductors with Raman response and high carrier mobility by a first-principles investigation

Tuan V. Vu, N.T. Hiep, H.V. Phuc, B.D. Hoi, T.P. Linh, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Surfaces and Interfaces, 52, 104975 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[14]

Janus TiSiZ3H (Z= N, P, As) monolayers with large out-of-plane piezoelectricity and high electron mobility: first-principles study

Tuan V. Vu, K.M. Bui, K.V. Hoang, A.I. Kartamyshev, H.H. Thi, A.A. Lavrentyev, N.P.Q. Anh, H.V. Phuc, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics,57, 345304 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[15]

P-incorporated CuO/Cu2S heteronanorods as efficient electrocatalysts for the glucose oxidation reaction toward highly sensitive and selective glucose sensing

L. L. D. Thi, T.H. Ho, Tuan V. Vu, D.L. Nguyen, M.X. Tran, S.H. Rhim, C.-D. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 26. 249-260 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[16]

Insight into interface chemistry of metal oxides anchored on biowaste-derived support for highly selective glycolysis of waste polyethylene terephthalate

D.D. Pham, T.H. Ho, A.N.T. Cao, Tuan V. Vu, T.L.L. Doan, D.-V.N. Vo, D.L.T. Nguyen, T.M. Nguyen
Chemical Engineering Journal, 495, 153380 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[17]

Insights from experiment and theory on peculiarities of the electronic structure and optical properties of the Tl2HgGeSe4 crystal

Tuan V. Vu, O. Khyzhun, G.L. Myronchuk, M. Denysyuk, L. Piskach, A.O. Selezen, I. Radkowska, A.O. Fedorchuk, S.S. Petrovska, V.A. Tkach
Inorganic Chemistry, 62, 16691-16709 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[18]

The theoretical prediction of the structural characteristics and SO2 adsorption-sensing properties of pristine HfS2 and TM-doped HfS2 monolayers (TM= Ni, Pd, or Pt)

Tuan V. Vu, Khang D. Pham
New Journal of Chemistry, 47, 17252-17260 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[19]

Electronic, optical, and transport properties of single-layer ZrTeS4: a DFT study

Dat D. Vo, Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, A. Kartamyshev, Hien D. Tong, N.N. Hieu
New Journal of Chemistry, 47, 9124-9133. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[20]

Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment

Tuan V. Vu, V.D. Dat, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, N.N. Hieu, G. Myronchuk, O. Khyzhun
RSC advances, 13, 881-887. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[21]

Exploring particular electronic and optical properties of Tl2HgSnSe4, promising chalcogenide for solar photovoltaics and optoelectronics: A complex experimental and theoretical study

O. Khyzhun, Tuan V. Vu, G. Myronchuk, M. Denysyuk, L. Piskach, A. Selezen, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, A. Fedorchuk, V. Tkach
Journal of Alloys and Compounds, 952, 170093. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[22]

Enhanced out-of-plane piezoelectricity and carrier mobility in Janus γ-Sn2XY (X/Y= S, Se, Te) monolayers: A first-principles prediction

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Applied Physics Letters, 122, 061601. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[23]

Electronic band structure and optical properties of Li2In2GeSe6 crystal

Tuan V. Vu, O. Khyzhun, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, K. Kalmykova, L. Isaenko, A. Goloshumova, P. Krinitsyn, G. Myronchuk, M. Piasecki
Materials Today Communications, 35, 105798. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[24]

Strong out-of-plane piezoelectricity and Rashba-type spin splitting in asymmetric structures: first-principles study for Janus γ-Sn2OX (X= S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, N.P. Anh, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
New Journal of Chemistry, 47, 11660-11668. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[25]

Novel Janus GaInX3 (X= S, Se, Te) single-layers: first-principles prediction on structural, electronic, and transport properties

Tuan V. Vu, N.N. Hieu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, C.V. Lanh, A. Kartamyshev, H.V. Phuc, N.V. Hieu
RSC advances, 12, 7973-7979. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[26]

Growth of a novel K0.4Rb0.6Pb2Cl5 crystal and theoretical and experimental studies of its electronic and optical properties

O. Khyzhun, Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, N. Denysyuk, L. Isaenko, M. Molokeev, A. Goloshumova, A. Tarasova
Optical Materials, 124, 112050. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[27]

XSnS3 (X= Ga, In) monolayer semiconductors as photo-catalysts for water splitting: a first principles study

M. Naseri, D.R. Salahub, Tuan V. Vu, H. Zakaryae
Journal of Materials Chemistry C, 10, 11412-11423. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[28]

Structural, electronic, and transport properties of quintuple atomic Janus monolayers Ga2SX2 (X= O, S, Se, Te): First-principles predictions

N.N. Hieu, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, Tuan V. Vu*
Physical Review B, 105, 075402. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[29]

Mexican-hat dispersions and high carrier mobility of γ-SnX (X= O, S, Se, Te) single-layers: a first-principles investigation

Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, N.T. Binh, N.V. Hieu, A. Kartamyshev, N.N. Hieu,
Physical Chemistry Chemical Physics, 24, 29064-29073. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[30]

Rashba-type spin splitting and transport properties of novel Janus XWGeN2 (X= O, S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, C.V. Nguyen, V.T. Vi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Physical Chemistry Chemical Physics, 24, 16512-16521. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[31]

Structural, electronic, and transport properties of Janus GaInX2 (X= S, Se, Te) monolayers: first-principles study

Tuan V. Vu, T.P. Linh, H.V. Phuc, C. Duque, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics: Condensed Matter, 34, 045501. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[32]

A theoretical study on elastic, electronic, transport, optical and thermoelectric properties of Janus SnSO monolayer

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, C.V. Nguyen, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 54, 475306. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[33]

Novel Janus group III chalcogenide monolayers Al2XY2 (X/Y= S, Se, Te): first-principles insight onto the structural, electronic, and transport properties

Tuan V. Vu, N.N. Hieu
Journal of Physics: Condensed Matter, 34, 115601. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[34]

Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X= S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, V.T. Vi, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Physical Review B, 104, 115410. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[35]

Effects of different surface functionalization on the electronic properties and contact types of graphene/functionalized-GeC van der Waals heterostructures

Tuan V. Vu, T.P. Dao, M. Idrees, H.V. Phuc, N.N. Hieu, N.T. Binh, H.B. Dinh, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 22, 7952-7961. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[36]

Interfacial characteristics, Schottky contact, and optical performance of a graphene/Ga2SSe van der Waals heterostructure: Strain engineering and electric field tunability

H.T. Nguyen, M.M. Obeid, A. Bafekry, M. Idrees, Tuan V. Vu, H.V. Phuc, N.N. Hieu, L.T. Hoa, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Review B, 102, 075414. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[37]

Interlayer coupling and electric field controllable Schottky barriers and contact types in graphene/PbI2 heterostructures,

C.V. Nguyen, M. Idrees, H.V. Phuc, N.N. Hieu, N.T. Binh, B. Amin, Tuan V. Vu*
Physical Review B, 101, 235419. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[38]

Computational prediction of electronic and optical properties of Janus Ga2SeTe monolayer

Tuan V. Vu, V.T. Vi, C.V. Nguyen, H.V. Phuc, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 53, 455302. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[39]

Graphene/WSeTe van der Waals heterostructure: Controllable electronic properties and Schottky barrier via interlayer coupling and electric field

Tuan V. Vu, N.V. Hieu, H.V. Phuc, N.N. Hieu, H. Bui, M. Idrees, B. Amin, C.V. Nguyen
Applied Surface Science, 507, 145036. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[40]

Enhancement of monolayer SnSe light absorption by strain engineering: a DFT calculation

Tuan V. Vu, Hien D. Tong, T.K. Nguyen, C.V. Nguyen, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, B. Gabrelian, H.L. Luong, K.D. Pham, P.T. Dang
Chemical Physics, 521, 5-13. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[41]

Electronic and optical properties of Janus ZrSSe by density functional theory

Tuan V. Vu, Hien D. Tong, D.P. Tran, N.T. Binh, C.V. Nguyen, H.V. Phuc, H.M. Do, N.N. Hieu
RSC advances, 9, 41058-41065. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[42]

Band alignment and optical features in Janus-MoSeTe/X(OH)2 (X= Ca, Mg) van der Waals heterostructures

D.D. Vo, Tuan V. Vu, N.V. Hieu, N.N. Hieu, H.V. Phuc, N.T. Binh, L.T. Phuong, M. Idrees, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 21, 25849-25858. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[43]

A theoretical and experimental study of the valence-band electronic structure and optical constants of quaternary copper mercury tin sulfide, Cu2HgSnS4, a potential material for optoelectronics and solar cells

Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, H.D. Tong, V. Tkach, O. Parasyuk, O. Khyzhun
Optical Materials, 96, 109296. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[44]

Tailoring the structural and electronic properties of an SnSe2/MoS2 van der Waals heterostructure with an electric field and the insertion of a graphene sheet

Tuan V. Vu, N.V. Hieu, L.T. Thao, N.N. Hieu, H.V. Phuc, H. Bui, M. Idrees, B. Amin, L.M. Duc, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 21, 22140-22148. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[45]

Environmentally safe layered crystal produced from hazardous chemical elements: TlPb2BrI4, a new promising detector material

O.Y. Khyzhun, Tuan V. Vu, O.V. Parasyuk, A.O. Fedorchuk, P.M. Fochuk, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, I. Levchuk, G.J. Matt, S.F. Tedde, O. Schmidt, S. Shrestha, C.J. Brabec, I.V. Kityk, M. Piasecki
Journal of Alloys and Compounds, 924, 166558 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[46]

Predicted novel Janus γ-Ge2XY ( S, Se, Te) monolayers with Mexican-hat dispersions and high carrier mobilities

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, L.C. Nhan, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 56,135302 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[47]

Crystal growth, electronic and optical properties of Tl2CdSnSe4, a recently discovered prospective semiconductor for application in thin film solar cells and optoelectronics

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, A.O. Selezen, L.V. Piskach, G.L. Myronchuk, M. Denysyuk, V.A. Tkach, Khang D. Pham, O.Y. Khyzhun
Optical Materials, 111, 110656 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[48]

TlSbP2Se6 - a new layered single crystal: growth, structure and electronic properties

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.I. Sabov, M.Y. Sabov, A.I. Pogodin, I.E. Barchiy, A.O. Fedorchuk, A. Balinska, Z. Bak, O.Y. Khyzhun, M. Piasecki
Journal of Alloys and Compounds, 848, 156485 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[49]

Ternary sulfides BaLa2S4 and CaLa2S4 as promising photocatalytic water splitting and thermoelectric materials: First-principles DFT calculations

M. Batouche, T. Seddik, Tuan V. Vu, Dat D. Vo, Hien D. Tong, D.M. Hoat, O.Y. Khyzhun
International Journal of Hydrogen Energy, 45, 22600-22612 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[50]

Theoretical prediction of electronic, transport, optical, and thermoelectric properties of Janus monolayers In2XO (X= S, Se, Te)

Tuan V. Vu, Chuong V. Nguyen, H.V. Phuc, A.A. Lavrentyev, O.Y. Khyzhun, N.V. Hieu, M. Obeid, D.P. Rai, Hien D. Tong, N.N. Hieu
Physical Review B, 103, 085422 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[51]

A theoretical and experimental study of the valence-band electronic structure and optical constants of quaternary copper mercury tin sulfide, Cu2HgSnS4, a potential material for optoelectronics and solar cells

Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, H.D. Tong, V. Tkach, O. Parasyuk, O. Khyzhun
Optical Materials, 96, 109296. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 0925-3467
[52]

A theoretical study on elastic, electronic, transport, optical and thermoelectric properties of Janus SnSO monolayer

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, C.V. Nguyen, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 54, 475306. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0022-3727
[53]

Band alignment and optical features in Janus-MoSeTe/X(OH)2 (X= Ca, Mg) van der Waals heterostructures

D.D. Vo, Tuan V. Vu, N.V. Hieu, N.N. Hieu, H.V. Phuc, N.T. Binh, L.T. Phuong, M. Idrees, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 21, 25849-25858. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 1463-9076
[54]

Computational prediction of electronic and optical properties of Janus Ga2SeTe monolayer

Tuan V. Vu, V.T. Vi, C.V. Nguyen, H.V. Phuc, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 53, 455302. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 0022-3727
[55]

Crystal growth, electronic and optical properties of Tl2CdSnSe4, a recently discovered prospective semiconductor for application in thin film solar cells and optoelectronics

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, A.O. Selezen, L.V. Piskach, G.L. Myronchuk, M. Denysyuk, V.A. Tkach, Khang D. Pham, O.Y. Khyzhun
Optical Materials, 111, 110656 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0925-3467
[56]

Effects of different surface functionalization on the electronic properties and contact types of graphene/functionalized-GeC van der Waals heterostructures

Tuan V. Vu, T.P. Dao, M. Idrees, H.V. Phuc, N.N. Hieu, N.T. Binh, H.B. Dinh, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 22, 7952-7961. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 1463-9076
[57]

Electronic and optical properties of Janus ZrSSe by density functional theory

Tuan V. Vu, Hien D. Tong, D.P. Tran, N.T. Binh, C.V. Nguyen, H.V. Phuc, H.M. Do, N.N. Hieu
RSC advances, 9, 41058-41065. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 2046-2069
[58]

Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment

Tuan V. Vu, V.D. Dat, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, N.N. Hieu, G. Myronchuk, O. Khyzhun
RSC advances, 13, 881-887. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2046-2069
[59]

Electronic band structure and optical properties of Li2In2GeSe6 crystal

Tuan V. Vu, O. Khyzhun, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, K. Kalmykova, L. Isaenko, A. Goloshumova, P. Krinitsyn, G. Myronchuk, M. Piasecki
Materials Today Communications, 35, 105798. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 2352-4928
[60]

Electronic structure and basic optical constants of TlHgBr3: Density functional theory calculations

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, H.D. Tong, H.L. Luong, O.V. Parasyuk, Y.M. Kogut, O.Y. Khyzhun
Optical Materials, 86, 191-197. - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN: 0925-3467
[61]

Electronic structure and optical properties of Ag2HgSnSe4: First-principles DFT calculations and X-ray spectroscopy studies

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, O.V. Parasyuk, V.A. Ocheretova, O.Y. Khyzhun
Journal of Alloys and Compounds, 732, 372-384. - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN: 0925-8388
[62]

Electronic structure and optical properties of LiGa0.5In0.5Se2 single crystal, a nonlinear optical mid-IR material

A. Lavrentyev, B. Gabrelian, Tuan V. Vu, L. Isaenko, A. Yelisseyev, O. Khyzhun
Optical Materials, 80, 12-21. - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN: 0925-3467
[63]

Electronic, optical, and transport properties of single-layer ZrTeS4: a DFT study

Dat D. Vo, Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, A. Kartamyshev, Hien D. Tong, N.N. Hieu
New Journal of Chemistry, 47, 9124-9133. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1144-0546
[64]

Enhanced out-of-plane piezoelectricity and carrier mobility in Janus γ-Sn2XY (X/Y= S, Se, Te) monolayers: A first-principles prediction

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Applied Physics Letters, 122, 061601. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 0003-6951
[65]

Enhancement of monolayer SnSe light absorption by strain engineering: a DFT calculation

Tuan V. Vu, Hien D. Tong, T.K. Nguyen, C.V. Nguyen, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, B. Gabrelian, H.L. Luong, K.D. Pham, P.T. Dang
Chemical Physics, 521, 5-13. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 0301-0104
[66]

Environmentally safe layered crystal produced from hazardous chemical elements: TlPb2BrI4, a new promising detector material

O.Y. Khyzhun, Tuan V. Vu, O.V. Parasyuk, A.O. Fedorchuk, P.M. Fochuk, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, I. Levchuk, G.J. Matt, S.F. Tedde, O. Schmidt, S. Shrestha, C.J. Brabec, I.V. Kityk, M. Piasecki
Journal of Alloys and Compounds, 924, 166558 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 0925-8388
[67]

Exploring particular electronic and optical properties of Tl2HgSnSe4, promising chalcogenide for solar photovoltaics and optoelectronics: A complex experimental and theoretical study

O. Khyzhun, Tuan V. Vu, G. Myronchuk, M. Denysyuk, L. Piskach, A. Selezen, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, A. Fedorchuk, V. Tkach
Journal of Alloys and Compounds, 952, 170093. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 0925-8388
[68]

Graphene/WSeTe van der Waals heterostructure: Controllable electronic properties and Schottky barrier via interlayer coupling and electric field

Tuan V. Vu, N.V. Hieu, H.V. Phuc, N.N. Hieu, H. Bui, M. Idrees, B. Amin, C.V. Nguyen
Applied Surface Science, 507, 145036. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 0169-4332
[69]

Growth of a novel K0.4Rb0.6Pb2Cl5 crystal and theoretical and experimental studies of its electronic and optical properties

O. Khyzhun, Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, N. Denysyuk, L. Isaenko, M. Molokeev, A. Goloshumova, A. Tarasova
Optical Materials, 124, 112050. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 0925-3467
[70]

Interfacial characteristics, Schottky contact, and optical performance of a graphene/Ga2SSe van der Waals heterostructure: Strain engineering and electric field tunability

H.T. Nguyen, M.M. Obeid, A. Bafekry, M. Idrees, Tuan V. Vu, H.V. Phuc, N.N. Hieu, L.T. Hoa, B. Amin, C.V. Nguyen
Physical Review B, 102, 075414. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2469-9950
[71]

Interlayer coupling and electric field controllable Schottky barriers and contact types in graphene/PbI2 heterostructures,

C.V. Nguyen, M. Idrees, H.V. Phuc, N.N. Hieu, N.T. Binh, B. Amin, Tuan V. Vu*
Physical Review B, 101, 235419. - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 2469-9950
[72]

Mexican-hat dispersions and high carrier mobility of γ-SnX (X= O, S, Se, Te) single-layers: a first-principles investigation

Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, N.T. Binh, N.V. Hieu, A. Kartamyshev, N.N. Hieu,
Physical Chemistry Chemical Physics, 24, 29064-29073. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 1463-9076
[73]

Novel Janus GaInX3 (X= S, Se, Te) single-layers: first-principles prediction on structural, electronic, and transport properties

Tuan V. Vu, N.N. Hieu, A. Lavrentyev, O. Khyzhun, C.V. Lanh, A. Kartamyshev, H.V. Phuc, N.V. Hieu
RSC advances, 12, 7973-7979. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2046-2069
[74]

Novel Janus group III chalcogenide monolayers Al2XY2 (X/Y= S, Se, Te): first-principles insight onto the structural, electronic, and transport properties

Tuan V. Vu, N.N. Hieu
Journal of Physics: Condensed Matter, 34, 115601. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0953-8984
[75]

Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X= S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, V.T. Vi, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Physical Review B, 104, 115410. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 2469-9950
[76]

Particular features of the electronic structure and optical properties of Ag2PbGeS4 as evidenced from first-principles DFT calculations and XPS studies

Tuan V. Vu, A. Lavrentyev, B. Gabrelian, V. Ocheretova, O. Parasyuk, O. Khyzhun
Materials Chemistry and Physics, 208, 268-280. - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN: 0254-0584
[77]

Predicted novel Janus γ-Ge2XY ( S, Se, Te) monolayers with Mexican-hat dispersions and high carrier mobilities

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, L.C. Nhan, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics D: Applied Physics, 56,135302 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 0022-3727
[78]

Rashba-type spin splitting and transport properties of novel Janus XWGeN2 (X= O, S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, H.V. Phuc, C.V. Nguyen, V.T. Vi, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
Physical Chemistry Chemical Physics, 24, 16512-16521. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 1463-9076
[79]

Strong out-of-plane piezoelectricity and Rashba-type spin splitting in asymmetric structures: first-principles study for Janus γ-Sn2OX (X= S, Se, Te) monolayers

Tuan V. Vu, N.P. Anh, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, N.N. Hieu
New Journal of Chemistry, 47, 11660-11668. - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN: 1144-0546
[80]

Structural, electronic, and transport properties of Janus GaInX2 (X= S, Se, Te) monolayers: first-principles study

Tuan V. Vu, T.P. Linh, H.V. Phuc, C. Duque, A.I. Kartamyshev, N.N. Hieu
Journal of Physics: Condensed Matter, 34, 045501. - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 0953-8984
[81]

Structural, electronic, and transport properties of quintuple atomic Janus monolayers Ga2SX2 (X= O, S, Se, Te): First-principles predictions

N.N. Hieu, H.V. Phuc, A. Kartamyshev, Tuan V. Vu*
Physical Review B, 105, 075402. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2469-9950
[82]

Tailoring the structural and electronic properties of an SnSe2/MoS2 van der Waals heterostructure with an electric field and the insertion of a graphene sheet

Tuan V. Vu, N.V. Hieu, L.T. Thao, N.N. Hieu, H.V. Phuc, H. Bui, M. Idrees, B. Amin, L.M. Duc, C.V. Nguyen
Physical Chemistry Chemical Physics, 21, 22140-22148. - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN: 1463-9076
[83]

Ternary sulfides BaLa2S4 and CaLa2S4 as promising photocatalytic water splitting and thermoelectric materials: First-principles DFT calculations

M. Batouche, T. Seddik, Tuan V. Vu, Dat D. Vo, Hien D. Tong, D.M. Hoat, O.Y. Khyzhun
International Journal of Hydrogen Energy, 45, 22600-22612 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 0360-3199
[84]

Theoretical prediction of electronic, transport, optical, and thermoelectric properties of Janus monolayers In2XO (X= S, Se, Te)

Tuan V. Vu, Chuong V. Nguyen, H.V. Phuc, A.A. Lavrentyev, O.Y. Khyzhun, N.V. Hieu, M. Obeid, D.P. Rai, Hien D. Tong, N.N. Hieu
Physical Review B, 103, 085422 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN: 2469-9950
[85]

TlSbP2Se6 - a new layered single crystal: growth, structure and electronic properties

Tuan V. Vu, A.A. Lavrentyev, B.V. Gabrelian, V.I. Sabov, M.Y. Sabov, A.I. Pogodin, I.E. Barchiy, A.O. Fedorchuk, A. Balinska, Z. Bak, O.Y. Khyzhun, M. Piasecki
Journal of Alloys and Compounds, 848, 156485 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN: 0925-8388
[86]

XSnS3 (X= Ga, In) monolayer semiconductors as photo-catalysts for water splitting: a first principles study

M. Naseri, D.R. Salahub, Tuan V. Vu, H. Zakaryae
Journal of Materials Chemistry C, 10, 11412-11423. - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN: 2050-7526
[1]

Nghiên cứu tính chất điện tử và quang học của các hợp chất chalcogenides dạng Cu2-II-IV-VI4 (II = Hg; IV = Ge Sn; VI = S Se Te): khả năng ứng dụng trong pin năng lượng mặt trời giá thành rẻ

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/04/2019 - 01/04/2021; vai trò: Chủ nhiệm nhiệm vụ
[2]

Nghiên cứu ảnh hưởng của nút trống biến dạng cấu trúc và điện trường đến cấu trúc và các đặc tính hấp phụ khí của vật liệu MXenes

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/04/2020 - 01/03/2023; vai trò: Thành viên
[3]

Nghiên cứu ảnh hưởng của nút trống, biến dạng cấu trúc và điện trường đến cấu trúc và các đặc tính hấp phụ khí của vật liệu MXenes

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 01/04/2020 - 01/03/2023; vai trò: Thư ký khoa học
[4]

Nghiên cứu tính chất điện tử và quang học của các hợp chất chalcogenides dạng Cu2-II-IV-VI4 (II = Hg; IV = Ge, Sn; VI = S, Se, Te): khả năng ứng dụng trong pin năng lượng mặt trời giá thành rẻ

Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ phát triển khoa học và công nghệ quốc gia
Thời gian thực hiện: 04/2019 - 04/2021; vai trò: Chủ nhiệm đề tài