Thông tin nhà nghiên cứu KH&CN

Mã NNC: CB.44716

Võ Thị Tuyết Vi

Cơ quan/đơn vị công tác: Trường Đại học Y - Dược, Đại học Huế

Lĩnh vực nghiên cứu:

Danh sách các Bài báo/Công bố KH&CN
Danh sách các Nhiệm vụ KH&CN đã tham gia

[1]	Tính chất điện tử và độ linh động của hạt tải trong vật liệu hai chiều đơn lớp HfSiSeP2 Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu, Đặng Xuân Dự, Lê Công Nhân Tạp chí Khoa học Đại học Sài Gòn, số 87 tập 1, 58-66 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[2]	Nghiên cứu các đặc trưng cơ học và tính chất điện tử của đơn lớp Janus GeSiTe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu* Tạp chí khoa học và công nghệ Đại học Duy Tân, 3(70), 1-9 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[3]	Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices Tuan V Vu, Nguyen T Hiep, Vo T T Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev and Nguyen N Hieu* Journal of Physics D: Applied Physics, 58, 105309 - Năm xuất bản: 2025; ISSN/ISBN:
[4]	A first-principles prediction of novel Janus ZrGeZ3H (Z = N, P, and As) monolayers: Raman active modes, piezoelectric responses, electronic properties, and carrier mobility Tuan V. Vu, Vo T. T. Vi, Nguyen T. Hiep, Khanh V. Hoang, A. I. Kartamyshev, Huynh V. Phuc and Nguyen N. Hieu RSC Advances, 14, 21982 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[5]	Two-dimensional Janus Si2OX (X = S, Se, Te) monolayers as auxetic semiconductors: theoretical prediction Nguyen P. Q. Anh, N. A. Poklonski, Vo T. T. Vi, Cuong Q. Nguyen and Nguyen N. Hieu* RSC Advances, 14, 4966 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[6]	Tính chất điện tử của đơn lớp Gallium Selenide: Các tính toán bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ Võ Thị Tuyết Vi, Bùi Đình Hợi, Nguyễn Văn Chương, Nguyễn Ngọc Hiếu Tạp chí Khoa học, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, Số 3(55), tr.12-18 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[7]	Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp MGe2N4 (M = Mo, W) bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ Võ Thị Tuyết Vi, Lê Văn Hùng, Nguyễn Thị Thắm Hồng, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu* Tạp chí Khoa học & Công nghệ Đại học Duy Tân 3 04(65) 1-9 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[8]	Nghiên cứu các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ Võ Thị Tuyết Vi*, Nguyễn Quang Cường, Nguyễn Ngọc Hiếu Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên, Tập 132, Số 1C, 89–97 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[9]	Large piezoelectric responses and ultra-high carrier mobility in Janus HfGeZ3H (Z = N, P, As) monolayers: a first-principles study Tuan V. Vu, Huynh V. Phuc, Le T. T. Phuong, Vo T. T. Vi, A. I. Kartamyshev and Nguyen N. Hieu Nanoscale Advances 6, 4128-4136 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[10]	Spin–orbit coupling tunable electronic properties of 1T'-MoS2 and ternary Janus MoSSe monolayers: Theoretical prediction Nguyen N. Hieu, Nguyen V. Hieu, Huy Le-Quoc, Vo T.T. Vi, Cuong Q. Nguyen, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Kien Nguyen-Ba* Chemical Physics 583, 112300 - Năm xuất bản: 2024; ISSN/ISBN:
[11]	Crystal lattice and electronic and transport properties of Janus ZrSiSZ2 (Z = N, P, As) monolayers by first-principles investigations Nguyen P. Q. Anh, Nguyen T. Hiep, D. V. Lu, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu and Vo T. T. Vi * Nanoscale Advances, 5, 6705 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[12]	Anisotropic Crystal Structure and High Electron Mobility of Novel Ternary Janus P6XY Monolayers (X/Y = S, Se, Te): First-Principles Examinations Vo T.T. Vi, Bui D. Hoi, Cuong Q. Nguyen, and Nguyen N. Hieu Advanced Theory and Simulations 6, 2300471 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[13]	Moderate direct band-gap energies and high carrier mobilities of Janus XWSiP2 (X = S, Se, Te) monolayers via first-principles investigation Hiep T. Nguyen, Nguyen Q. Cuong, Vo T. T. Vi*, Nguyen N. Hieu and Linh P. T. Tran Physical Chemistry Chemical Physics 25 (2023) 21468 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[14]	Rashba-type spin splitting and transport properties of novel Janus XWGeN2 (X = O, S, Se, Te) monolayers Tuan V. Vu, Huynh V. Phuc, Chuong V. Nguyen, Vo T. T. Vi, A. I. Kartamyshev and Nguyen N. Hieu Phys. Chem. Chem. Phys., 24, 16512 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[15]	Strain engineering of multi-interband optical transitions in β12-borophene Tran Cong Phong, Vo T.T. Vi, Le T.T .Phuong Physics Letters A 480 128946 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[16]	Density functional theory investigations of PbSnX2 (X = S, Se, Te) monolayers: Structural and electronic properties Le C. Nhan, Vo T.T. Vi, Dang X. Du, Nguyen Q. Cuong, Nguyen N. Hieu, Tran P.T. Linh Chemical Physics 566, 111797 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[17]	New C2h phase of group III monochalcogenide monolayers AlX (X = S, Se, and Te) with anisotropic crystal structure: first-principles study Tuan-Anh Tran, Le S. Hai, Cuong Q. Nguyen, Vo T. T. Vi, Tran P. T. Linh and Nguyen N. Hieu RSC Advances 13, 6838 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[18]	Janus structures of the C2h polymorph of gallium monochalcogenides: first-principles examination of Ga2XY (X/Y = S, Se, Te) monolayers Tuan-Anh Tran, Le S. Hai, Vo T. T. Vi, Cuong Q. Nguyen, Nguyen T. Nghiem, Le T. P. Thao and Nguyen N. Hieu RSC Advances, 13, 12153 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[19]	Two-dimensional Janus MGeSiP4 (M = Ti, Zr, and Hf) with an indirect band gap and high carrier mobilities: first-principles calculations Nguyen T. Hiep, Nguyen P. Q. Anh, Huynh V. Phuc, Cuong Q. Nguyen, Nguyen N. Hieu and Vo T. T. Vi* Physical Chemistry Chemical Physics, 25, 8779 - Năm xuất bản: 2023; ISSN/ISBN:
[20]	Nonlinear optical absorption and optically detected electrophonon resonance in GaAs based n - i - p - i superlattices Nguyen T. Dung, Vo T.T. Vi, Le T.T. Phuong Micro and Nanostructures, 165, 207201 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[21]	Tunable Electronic Properties of Novel 2D Janus MSiGeN4 (M = Ti, Zr, Hf) Monolayers by Strain and External Electric Field Vo T.T. Vi, Tran P.T. Linh, Cuong Q. Nguyen, and Nguyen N. Hieu Advanced Theory and Simulations, 5, 2200499 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[22]	Chemical functionalization of SnAs monolayer: a first-principles study of SnAsX (X = Cl, Br, and I) monolayers Vo T T Vi, Cuong Q Nguyen, Bui D Hoi, Huynh V Phuc, Chuong V Nguyen and Nguyen N Hieu Journal of Physics D: Applied Physics 55, 505302 - Năm xuất bản: 2022; ISSN/ISBN:
[23]	Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X = S, Se, Te) monolayers Tuan V. Vu, Vo T. T. Vi, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev, and Nguyen N. Hieu PHYSICAL REVIEW B 104, 115410 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[24]	Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe Võ Thị Tuyết Vi, Nguyễn Văn Chương, Nguyễn Văn Hiếu, Nguyễn Ngọc Hiếu Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên, Tập 129, Số 1C, 109–116, 2020 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[25]	Electronic, optical, and thermoelectric properties of Janus In-based monochalcogenides Tuan V Vu, Vo T T Vi, Huynh V Phuc, Chuong V Nguyen, N A Poklonski, C A Duque, D P Rai, Bui D Hoi and Nguyen N Hieu Journal of Physics: Condensed Matter 33 (2021) 225503 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[26]	Spin–orbit coupling effect on electronic, optical, and thermoelectric properties of Janus Ga2SSe Hong T. T. Nguyen, Vo T. T. Vi, Tuan V. Vu, Nguyen V. Hieu, Dung V. Lu, D. P. Rai and Nguyen T. T. Binh RSC Advances, 2020, 10, 44785 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[27]	Computational study on strain and electric field tunable electronic and optical properties of InTe monolayer Thi-Nga Do, Vo T.T. Vi, Nguyen T.T. Binh, Nguyen N. Hieu, Nguyen V. Hieu Superlattices and Microstructures 151 (2021) 106816 - Năm xuất bản: 2021; ISSN/ISBN:
[28]	Janus Ga2STe monolayer under strain and electric field: Theoretical prediction of electronic and optical properties Hong T.T. Nguyen, Vo T.T. Vi, Tuan V. Vu, Huynh V. Phuc, Chuong V. Nguyen, Hien D. Tong, Le T. Hoa, Nguyen N. Hieu Physica E 124 (2020) 114358 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[29]	Computational prediction of electronic and optical properties of Janus Ga2SeTe monolayer Tuan V Vu, Vo T T Vi, Chuong V Nguyen, Huynh V Phuc and Nguyen N Hieu Journal of Physics D: Applied Physics 53 (2020) 455302 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[30]	Modulation of electronic and optical properties of GaTe monolayer by biaxial strain and electric field Vo T.T. Vi, Nguyen N. Hieu, Bui D. Hoi, Nguyen T.T. Binh, Tuan V. Vu Superlattices and Microstructures 140 (2020) 106435 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[31]	Stacking and electric field effects on the band alignment and electronic properties of the GeC/GaSe heterostructure Dat D. Vo, Vo T.T. Vi, Tan Phat Dao, Tuan V. Vu, Huynh V. Phuc, Nguyen N. Hieu, Nguyen T.T. Binh, Chuong V. Nguyen Physica E 120 (2020) 114050 - Năm xuất bản: 2020; ISSN/ISBN:
[32]	Tuning the electronic properties of GaS monolayer by strain engineering and electric field Khang D. Pham, Vo T.T. Vi, Doan V. Thuan, Nguyen V. Hieu, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, Bui D. Hoi, Le T.T. Phuong, Nguyen Q. Cuong, Dung V. Lu, Nguyen N. Hieu Chemical Physics 524 (2019) 101–105 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[33]	Tunable electronic properties of InSe by biaxial strain: from bulk to single-layer Khang D Pham, Vo T T Vi, Doan V Thuan, Le T T Phuong, Le T Hoa, Nguyen V Hieu, Chuong V Nguyen, Huynh V Phuc, Hamad R Jappor, Nguyen Q Cuong, Bui D Hoi, Nguyen N Hieu Materials Research Express 6 (2019) 115002 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:
[34]	Modulation of electronic properties of monolayer InSe through strain and external electric field Doan Q. Khoa, Duy Trinh Nguyen, Chuong V. Nguyen, Vo T.T. Vi, Huynh V. Phuc, Le T.T. Phuong, Bui D. Hoi, Nguyen N. Hieu Chemical Physics 516 (2019) 213-217 - Năm xuất bản: 2019; ISSN/ISBN:

[1]	Nghiên cứu, khám phá và phát triển các vật liệu tiên tiến hai chiều và khả năng tích hợp của chúng trong các linh kiện điện tử-bán dẫn thế hệ mới Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia Thời gian thực hiện: 04/2025 - 04/2028; vai trò: Kỹ thuật viên
[2]	Cấu trúc và các tính chất điện tử của vật liệu hai chiều MA2Z4 (M = Mo, W; A = Si, Ge, Sn; Z = N, P) Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Y Dược, Đại học Huế Thời gian thực hiện: 07/2023 - 07/2024; vai trò: Chủ nhiệm
[3]	Nghiên cứu các đặc tính cơ học và cấu trúc vùng năng lượng điện tử của vật liệu hai chiều có cấu trúc lớp Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Y Dược, Đại học Huế Thời gian thực hiện: 08/2024 - 08/2025; vai trò: Chủ nhiệm
[4]	Các đặc trưng cấu trúc và tính chất điện tử của một số vật liệu hai chiều bất đối xứng Janus Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Đại học Huế Thời gian thực hiện: 01/2023 - 12/2024; vai trò: Chủ nhiệm
[5]	Nghiên cứu sự hấp thụ quang-từ và các hiệu ứng cộng hưởng do từ trường trong siêu mạng bán dẫn Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Trường Đại học Y Dược, Đại học Huế Thời gian thực hiện: 07/2021 - 07/2022; vai trò: Chủ nhiệm
[6]	Cấu trúc, các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều và các vật liệu xếp lớp van der Waals giữa chúng Cơ quan quản lý nhiệm vụ/cấp kinh phí: Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ Quốc gia Thời gian thực hiện: 12/2019 - 12/2021; vai trò: Nghiên cứu sinh