Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.648323

Nguyễn Huỳnh Duy Khang

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Sư Phạm Tp. Hồ Chí Minh

Lĩnh vực nghiên cứu:

Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia

[1]	Magnetic recording device P. N. Hai, N. H. D. Khang, T. Shirokura JP2021034480A - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[2]	Manufacturing method for multilayer structure of magnetic body and BiSb layer, magnetoresistive memory, and pure spin injection source P. N. Hai, N. H. D. Khang US11637234B2 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[3]	Ultra-fast operation and low power spin orbit torque magnetization switching induced by BiSb topological insulator N. H. D. Khang, T. Shirokura , T. Fan, M. Takahashi, N. Nakatani, D. Kato, Y. Miyamoto, P. N. Hai MMM 2022 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[4]	High spin Hall angle in sputtered BiSb topological insulator (bottom)/ ferromagnet with in-plane magnetization on sapphire substrates J.Sasaki, H.H. Huy, N. H.D. Khang, P. N. Hai, Q. Le, B. York, X. Liu, S. Le, C. Hwang, M. Ho, H. Takano The 32nd Magnetic Recording Conference (TMRC 2021) - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[5]	The Practical Material Challenges Involved in using the Topological Insulator BiSb in a Spin Transfer Device York, P. N. Hai, Q. Le, C. Hwang, N. H. D. Khang, Ho Hoang Huy, J. Sasaki, X. Liu, S. Le, M. Ho, H. Takano The 32nd Magnetic Recording Conference (TMRC 2021 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[6]	Colossal spin Hall effect in a conductive topological insulator Bi0.9Sb0.1 for ultra-low-power spin-orbit-torque switching N. H. D. Khang, Y. Ueda, P. N. Hai The 11th Vietnam-Japan Scientific Exchange Meeting - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[7]	MnGa thin films with perpendicular magnetic anisotropy grown on BiSb topological insulator N. H. D. Khang, Y. Ueda, P. N. Hai 9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technolog (Spintech IX) - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:
[8]	Magnetic and structural properties of MnGa thin films grown on Bi0.8Sb0.2 topological insulator N. H. D. Khang, Y. Ueda, P. N. Hai Junjirou Kanamori Memorial International Symposium – New Horizon of Magnetism - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:
[9]	Ultra-low-power spin-orbit-torque switching using the colossal spin Hal effect in BiSb topological insulator N. H . D. Khang, Y. Ueda, P. H. Hai Intermag 2018 - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[10]	Conductive BiSb topological insulator with colossal spin Hall effect for ultra-low power spin-orbit-torque switching P. N. Hai, N. H. D. Khang, K. Yao, Y. Ueda SPIE Spintronics XI - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[11]	Influence of crystalorientation and surface terminationon the growth of BiSb topological insulator thin films on GaAs substrates K. Yao, N. H. D. Khang, P. N. Hai 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[12]	Low power spin-orbit torque magnetization switching in all-sputtered BiSb topological insulator / perpendicularly magnetized CoPt / MgO multilayers on Si substrate T. Fan, N. H. D. Khang, P. N. Hai Joint MMM-INTERMAG - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[13]	Room-temperature spin injection from a ferromagnetic semiconductor S. Goel, N. H. D. Khang, Y. Osada, L. D. Anh, P. N. Hai, M. Tanaka Scientific Reports, 13, 2181 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[14]	Large inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator for 4 Tb/in2 magnetic recording technology H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, S. Namba, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, M. Ho, H. Takano Applied Physics Letters, 122, 052401 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[15]	Large spin Hall angle in sputtered BiSb topological insulator on top of various ferromagnets with in-plane magnetization for SOT reader application H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, S. Namba, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, R. Nagabhirava, M. Ho, H. Takano IEEE Transactions on Magnetics, 59, 3000904 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[16]	Rhombic Fermi surfaces in a ferromagnetic MnGa thin film with perpendicular magnetic anisotropy M. Kobayashi, N. H. D. Khang, T. Takeda, K. Araki, R. Okano, M. Suzuki, K. Kuroda, K. Yaji, K. Sugawara, S. Souma, K. Nakayama, K. Yamauchi, M. Kitamura, K. Horiba, A. Fujimori, T. Sato, S. Shin, M. Tanaka, P. N. Hai Physical Review Materials, 6, 074403 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[17]	Nanosecond ultralow power spin orbit torque magnetization switching driven by BiSb topological insulator N. H. D. Khang, T. Shirokura, T. Fan, M. Takahashi, N. Nakatani, D. Kato, Y. Miyamoto, P. N. Hai Applied Physics Letters, 120, 152401 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[18]	Ultrahigh efficient spin orbit torque magnetization switching in fully sputtered topological insulator and ferromagnet multilayers T. Fan, N. H. D. Khang, S. Nakano, P. N. Hai Scientific reports, 12, 2998 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[19]	Efficient spin current source using a half-Heusler alloy topological semimetal with back end of line compatibility T. Shirokura, T. Fan, N. H. D. Khang, T. Kondo, P. N. Hai Scientific Reports, 12, 2426 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[20]	Improvement of the Effective Spin Hall Angle by Inserting an Interfacial Layer in Sputtered BiSb Topological Insulator (Bottom)/Ferromagnet With In-Plane Magnetization J. Sasaki, H. H. Huy, N. H. D. Khang, P. N. Hai, Q. Le, B. York, X. Liu, S. Le, C. Hwang, M. Ho, H. Takano IEEE Transactions on Magnetics, 58, 3200404 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[21]	Low power spin–orbit torque switching in sputtered BiSb topological insulator/perpendicularly magnetized CoPt/MgO multilayers on oxidized Si substrate T. Fan, N. H. D. Khang, T. Shirokura, H. H. Huy, P. N. Hai Applied Physics Letters, 119, 082403 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[22]	Ultralow power spin–orbit torque magnetization switching induced by a non-epitaxial topological insulator on Si substrates N. H. D. Khang, S. Nakano, T. Shirokura,Y. Miyamoto, P. N. Hai Scientific Reports, 10, 12185 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[23]	Crystal growth and characterization of topological insulator BiSb thin films by sputtering deposition on sapphire substrates T. Fan, M. Tobah, T. Shirokura, N. H. D. Khang, P. N. Hai Japanese Journal of Applied Physics, 59, 06300 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[24]	Spin–orbit torque as a method for field-free detection of in-plane magnetization switching N. H. D. Khang, P. N. Hai Applied Physics Letters, 117, 252402 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[25]	Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device K. Chonan, N. H. D. Khang, M. Tanaka, P. N. Hai Japanese Journal of Applied Physics, 59, SGGI08 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[26]	Zero-field topological Hall effect as evidence of ground-state skyrmions at room temperature in BiSb/MnGa bilayers N. H. D. Khang, T. Fan, P. N. Hai AIP Advances, 9, 125309 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[27]	Giant unidirectional spin Hall magnetoresistance in topological insulator–ferromagnetic semiconductor heterostructures N. H. D. Khang, P. N. Hai Journal of Applied Physics, 126, 233903 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[28]	Influence of crystal orientation and surface termination on the growth of BiSb thin films on GaAs substrates K . Yao, N. H. D. Khang, P. N. Hai Journal of Crystal Growth, 511, 99 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[29]	A conductive topological insulator with large spin Hall effect for ultralow power spin–orbit torque switching N. H. D. Khang, Y. Ueda, P. N. Hai Nature Materials, 17, 808 - Năm xuất bản: 2018; ISSN/ISBN:
[30]	Epitaxial growth and characterization of Bi1-xSbx spin Hall thin films on GaAs(111)A substrates Y. Ueda, N. H. D. Khang, K. Yao, P. N. Hai Applied Physics Letters, 110, 062401 - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:
[31]	Growth and characterization of MnGa thin films with perpendicular magnetic anisotropy on BiSb topological insulator N. H. D. Khang, Y. Ueda, K. Yao, P.N. Hai Journal of Applied Physics, 122, 143903 - Năm xuất bản: 2017; ISSN/ISBN:

[1]	SOT-MRAM sử dụng vật liệu topological insulator - BiSb dựa trên kỹ thuật phún xạ Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Tập đoàn Western Digital Thời gian thực hiện: 04/2021 - 04/2022; vai trò: Nghiên cứu viên
[2]	Bộ nhớ SOT-MRAM sử dụng vật liệu topological insulator - BiSb Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Hội phát triển khoa học và kỹ thuật Nhật Bản (JST) Thời gian thực hiện: 04/2020 - 04/2022; vai trò: Nghiên cứu viên